站内编号 专利名称
[CHL01-043-001] 半导体器件
[CHL01-043-002] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-043-003] 无晶体管结崩溃效应的电位转换电路
[CHL01-043-004] 输出特性可变型半导体集成电路装置
[CHL01-043-005] 存储器结构
[CHL01-043-006] 非易失半导体存储器及其制造方法
[CHL01-043-007] 多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-043-008] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-043-009] 具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法
[CHL01-043-010] 用于发白光二极管的燐光体和发白光二极管
[CHL01-043-011] 以氮化镓为基底的半导体发光装置
[CHL01-043-012] 用于发光二极管的基片
[CHL01-043-013] 第Ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法
[CHL01-043-014] 晶片保护装置
[CHL01-043-015] 处理半导体设备变更制造流程属性的方法
[CHL01-043-016] LSI掩模制造系统、LSI掩模制造方法及LSI掩模制造程序
[CHL01-043-017] 改进微距一致性的方法
[CHL01-043-018] 细微图案形成方法
[CHL01-043-019] 形成抗蚀图的方法
[CHL01-043-020] 制造Ⅲ-V族化合物半导体的方法
[CHL01-043-021] 制作多晶硅薄膜的方法
[CHL01-043-022] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-043-023] 一种改善化学机械抛光不均匀度的方法
[CHL01-043-024] 用于制造半导体器件的强声波清洗设备
[CHL01-043-025] 具有高选择比的平坦化方法
[CHL01-043-026] 具有浮动阻隔环的化学机械研磨头
[CHL01-043-027] 基板处理装置
[CHL01-043-028] 化学机械抛光装置及其控制方法
[CHL01-043-029] 减少反应室杂质含量的方法
[CHL01-043-030] 能评价工艺性能的等离子体处理装置
[CHL01-043-031] 减少废气排放量的蚀刻方法
[CHL01-043-032] 形成含钛黏着层的方法
[CHL01-043-033] 半导体装置的制造方法
[CHL01-043-034] 电镀金属退火的方法
[CHL01-043-035] 深次微米MOS装置及其制造方法
[CHL01-043-036] 高电流离子植入机的监控芯片与用其监控充电现象的方法
[CHL01-043-037] 改进的光学玻璃制程方法
[CHL01-043-038] 电子器件制造装置、电子器件的制造方法以及电子器件的制造程序
[CHL01-043-039] 电子器件制造装置、电子器件的制造方法以及电子器件的制造程序
[CHL01-043-040] 电子器件的制造装置、制造方法以及制造程序
[CHL01-043-041] 膜状粘合剂的粘贴装置
[CHL01-043-042] 包含等离子体测量装置的等离子体设备
[CHL01-043-043] 表面检查方法及表面检查装置
[CHL01-043-044] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-045] 使用双波纹技术制造半导体器件的方法
[CHL01-043-046] 具有开口部的半导体装置的制造方法
[CHL01-043-047] 减少非挥发性内存的电荷流失的方法
[CHL01-043-048] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-049] 半导体装置的制造方法
[CHL01-043-050] 半导体装置的制造方法
[CHL01-043-051] 半导体存储元件的制造方法
[CHL01-043-052] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-053] 半导体装置及其制造方法、电光学装置、电子机器
[CHL01-043-054] 半导体装置，图像读取组件及图像形成装置
[CHL01-043-055] 用于在其上安装电子器件的膜片承载带及其制造方法
[CHL01-043-056] 电子元件的侧吹式散热鳍片组合
[CHL01-043-057] 制作封装输出输入端点的方法以及其结构
[CHL01-043-058] 半导体芯片封装体
[CHL01-043-059] 一种静电放电保护电路
[CHL01-043-060] 利用双接面晶体管的静电放电防护电路
[CHL01-043-061] 三维存储器之设计
[CHL01-043-062] 一种铁电单管锁存结构以及嵌入式不挥发逻辑集成电路
[CHL01-043-063] 半导体集成电路
[CHL01-043-064] 半导体存储器
[CHL01-043-065] 半导体存储装置及其驱动方法
[CHL01-043-066] 强电介质存储装置
[CHL01-043-067] 虚拟接地架构的闪存
[CHL01-043-068] 半导体器件和采用该半导体器件的半导体存储器
[CHL01-043-069] 包含沟槽式电容的半导体装置及其制造方法
[CHL01-043-070] 半导体存储装置
[CHL01-043-071] 平面环绕栅极快闪存储单元的结构及其制造方法
[CHL01-043-072] 具高介电物质的硅/氧化物/氮化物/氧化物/硅器件架构
[CHL01-043-073] 有内置光接收元件的半导体器件、制造方法及光学拾波器
[CHL01-043-074] 一种双极型晶体管及应用它的半导体装置
[CHL01-043-075] 电荷耦合器件及其制造方法
[CHL01-043-076] 半导体器件及晶体管的短信道效应最小化的方法
[CHL01-043-077] 在杂质扩散区之间具有减小的寄生电容的半导体器件
[CHL01-043-078] 太阳能电池模块
[CHL01-043-079] Ⅲ族氮化物发光二极管及其制造方法
[CHL01-043-080] 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法
[CHL01-043-081] 树脂封装型LED光源
[CHL01-043-082] 热电模块
[CHL01-043-083] 采用电泳技术制备大面积高温超导钡钇铜氧厚膜的方法
[CHL01-043-084] 压电元件及其制造方法
[CHL01-043-085] 可调电容器及其制造方法
[CHL01-043-086] 音叉型压电振荡片及其制造方法，压电器件
[CHL01-043-087] 畴控制压电单晶元件及其制造方法
[CHL01-043-088] 压电器件与其盖密封方法、盖密封装置、利用压电器件的便携电话装置及利用压电...
[CHL01-043-089] 集成电路装置及神经元
[CHL01-043-090] 增加模拟/数字转换芯片合格率的方法及其产品
[CHL01-043-091] 形成混合性抗反射层的方法
[CHL01-043-092] 半导体元件及其制造方法
[CHL01-043-093] 半导体制造系统及其制程程序控制方法
[CHL01-043-094] 半导体装置和电光学装置
[CHL01-043-095] 半导体装置以及其制造方法、电光学装置和电子机器
[CHL01-043-096] 订货者可靠地选择接受订货者用的选择方法
[CHL01-043-097] 可缩短光掩模制造周期的光掩模供给系统
[CHL01-043-098] 防止气体逆流的转接器及方法
[CHL01-043-099] 包含剂量效应的离子注入高速模拟方法
[CHL01-043-100] 在半导体器件中形成接触插塞的方法
[CHL01-043-101] 使用动态计算工艺参数的研磨方法
[CHL01-043-102] 基板处理装置
[CHL01-043-103] 在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法
[CHL01-043-104] 石英玻璃喷镀部件及其制造方法
[CHL01-043-105] 制造半导体器件的方法和设备
[CHL01-043-106] 阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法
[CHL01-043-107] 形成阻障层的方法
[CHL01-043-108] 半导体热处理用反射板和该半导体热处理用反射板的制造方法
[CHL01-043-109] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-110] 金氧半晶体管的自对准硅化物的制备方法
[CHL01-043-111] 记忆体封装方法及其装置
[CHL01-043-112] 集成电路结构表面涂覆金属的方法
[CHL01-043-113] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-114] 用于制造具有分布在其表面内的金属的模制树脂件的方法
[CHL01-043-115] 视图特性的测试方法及装置
[CHL01-043-116] 用以量测表面介电常数的探针及其量测方法
[CHL01-043-117] 接触器、制造此接触器的方法、以及使用此接触器的测试方法
[CHL01-043-118] 半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器...
[CHL01-043-119] 集成电路制造的推拉双向式派工方法
[CHL01-043-120] 一种改善浅槽隔离可靠度的方法
[CHL01-043-121] 浅槽隔离的方法
[CHL01-043-122] 制造铜镶嵌结构的方法
[CHL01-043-123] 在半导体装置中形成金属互连层的方法
[CHL01-043-124] 制造半导体器件的方法
[CHL01-043-125] 基于模块变形的集成电路宏模块布图规划和布局方法
[CHL01-043-126] 在铜镶嵌制程中制作MIM电容器的方法
[CHL01-043-127] 使用双轨电源供应的互补式金氧半晶体管组成的基本标准组件布局
[CHL01-043-128] 半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法
[CHL01-043-129] 自对准可编程相变存储器件及其制造方法
[CHL01-043-130] 改善非挥发性存储单元可靠度的方法及其结构
[CHL01-043-131] 一种降低快闪存储器随机位故障的方法
[CHL01-043-132] 非易失存储单元的抹除方法
[CHL01-043-133] 非易失存储单元的读取方法
[CHL01-043-134] 沟道式编码植入的罩幕式只读存储器的制作方法
[CHL01-043-135] 只读存储器的制造方法
[CHL01-043-136] 罩幕式只读存储器的结构及其制造方法
[CHL01-043-137] 电路基板和电子机器，以及其制造方法
[CHL01-043-138] 内装半导体的毫米波段模块
[CHL01-043-139] 半导体器件
[CHL01-043-140] 适用于接合垫与检测垫的金属垫结构
[CHL01-043-141] 一种集成电路的金属焊垫及其制作方法
[CHL01-043-142] 具有铜布线的半导体器件
[CHL01-043-143] 具有高触发电流的静电放电防护电路
[CHL01-043-144] 树脂模制型器件及其制造装置
[CHL01-043-145] 用以抑制电感Q值下降的电感式结构
[CHL01-043-146] 滤波器芯片和滤波器设备
[CHL01-043-147] 半导体集成电路装置
[CHL01-043-148] 半导体集成电路器件及其制造方法
[CHL01-043-149] 金属-绝缘物-金属电容的集成电路装置及其制作方法
[CHL01-043-150] 非挥发性存储器及其制造方法
[CHL01-043-151] 一种存储装置及其护层形成方法
[CHL01-043-152] 半导体存储装置及其制造方法
[CHL01-043-153] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-043-154] 存储器结构
[CHL01-043-155] 存储器结构
[CHL01-043-156] 半导体存储器及向半导体存储元件的电压施加方法
[CHL01-043-157] 一种具有电子俘获擦除状态的非易失半导体存储单元及其操作方法
[CHL01-043-158] 半导体存储装置
[CHL01-043-159] 遮罩式只读存储器
[CHL01-043-160] 快闪存储单元的结构及其制造方法
[CHL01-043-161] 非挥发性只读存储器及其制造方法
[CHL01-043-162] 对虚拟接地非易失内存阵列编程而不干扰相邻单元的设备及方法
[CHL01-043-163] 图象拾取装置的制造方法
[CHL01-043-164] 半导体器件的制造方法
[CHL01-043-165] 场效应晶体管及其应用器件
[CHL01-043-166] 半导体器件
[CHL01-043-167] 光半导体器件
[CHL01-043-168] 发光二极管的结构及其制造方法
[CHL01-043-169] 分层半导体衬底和光学半导体元件
[CHL01-043-170] 用于相变介质存储装置的低热耗小接触面积复合电极
[CHL01-043-171] 晶圆辨识标号的制作方法
[CHL01-043-172] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-043-173] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-043-174] 复合光致抗蚀剂层结构
[CHL01-043-175] 半导体元件的线的制造方法
[CHL01-043-176] 定义低介电常数介电层的方法
[CHL01-043-177] 用以制造半导体装置的化学气相沉积设备的喷头
[CHL01-043-178] 三维取向氧化锌薄膜的制备方法
[CHL01-043-179] 制作双栅极结构的方法
[CHL01-043-180] 在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法
[CHL01-043-181] 形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法
[CHL01-043-182] 一种高介电栅介质及其制备方法
[CHL01-043-183] 等离子加工方法和设备及用于等离子加工的托架
[CHL01-043-184] 具有防水窗口的研磨垫
[CHL01-043-185] 半导体圆片清洗设备
[CHL01-043-186] 实现单面抛光的双面无蜡抛光方法
[CHL01-043-187] 液体处理装置和液体处理方法
[CHL01-043-188] 一种含硅低介电常数材料刻蚀后的预清洗工艺
[CHL01-043-189] 气相有机材料沉积方法和使用该方法的气相有机材料沉积设备
[CHL01-043-190] 用高温氧化方法制备透明低阻/高阻复合膜
[CHL01-043-191] 在单面柔性基板背面形成凸点的方法
[CHL01-043-192] 影像感测器封装方法
[CHL01-043-193] 制造陶瓷芯片封装的方法
[CHL01-043-194] 利用图案化金属结构增加氮化硅表面粘着度的方法
[CHL01-043-195] 翻面芯片以焊蜡球及焊蜡柱加层次性之下层填充结合在基底上
[CHL01-043-196] 基于电路静态时延特性的冒险检测和消除方法
[CHL01-043-197] 可降低微粒污染的真空吸引装置
[CHL01-043-198] 利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法
[CHL01-043-199] 具有沟槽电容的半导体的制造方法
[CHL01-043-200] 形成隔离元件时消除应力与损伤的方法
[CHL01-043-201] 形成具有低应力无侵蚀区的浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法
[CHL01-043-202] IC浅沟渠隔绝的方法
[CHL01-043-203] 形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构
[CHL01-043-204] 形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法
[CHL01-043-205] 具有规则镶嵌构造轮廓的制造方法
[CHL01-043-206] 一种具有并行结构的大规模数字电路最大功耗估计方法
[CHL01-043-207] 闪存结构及其制作方法
[CHL01-043-208] 使用源极沟渠的分离栅极式快闪存储器元件制作方法
[CHL01-043-209] P型氮化硅只读存储器器件的初始化方法
[CHL01-043-210] 电光装置、半导体装置及它们的制造方法和投影装置与电器
[CHL01-043-211] 应用于半导体晶片的双封闭护环结构
[CHL01-043-212] 半导体器件
[CHL01-043-213] 保护接触垫下元件的网目图案介层及结构
[CHL01-043-214] 内存储存节点及其制造方法
[CHL01-043-215] 半导体器件中的布线结构
[CHL01-043-216] 低阻抗去耦装置
[CHL01-043-217] 双向过电压与静电放电防护装置
[CHL01-043-218] 连接焊垫与静电放电保护电路的电路结构
[CHL01-043-219] 半导体装置
