站内编号   专利名称
[CHL01-046-001] 固体摄像装置及其制造方法
[CHL01-046-002] 半导体器件的结构及其制造方法
[CHL01-046-003] 包括氮化层的半导体器件
[CHL01-046-004] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-005] 硅纳米线阵列太阳能转换装置
[CHL01-046-006] 发光二极管封装结构及其方法
[CHL01-046-007] 氮化物基的半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-046-008] 半导体发光元件，其制造方法及安装方法
[CHL01-046-009] 磁性隧道结器件及存储器阵列
[CHL01-046-010] 硫化氢半导体传感器气敏元件的制造方法
[CHL01-046-011] 有机半导体器件
[CHL01-046-012] 剥离方法
[CHL01-046-013] 晶片的制造方法和粘接带
[CHL01-046-014] 用于去除微粒的装置
[CHL01-046-015] 一种修正线型薄膜层末端紧缩效应的方法
[CHL01-046-016] 光掩模、光掩模的制造方法和电子元件的制造方法
[CHL01-046-017] 激光光源控制法及其装置、曝光法及其设备和器件制造法
[CHL01-046-018] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-046-019] 利用高能量全面离子植入法的硅晶圆去疵方法
[CHL01-046-020] 半导体器件的制造方法和退火装置
[CHL01-046-021] 快速能量传输回火装置及方法
[CHL01-046-022] 液相外延制备铁电厚膜的方法
[CHL01-046-023] 噪声屏蔽型多层衬底及其制造方法
[CHL01-046-024] 半导体功率元件装置及其封装方法
[CHL01-046-025] 半导体芯片安装设备和安装方法
[CHL01-046-026] 用于在电线端部形成线球的带有电极的装置
[CHL01-046-027] 结晶薄膜品质监控系统及方法
[CHL01-046-028] 集成电路的商标位置检测装置
[CHL01-046-029] 测试光掩模、光斑评估方法以及光斑补偿方法
[CHL01-046-030] 带有整体式力传感器的夹紧元件
[CHL01-046-031] 一种分割一半导体集成电路图案的方法
[CHL01-046-032] 同层形成上层熔丝的半导体及其制造方法
[CHL01-046-033] 接触窗的制造方法
[CHL01-046-034] 在半导体器件中形成铜引线的方法
[CHL01-046-035] 抑制分闸快闪存储单元位元线漏电流的方法
[CHL01-046-036] 形成屏蔽式只读存储器中的金属硅化物的方法
[CHL01-046-037] 屏蔽式只读存储器的制造方法
[CHL01-046-038] 可应用自动对准金属硅化物的屏蔽式只读存储器的制造方法
[CHL01-046-039] 自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法
[CHL01-046-040] 一种返工救回集成电路组件的作业方法
[CHL01-046-041] 晶片封装基板
[CHL01-046-042] 冷却装置、电子设备、显示单元和生产冷却装置的方法
[CHL01-046-043] 冷却装置、电子设备和音响设备、及制造冷却装置的方法
[CHL01-046-044] 具有吸附式制冷机的冷却系统
[CHL01-046-045] 电路元件，电路元件组件，电路元件内置模块及其制造方法
[CHL01-046-046] 形成半导体器件及其结构的方法
[CHL01-046-047] 超薄堆叠构装元件
[CHL01-046-048] 半导体装置
[CHL01-046-049] 半导体装置及其制造方法、光电装置和电子仪器
[CHL01-046-050] 半导体集成电路
[CHL01-046-051] 组合静态随机存取存储器和掩模只读存储器存储单元
[CHL01-046-052] 具有在存储单元上方形成的信号布线线路的半导体存储器件
[CHL01-046-053] 半导体存储器件及使用侧壁间隔层的半导体存储器件的制造方法
[CHL01-046-054] 基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
[CHL01-046-055] 具有存储区域和外围区域的半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-046-056] 非易失性静态随机存取存储器存储单元
[CHL01-046-057] 沟槽式屏蔽只读存储器存储单元的构造及其制造方法
[CHL01-046-058] 影像感测器微透镜组、影像感测器及其制造方法
[CHL01-046-059] 固体摄像元件
[CHL01-046-060] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-061] 太阳电池自动封装机构
[CHL01-046-062] 半导体器件及包括该半导体器件的光学器件
[CHL01-046-063] 有机发光二极管显示器
[CHL01-046-064] 有机发光二极管的制造方法
[CHL01-046-065] 改善有机发光二极管的阳极表面粗糙度的方法
[CHL01-046-066] 发光器件
[CHL01-046-067] 发光二极管光出射侧的P电极结构
[CHL01-046-068] 一种硅纳米线的制作方法
[CHL01-046-069] 形成半导体器件的方法及其结构
[CHL01-046-070] 具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-071] 一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法
[CHL01-046-072] 金属层间介电结构
[CHL01-046-073] 减少铜导线龟裂与变形的方法
[CHL01-046-074] 全自动对准工艺制备晶体管的方法
[CHL01-046-075] 倒装片组装的底层填充封胶处理及其装置
[CHL01-046-076] 引线键合方法以及凸点形成方法和凸点
[CHL01-046-077] 压焊方法和压焊装置
[CHL01-046-078] 简易升级型高容量式半导体晶片测试装置
[CHL01-046-079] 半导体晶体基片的评价方法
[CHL01-046-080] 同心圆对准装置
[CHL01-046-081] 半导体组件中电容器的制备方法
[CHL01-046-082] 半导体集成电路器件的设计方法及设计装置
[CHL01-046-083] 氮化硅只读存储元件的操作方法
[CHL01-046-084] 散热器及其制作方法
[CHL01-046-085] 一种适应于高热流均温散热的换热技术
[CHL01-046-086] 半导体器件
[CHL01-046-087] 集成电路和分层引线框封装
[CHL01-046-088] 具有金属-金属电容器的集成电路的结构及其形成方法
[CHL01-046-089] 半导体存储元件及其操作方法以及半导体内存数组
[CHL01-046-090] 非破坏性读出铁电不挥发多态数据存储方式及其存储单元
[CHL01-046-091] 非易失半导体存储装置
[CHL01-046-092] 以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法
[CHL01-046-093] 具有高度结构可靠性和低寄生电容的半导体器件
[CHL01-046-094] 新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺
[CHL01-046-095] 发电系统和发电装置
[CHL01-046-096] 表面黏着发光二极管的封装结构及其制造方法
[CHL01-046-097] 发光二极管结构
[CHL01-046-098] 一种制作白光发光二极管的方法
[CHL01-046-099] 表面发射型发光二极管及其制造方法
[CHL01-046-100] 发光元件及其制造方法
[CHL01-046-101] 层叠型压电部件的制造方法及层叠型压电部件
[CHL01-046-102] 半导体结构及形成具有缩小间距的晶体管的方法
[CHL01-046-103] 清除聚合物的方法以及用于清除聚合物的装置
[CHL01-046-104] 在半导体基底上形成光阻层的方法
[CHL01-046-105] 半导体器件的图案形成方法及半导体器件
[CHL01-046-106] 图形转印用光掩模的图形布局方法及图形转印用光掩模
[CHL01-046-107] 缩小导体图案的间距的方法及使用此方法形成的结构
[CHL01-046-108] 制备深亚微米栅的方法
[CHL01-046-109] 半导体器件的制造方法
[CHL01-046-110] 高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法
[CHL01-046-111] 高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法
[CHL01-046-112] 形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法
[CHL01-046-113] 增进晶圆清洗效率与改善工艺合格率的方法
[CHL01-046-114] 化学机械研磨设备
[CHL01-046-115] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-116] 半导体器件的制造方法
[CHL01-046-117] 制造具有双重间隔壁半导体器件的方法
[CHL01-046-118] 形成硅化钴的方法和装置组及具有该硅化钴的半导体元件
[CHL01-046-119] 硅高速半导体开关器件制造方法
[CHL01-046-120] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-046-121] 栅极结构与主动区的重叠偏移量的测量方法
[CHL01-046-122] 引线框架、使用了它的半导体器件的制造方法
[CHL01-046-123] 半导体器件处理机中的测试温度偏差补偿装置
[CHL01-046-124] 用于半导体器件处理机的具有载体组件的测试托盘
[CHL01-046-125] 形成接触窗的方法
[CHL01-046-126] 集成电路，系统开发方法，和数据处理方法
[CHL01-046-127] 氮化硅只读存储器的制造方法
[CHL01-046-128] 闪存元件的制造方法
[CHL01-046-129] 半导体封装件用插座
[CHL01-046-130] 用于半导体器件的插座
[CHL01-046-131] 共用片上去耦电容器和散热器
[CHL01-046-132] 微射流阵列冷却热沉
[CHL01-046-133] 半导体封装制造方法及其封装件
[CHL01-046-134] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-135] 半导体器件和半导体器件的制造方法
[CHL01-046-136] 半导体装置与半导体装置的制造方法
[CHL01-046-137] 半导体器件
[CHL01-046-138] 半导体装置
[CHL01-046-139] 静电放电保护元件
[CHL01-046-140] 模块式三次元芯片层叠构装
[CHL01-046-141] 半导体存储模件
[CHL01-046-142] 并行光互连集成电路芯片
[CHL01-046-143] 半导体存储器
[CHL01-046-144] 半导体器件
[CHL01-046-145] 固体摄像装置及其制造方法
[CHL01-046-146] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-147] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-148] 多层电池、特别是液晶显示电池或电化学光电池
[CHL01-046-149] 用于制造太阳能电池的纤维和窄带材
[CHL01-046-150] 提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
[CHL01-046-151] 光电元件部件
[CHL01-046-152] 半导体发光器件
[CHL01-046-153] 高温超导材料本征结的制备方法
[CHL01-046-154] 压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法、喷墨式记录装置
[CHL01-046-155] 两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法
[CHL01-046-156] 接触孔图案化用的明场图像反转
[CHL01-046-157] 曝光设备、曝光法及器件制造法
[CHL01-046-158] 膜评价方法、温度测定方法及半导体装置的制造方法
[CHL01-046-159] 具有防湿结构的密封管芯封装上的直接组合层
[CHL01-046-160] 基板和制造该基板的方法
[CHL01-046-161] 高频模件板装置
[CHL01-046-162] 减少微电子封装中芯片拐角和边缘应力的结构与工艺
[CHL01-046-163] 具有破解保护的集成电路配置及制造该配置的方法
[CHL01-046-164] 模块部件
[CHL01-046-165] 半导体器件的制造
[CHL01-046-166] 半导体装置和通信系统用机器
[CHL01-046-167] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-168] 发光装置及其制造方法
[CHL01-046-169] 半导体发光元件、图像显示装置及照明装置及其制造方法
[CHL01-046-170] 氮化物半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-171] 用于半导体制造装置的控制系统
[CHL01-046-172] 用于提高光刻胶附着的无定形碳层
[CHL01-046-173] 半导体制造装置的净化方法和半导体器件的制造方法
[CHL01-046-174] 基片缺陷修补装置
[CHL01-046-175] 用于P-型SiC的电极
[CHL01-046-176] 用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n-电极
[CHL01-046-177] 基片加工方法
[CHL01-046-178] 抛光布,抛光装置和半导体设备的制备方法
[CHL01-046-179] 用于制造互连结构的方法和装置
[CHL01-046-180] 半导体晶片检查设备
[CHL01-046-181] 制造含有粘接于-目标基片上的-薄层的-叠置结构的方法
[CHL01-046-182] 具有改进的静电放电耐压的半导体装置
[CHL01-046-183] 具有无镓层的III族氮化物发光器件
[CHL01-046-184] 辐射芯片
[CHL01-046-185] 压电执行元件
[CHL01-046-186] 电阻加热一热处理系统用的装置和方法
[CHL01-046-187] 具有高介电常数材料的半导体结构
[CHL01-046-188] 光学单元、曝光设备和器件制造法
[CHL01-046-189] 半导体装置的制造方法
[CHL01-046-190] 集成电路电感器结构以及非破坏性蚀刻深度测量
[CHL01-046-191] 具有开凹槽的栅极的FET及其制造方法
[CHL01-046-192] 硅中浅槽隔离层的形成方法
[CHL01-046-193] 一种用于改善对静电放电断电的保护的带有可变宽度金属条的二极管
[CHL01-046-194] 经降低线间电容及串话噪声的半导体器件
[CHL01-046-195] 包含有机层的发光元件
[CHL01-046-196] 聚合物设备的固态压花
[CHL01-046-197] 高电压自定位MOS元件的集成
[CHL01-046-198] 研磨状况监视方法及其装置、研磨装置、半导体器件制造方法、以及半导体器件
[CHL01-046-199] 研磨装置及半导体器件的制造方法
[CHL01-046-200] 在衬底中的大高宽比部件的蚀刻
[CHL01-046-201] 源侧硼注入的非易失存储器
[CHL01-046-202] 双扩散型金氧半导体晶体管的制造方法
[CHL01-046-203] 电子线路装置及其制造方法
[CHL01-046-204] 纳米电子器件
[CHL01-046-205] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-046-206] GaN基的半导体元件的制造方法
[CHL01-046-207] 光电子元件及其制造方法、具有许多光电子元件的组件和具有这样一个组件的装置
[CHL01-046-208] 在Ⅲ-V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的...
[CHL01-046-209] 压电功能部件及其制造方法
[CHL01-046-210] 半导体制程机台
[CHL01-046-211] 半导体装置的制造方法
[CHL01-046-212] 图形形成材料、水溶性材料及图形形成方法
[CHL01-046-213] 形成凹槽栅极轮廓的方法
[CHL01-046-214] 形成接触孔的方法
[CHL01-046-215] 利用复合控制模式的研浆流量控制方法及系统
[CHL01-046-216] 介电层的制造方法
[CHL01-046-217] 定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法
[CHL01-046-218] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-046-219] 激光处理方法