站内编号   专利名称
[CHL01-047-001] 封装基板制造方法及其结构
[CHL01-047-002] 电路仿真方法
[CHL01-047-003] 使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法
[CHL01-047-004] 金属内连线的制造方法
[CHL01-047-005] 通过形成镶嵌互连制造半导体器件的方法
[CHL01-047-006] 低功耗相关双取样电路结构
[CHL01-047-007] 具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法
[CHL01-047-008] 混合模拟组件的电容器制造方法
[CHL01-047-009] 制造1T1R电阻型存储阵列的方法
[CHL01-047-010] 倒装片封装结构及其制备的方法
[CHL01-047-011] 散热片与基板的粘合制造方法及其封装件
[CHL01-047-012] 备有冷却机构的电子设备
[CHL01-047-013] 传热装置和制造这种装置的方法
[CHL01-047-014] 电子装置
[CHL01-047-015] 在导线架构装制程中不使用银胶及晶粒金属衬垫的结构与方法
[CHL01-047-016] 半导体装置和半导体装置的制造方法
[CHL01-047-017] 改进微电子电路的性能的方法
[CHL01-047-018] 半导体器件
[CHL01-047-019] 最低电位为共模电平的模拟信号输入管脚的静电保护方法
[CHL01-047-020] 降低静电放电损坏的倒装SOI芯片结构与制造方法
[CHL01-047-021] 多芯片模块及其测试方法
[CHL01-047-022] 开窗型多芯片半导体封装件
[CHL01-047-023] 用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
[CHL01-047-024] 具有在系统及离系统上的可编程非易失性存储器的芯片
[CHL01-047-025] 半导体集成电路
[CHL01-047-026] 具有芯片上端接器的半导体集成电路
[CHL01-047-027] 半导体器件
[CHL01-047-028] 两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
[CHL01-047-029] 半导体组件的护层结构及其形成方法
[CHL01-047-030] 动态随机存取存储器
[CHL01-047-031] 具有转接电路的动态随机存取存储器模块
[CHL01-047-032] 集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
[CHL01-047-033] 三维存储器之只读存储元
[CHL01-047-034] 形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器
[CHL01-047-035] 半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-036] 全固态纳米晶太阳能电池及其制法
[CHL01-047-037] 一种有机发光二极管
[CHL01-047-038] 具有低阻层的发光二极管结构
[CHL01-047-039] 一种制作白光发光二极管光源的方法
[CHL01-047-040] 近接式影像传感器光源发光二极管
[CHL01-047-041] 发光二极管灯泡的制作方法及其结构
[CHL01-047-042] 掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法
[CHL01-047-043] 掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件及制备方法
[CHL01-047-044] 功率转换改进的垂直空腔发光器件
[CHL01-047-045] 倒装芯片封装的凸块工艺
[CHL01-047-046] 形成不同厚度的双栅极绝缘层的方法
[CHL01-047-047] 无刮伤化学机械研磨工艺
[CHL01-047-048] 判定半导体制造工艺状态的方法和装置及半导体制造装置
[CHL01-047-049] 材料层的分离处理方法
[CHL01-047-050] 一种制备SON型场效应晶体管的方法
[CHL01-047-051] 凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法
[CHL01-047-052] 改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法
[CHL01-047-053] 便于对一晶片的顶面与底面进行电性缺陷测试的封装方法
[CHL01-047-054] 具有静电防护的封装模具
[CHL01-047-055] 具有静电放电防护的封装模具
[CHL01-047-056] 排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法
[CHL01-047-057] 检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器和方法及系统
[CHL01-047-058] 一种形成浅沟槽隔离结构的方法
[CHL01-047-059] 后端制作工艺整合的方法
[CHL01-047-060] 在半导体基底形成露出导电图案的接触孔的方法
[CHL01-047-061] L型字线间隙壁的结构及其制造方法
[CHL01-047-062] 半导体存储器件的制造方法
[CHL01-047-063] 在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
[CHL01-047-064] 闪存器件的平坦化方法
[CHL01-047-065] 具有凹凸侧边的封装基板
[CHL01-047-066] 具有静电放电防护的封装基板
[CHL01-047-067] 具有静电放电防护的封装基板
[CHL01-047-068] 线路基板
[CHL01-047-069] 半导体元件及半导体封装
[CHL01-047-070] 外部放电保护电路
[CHL01-047-071] 电容器
[CHL01-047-072] 存储器件的结构及其制造方法
[CHL01-047-073] 半导体装置的电容器及其制备方法
[CHL01-047-074] 半导体存储器
[CHL01-047-075] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-076] 降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法
[CHL01-047-077] 具有III/VI族发射极的晶体管
[CHL01-047-078] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-047-079] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-047-080] 发光二极管外加散热结构的制造方法
[CHL01-047-081] 化合物半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-082] 发电装置及方法
[CHL01-047-083] 具有“电流垂直于平面”结构的磁阻元件
[CHL01-047-084] 电子元件及其制造方法
[CHL01-047-085] 晶化装置、用于晶化装置的光学部件和晶化方法
[CHL01-047-086] 半导体装置的制造方法及半导体装置
[CHL01-047-087] 制造设备
[CHL01-047-088] 确定晶片对准标记外围辅助图形的方法及所用光刻胶掩模
[CHL01-047-089] 支撑装置与其制造方法、载置台装置以及曝光装置
[CHL01-047-090] 形成半导体栅极的方法
[CHL01-047-091] 基板的镀膜方法及镀膜装置
[CHL01-047-092] 化学机械研磨机台的调节器
[CHL01-047-093] 半导体晶圆的清洗方法
[CHL01-047-094] 自动显示磨耗程度的研磨垫及制造方法
[CHL01-047-095] 大面积平面晶片双面精密加工工艺
[CHL01-047-096] 高压处理设备
[CHL01-047-097] 衬底处理系统和衬底处理方法
[CHL01-047-098] 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
[CHL01-047-099] 蚀刻沉积于半导体基底上的光阻层的方法
[CHL01-047-100] 形成介电质层的方法
[CHL01-047-101] 采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法
[CHL01-047-102] 自动检测半导体芯片位置的溅镀系统
[CHL01-047-103] 带有微型连接构件的基板及其制作方法
[CHL01-047-104] 电子部件封装、非易失性强介电体存储器、安装机及方法
[CHL01-047-105] 半导体装置的制造方法
[CHL01-047-106] 薄片粘贴装置及薄片粘贴方法
[CHL01-047-107] 将集成电路连接到基片上的方法及相应电路配置
[CHL01-047-108] 半导体装置测试结构与形成方法
[CHL01-047-109] 可避免量测计燃烧的量测计固定装置
[CHL01-047-110] 拉线、球剪力与晶片剪力测量的重复性与再现性测试工具
[CHL01-047-111] 应用于半导体产品生产的植入式可靠度分析系统
[CHL01-047-112] 存储器字线结构与电容器重叠偏移的测试元件及测试方法
[CHL01-047-113] 宽带数据通信芯片检测方法及芯片
[CHL01-047-114] 集成电路器件和微机电组件的整体制造方法
[CHL01-047-115] 波浪状电容器及其制造方法
[CHL01-047-116] 形成沟槽隔离结构的方法
[CHL01-047-117] 具有高高宽比的浅沟渠隔离结构的填充方法
[CHL01-047-118] 接触孔的形成方法
[CHL01-047-119] 制造氮化硅只读存储器的方法
[CHL01-047-120] 半导体封装
[CHL01-047-121] 具有散热装置的功率放大器
[CHL01-047-122] 引线框架及其制造方法
[CHL01-047-123] 具抗反射涂层的内连线制造方法及其结构
[CHL01-047-124] 半导体器件
[CHL01-047-125] 静电放电保护装置及其制造方法
[CHL01-047-126] 多芯片整合模块
[CHL01-047-127] 具有可控的内部电源电压的半导体集成电路
[CHL01-047-128] 采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
[CHL01-047-129] 低电压双向福乐诺汉写入/擦除闪速存储器
[CHL01-047-130] 半导体存储器件
[CHL01-047-131] 半导体存储器件及其使用镶嵌栅极和外延生长的制造方法
[CHL01-047-132] 混载DRAM的半导体器件
[CHL01-047-133] 碳化硅半导体器件
[CHL01-047-134] 栅极结构及其制造方法及具此栅极结构的金氧半导体元件
[CHL01-047-135] 发光二极管及其制造方法
[CHL01-047-136] S型压电微位移放大机构
[CHL01-047-137] 有机薄膜开关存储装置及存储器设备
[CHL01-047-138] 减缓差排缺陷的多层结构
[CHL01-047-139] 碳氟膜的制造方法
[CHL01-047-140] 二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法
[CHL01-047-141] 用于快闪存储晶单元的ONO内复晶介电质及制作方法
[CHL01-047-142] 金属膜半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-143] 叠晶型半导体封装件制法及其结构
[CHL01-047-144] 树脂固化系统
[CHL01-047-145] 半导体封装件的制造方法
[CHL01-047-146] 测试沟槽电容器中埋入层掺杂浓度是否异常的元件及方法
[CHL01-047-147] 测试加烧机系统
[CHL01-047-148] 通用数字电路仿真测试系统及测试方法
[CHL01-047-149] 在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置及方法
[CHL01-047-150] 在晶圆上监控重叠对准的方法
[CHL01-047-151] 半导体器件
[CHL01-047-152] 在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法
[CHL01-047-153] 镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造
[CHL01-047-154] 金属电容器的制造方法
[CHL01-047-155] 一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法
[CHL01-047-156] 制造集成电路装置的方法和用该方法制造的集成电路装置
[CHL01-047-157] 评估内连线结构布局及其金属片电阻的方法
[CHL01-047-158] 形成铁电存储器胞元的方法
[CHL01-047-159] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-160] 具有应变平衡结构的CMOS元件及其制造方法
[CHL01-047-161] 在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
[CHL01-047-162] 在塑胶基板用来接收积体电路晶片的晶片衬垫
[CHL01-047-163] 具备过电压保护功能的集成电路承载基板及其制造方法
[CHL01-047-164] 电子元件
[CHL01-047-165] 散热导管装置
[CHL01-047-166] 具有缩短的焊盘间距的半导体集成电路
[CHL01-047-167] 硅-锗技术的静电放电保护硅控整流器
[CHL01-047-168] 半导体集成电路装置
[CHL01-047-169] 存储单元和存储设备
[CHL01-047-170] 半导体存储装置及其制造方法和驱动方法
[CHL01-047-171] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-172] 整合式晶片型二极管
[CHL01-047-173] 一种有机发光二极管阳极及其制备方法
[CHL01-047-174] 高效发光二极管
[CHL01-047-175] γ-LiAIO2/α-AI2...
[CHL01-047-176] MgIn2O4/MgO复合衬...
[CHL01-047-177] 氮化镓系化合物半导体发光器件
[CHL01-047-178] 含蒽和三嗪衍生物的显示器件
[CHL01-047-179] 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
[CHL01-047-180] 量子点形成方法
[CHL01-047-181] 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法
[CHL01-047-182] 升降式基板处理装置及具有该装置的基板处理系统
[CHL01-047-183] 含氧化多孔硅的低阻硅衬底及其制备
[CHL01-047-184] 在印刷与大特征相邻的紧密空间时采用第二曝光辅助PSM曝光
[CHL01-047-185] 具有改良式气体混合手段的湿机台
[CHL01-047-186] 半导体制造装置
[CHL01-047-187] 二极管制造方法
[CHL01-047-188] 形成自行对准金属硅化物的方法
[CHL01-047-189] 形成轻掺杂漏极的方法
[CHL01-047-190] 半导体装置的制造方法
[CHL01-047-191] 通过氟化硼化合物掺杂而制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法
[CHL01-047-192] 用于半导体封装的基板或导线架加压装置
[CHL01-047-193] 切割带贴合单元和具有切割带贴合单元的序列式系统
[CHL01-047-194] 检测半导体元件中位元线偏移的测试元件及测试方法
[CHL01-047-195] 形成高频IC导线与电感线圈组件的方法
[CHL01-047-196] 电容器及其制造方法
[CHL01-047-197] 消除深亚微米工艺中连线耦合电容造成的信号串扰的方法
[CHL01-047-198] 混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法
[CHL01-047-199] 镜头内藏型图象传感器的制造方法
[CHL01-047-200] 改善深次微米晶体管的电阻及漏电现象的半导体组件制造工艺
[CHL01-047-201] 高压互补式金氧半导体的制造方法
[CHL01-047-202] 制作快闪存储器的方法
[CHL01-047-203] 罩幕式只读存储器的制造方法
[CHL01-047-204] 非挥发性存储器的抹除方法
[CHL01-047-205] 半导体芯片的高散热微小封装体
[CHL01-047-206] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-047-207] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-047-208] 借由ITO走线设计改善静电防护方法
[CHL01-047-209] 具有静电放电防护的封装基板
[CHL01-047-210] 输入保护电路
[CHL01-047-211] 开口式多芯片堆叠封装体
[CHL01-047-212] 带有效期限的功能利用装置和半导体集成电路
[CHL01-047-213] 具有形成在多层布线结构中电容器的半导体器件
[CHL01-047-214] 高K介质膜及其制造方法
[CHL01-047-215] 电容元件及其制造方法
[CHL01-047-216] 具记忆胞元排列之半导体内存
[CHL01-047-217] 半导体存储器
[CHL01-047-218] 薄膜半导体器件及液晶显示器
[CHL01-047-219] 基板装置及其制造方法、电光装置以及电子设备