站内编号   专利名称
[CHL01-031-001] 集成电路封装及其制作工艺
[CHL01-031-002] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-031-003] 半导体封装件和半导体封装件的安装方法
[CHL01-031-004] 交叉堆叠式双芯片封装装置及制造方法
[CHL01-031-005] 互补双极晶体管及其制造方法
[CHL01-031-006] 互补双极晶体管及其制造方法
[CHL01-031-007] 非挥发性记忆装置及其制造方法
[CHL01-031-008] 非挥发性存储单元装置及其操作方法和制造方法
[CHL01-031-009] 一种基于AIxGa1－xN/...
[CHL01-031-010] 平板显示器及其制造方法
[CHL01-031-011] 平板显示器及其制造方法
[CHL01-031-012] 具有分级基区的横向晶体管,半导体集成电路及制造方法
[CHL01-031-013] 互补双极晶体管及其制造方法
[CHL01-031-014] 射频(RF)放大器电路
[CHL01-031-015] 有机发光二极管及其制造方法
[CHL01-031-016] 发光二级管芯片的封装及其聚光透镜
[CHL01-031-017] 用于膜淀积的方法和设备
[CHL01-031-018] 发光装置
[CHL01-031-019] 发光设备和使用该发光设备的显示装置
[CHL01-031-020] 发光器件和使用该器件的发光设备
[CHL01-031-021] 利用表面活化剂对自旋阀改性的方法
[CHL01-031-022] 回收芯片的清洗方法
[CHL01-031-023] 液体输入输出控制装置及方法
[CHL01-031-024] Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺
[CHL01-031-025] 生长GaN晶体基片的方法和GaN晶体基片
[CHL01-031-026] 光罩组结构与微影制程
[CHL01-031-027] 半导体器件的制造方法
[CHL01-031-028] 改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法
[CHL01-031-029] 闪存中浮置栅极的制造方法
[CHL01-031-030] 具有双重栅极氧化物层的半导体组件的制造方法
[CHL01-031-031] 自动对准接触窗开口的制造方法
[CHL01-031-032] 在半导体中形成漏斗形介层窗的方法
[CHL01-031-033] 减少等离子体工艺所致微粒物质污染的方法与装置
[CHL01-031-034] 高高宽比开口的蚀刻方法
[CHL01-031-035] 等离子体对III－V族化合物的干法刻蚀系统及刻蚀方法
[CHL01-031-036] 具有低介电常数的高热导层的半导体组件的制造方法
[CHL01-031-037] 一种不同厚度栅极氧化层的制造方法
[CHL01-031-038] 一种内金属介电层结构及其形成方法
[CHL01-031-039] 一种不同厚度氧化层的制造方法
[CHL01-031-040] 垫高源/漏极区的半导体组件制造方法
[CHL01-031-041] 晶片、密封装置、金属模和浇口及半导体器件的制造方法
[CHL01-031-042] 信道热载流子效应测量装置及其方法
[CHL01-031-043] 内建有老化电路的芯片及其老化电路和老化方法
[CHL01-031-044] 半导体存储器元件测试结构及其装置和测试方法
[CHL01-031-045] 可扩充频道的半导体多管芯测试系统及方法
[CHL01-031-046] 具自动辨识功能的半导体多管芯测试系统
[CHL01-031-047] 薄膜的膜厚监控方法和基板温度测定方法
[CHL01-031-048] 一种载带封装处理器
[CHL01-031-049] 动态随机存储器电容器的制造方法
[CHL01-031-050] 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层...
[CHL01-031-051] 一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触方法
[CHL01-031-052] 双重金属镶嵌结构的制造方法
[CHL01-031-053] 产生金属层虚拟图案的方法
[CHL01-031-054] 改善分离栅极式闪存氧化层品质的方法
[CHL01-031-055] 分离栅极式闪存的制造方法
[CHL01-031-056] 双金属栅极互补金属氧化物半导体器件及其加工方法
[CHL01-031-057] 自我对准分离式栅极非挥发性存储单元及其制造方法
[CHL01-031-058] 一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法
[CHL01-031-059] 快闪参考存储单元的制造方法
[CHL01-031-060] 动态随机存储器单元的模块化集成电路的方法
[CHL01-031-061] 嵌入式动态随机存储器的制造方法
[CHL01-031-062] 具有自行对准金属硅化物组成单位的罩幕式只读存储器的制造方法
[CHL01-031-063] 布线和制造布线的方法以及布线板和制造布线板的方法
[CHL01-031-064] 静电放电保护装置
[CHL01-031-065] 高触发电流的硅控整流器电路
[CHL01-031-066] 低伏触发的静电放电保护电路
[CHL01-031-067] 静电放电保护半导体装置
[CHL01-031-068] 可控硅整流装置和实现静电放电保护及抗闩锁的方法
[CHL01-031-069] 低漏电流的静电放电防护电路
[CHL01-031-070] 具有优良静电放电防护效果的输出缓冲器
[CHL01-031-071] 具有扁平电极和与其直接接触的突起电极的半导体器件
[CHL01-031-072] 半导体器件
[CHL01-031-073] 可读存储介质和电路部件验证及集成电路装置的制造方法
[CHL01-031-074] 互补金属氧化物半导体输出电路
[CHL01-031-075] 凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法
[CHL01-031-076] 非挥发性内存控制电路及其控制方法
[CHL01-031-077] 电光基板装置及其制造方法、电光装置、电子装置基板装置的制造方法
[CHL01-031-078] 具有光学隔离结构的发光二极管阵列及其制作方法
[CHL01-031-079] 高效率封装光电元件及其封装方法
[CHL01-031-080] 高效率光电元件及其形成方法
[CHL01-031-081] 第Ⅲ族元素氮化物层的单步骤悬挂和侧向外延过生长
[CHL01-031-082] 用于电可擦可编程只读存储器的高温氧化物沉积方法
[CHL01-031-083] 制造具有减反射膜的半导体存储装置的方法
[CHL01-031-084] 带凹槽栅极的晶体管
[CHL01-031-085] 静态随机存取存储器(SRAM)
[CHL01-031-086] 薄膜晶体管、其制造方法以及使用它的液晶装置
[CHL01-031-087] 至少带有一个电容器的集成电路装置及其制造制作方法
[CHL01-031-088] 转印掩模用基板、转印掩模及转印掩模的制造方法
[CHL01-031-089] 内置电元件的组件及其制造方法
[CHL01-031-090] 半导体器件及其制造方法、电路基板和电子装置
[CHL01-031-091] 带可编程存储器单元的集成电路
[CHL01-031-092] 基于发光二极管的发射白光的照明设备
[CHL01-031-093] 分部结构及其形成方法
[CHL01-031-094] 用于超大规模集成电路的经硅氧烷聚合物处理的微孔二氧化硅
[CHL01-031-095] 用于旋转蚀刻平面化的组合物与方法
[CHL01-031-096] 铜沉淀方法
[CHL01-031-097] 将平面外电极安装到压电陶瓷的多层执行元件上的方法
[CHL01-031-098] 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法
[CHL01-031-099] 多重剂量分区曝光光刻工艺方法
[CHL01-031-100] 制造Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的方法和系统及Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体
[CHL01-031-101] 铱－钽－氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法
[CHL01-031-102] 清洗半导体晶片的方法及其所采用的清洗系统
[CHL01-031-103] 高压处理装置和方法
[CHL01-031-104] 薄膜沉积与平坦化工艺
[CHL01-031-105] 半导体装置的制造方法
[CHL01-031-106] 电路板,半导体装置制造方法,及电镀系统
[CHL01-031-107] 叠层式半导体器件的制造方法
[CHL01-031-108] 形成倒装式半导体封装的方法
[CHL01-031-109] 形成倒装芯片式半导体封装的方法及其半导体封装和衬底
[CHL01-031-110] 树脂封装系统
[CHL01-031-111] 带导电体的粘接板、半导体装置的制造方法及半导体装置
[CHL01-031-112] 时间相依介电崩溃测试电路及测试方法
[CHL01-031-113] 电压测量方法,电测试方法和装置,半导体器件制造方法和器件衬底制造方法
[CHL01-031-114] 用于半导体集成电路的调试系统
[CHL01-031-115] 半导体器件的隔离方法
[CHL01-031-116] 集成电路研磨平坦化的方法
[CHL01-031-117] 利用硒化晶片接合的用于原子分辨率存储移动器的加工方法
[CHL01-031-118] 利用硒化晶片接合的用于原子分辨率存储移动器的加工方法
[CHL01-031-119] 具散热结构的半导体封装件
[CHL01-031-120] 高密度集成电路构装结构及其方法
[CHL01-031-121] 不具防焊膜的集成电路构装结构及其方法
[CHL01-031-122] 覆晶构装基板
[CHL01-031-123] 覆晶芯片及覆晶构装基板
[CHL01-031-124] 散热片稳定片
[CHL01-031-125] 键合区
[CHL01-031-126] 一种可编程多芯片模块的弹性组合插槽
[CHL01-031-127] 经由通道写入及抹除的嵌入式快闪记忆胞及其制作方法
[CHL01-031-128] 半导体装置
[CHL01-031-129] 半导体集成电路
[CHL01-031-130] 快闪存储单元及其制造方法
[CHL01-031-131] 摄像装置
[CHL01-031-132] 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
[CHL01-031-133] 可提高发光效率的发光二极管
[CHL01-031-134] 具有短沟道的有机半导体器件
[CHL01-031-135] 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
[CHL01-031-136] 半导体晶片的剥离方法和装置以及半导体芯片的制造方法
[CHL01-031-137] 半导体器件的制造方法
[CHL01-031-138] 曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法
[CHL01-031-139] 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
[CHL01-031-140] 半导体器件栅凹槽与N＋凹槽自对准加工方法
[CHL01-031-141] 高压处理装置
[CHL01-031-142] 半导体装置及其制备方法
[CHL01-031-143] 除去氮化硅膜的方法
[CHL01-031-144] 氧化硅薄膜的沉积
[CHL01-031-145] 以离子注入形成抗穿通区的晶体管及其制造方法
[CHL01-031-146] 焊接工具、焊接台、焊接工具用前端部和焊接台用台部
[CHL01-031-147] 半导体装置的制造方法及半导体装置
[CHL01-031-148] 作用于晶片表面压力零件的压力分布测量与回馈方法
[CHL01-031-149] 机械手的驱动装置
[CHL01-031-150] 单片系统的设计校验方法和装置
[CHL01-031-151] 浅凹槽隔离结构的制造方法
[CHL01-031-152] 用磁力形成导体图案
[CHL01-031-153] 利用流体的相态转换的散热装置
[CHL01-031-154] 板式热管及其制造方法
[CHL01-031-155] 电脑CPU芯片散热器
[CHL01-031-156] 半导体器件
[CHL01-031-157] 高电流触发的静电放电防护电路
[CHL01-031-158] 半导体存储装置及其制造方法
[CHL01-031-159] 纳米金属氧化线单电子存贮单元
[CHL01-031-160] 强电介质存储器
[CHL01-031-161] 包含非易失性半导体存储装置的半导体集成电路装置
[CHL01-031-162] 固态摄像装置及其制作方法
[CHL01-031-163] 纳米金属氧化线单电子晶体管
[CHL01-031-164] 液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-031-165] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-031-166] 光敏电阻涂层沉淀工艺及设备
[CHL01-031-167] 导电膜形成方法,缺陷补偿方法、光电元件及其制造方法
[CHL01-031-168] 偏振可控光电子器件的制备方法
[CHL01-031-169] LED发光装置
[CHL01-031-170] 发光元件的制造方法、半导体激光器及其制造方法
[CHL01-031-171] 光源
[CHL01-031-172] 形成网状结构光阻层的方法
[CHL01-031-173] 一种同时形成硅化物和浅结的方法
[CHL01-031-174] 一种形成浅结的方法
[CHL01-031-175] 激光切割用粘结带
[CHL01-031-176] 基板处理方法及基板处理设备
[CHL01-031-177] 液相沉积法的单面生长与量产方法及装置
[CHL01-031-178] 一种新的底部抗反射薄膜结构
[CHL01-031-179] 一种光刻用无机抗反射膜SiON的表面处理方法
[CHL01-031-180] 半导体器件的制造方法
[CHL01-031-181] 晶片测试器的屏幕使用界面及前置处理方法
[CHL01-031-182] 半导体器件的测量、检查、制造方法及其检查装置
[CHL01-031-183] 下埋式微细金属连线的制造方法
[CHL01-031-184] 接触垫的制作方法
[CHL01-031-185] 形成半导体金属内连线的方法
[CHL01-031-186] 形成非挥发性记忆体的方法
[CHL01-031-187] 单一晶体非挥发性记忆体元件的制法
[CHL01-031-188] 半导体器件的制造方法
[CHL01-031-189] 深亚微米CMOS沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法
[CHL01-031-190] 具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法
[CHL01-031-191] 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
[CHL01-031-192] 制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法
[CHL01-031-193] 半导体器件
[CHL01-031-194] 半导体封装及其制造方法
[CHL01-031-195] 蒸发和冷凝制冷剂的冷却装置
[CHL01-031-196] 静电放电防护电路
[CHL01-031-197] 非易失性内存及其制作工艺
[CHL01-031-198] 由量子点组成的单电子存储器件及其制造方法
[CHL01-031-199] 具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
[CHL01-031-200] 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
[CHL01-031-201] 降低等离子损害的导流电路及半导体制造方法
[CHL01-031-202] 用于半导体生产设备的净化气
[CHL01-031-203] 半导体集成电路器件和多芯片模块的制造方法
[CHL01-031-204] 薄膜晶体管及其制造
[CHL01-031-205] 承座格距阵列连接器用的载台
[CHL01-031-206] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-031-207] 深亚微米互补型金属氧化半导体的交指形状多层电容器结构
[CHL01-031-208] 受光元件阵列
[CHL01-031-209] 一种用于LED装置的白光发射荧光材料共混物
[CHL01-031-210] 图案形成方法、用于该图案形成的曝光用的掩膜及其制造方法
[CHL01-031-211] 用于具有高热稳定性超浅结中的含铱硅化镍及其制法
[CHL01-031-212] 半导体电路用光掩模的订货方法
[CHL01-031-213] 一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置
[CHL01-031-214] 打磨工具和使用其的打磨方法及装置
[CHL01-031-215] 降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法
[CHL01-031-216] 动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
[CHL01-031-217] 以倒装片形式在基片上安装半导体芯片的装置
[CHL01-031-218] 半导体集成电路的不良检测方法和不良检测装置
[CHL01-031-219] 半导体元件的电容器及其制造方法