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[CHL01-030-001] 使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法
[CHL01-030-002] 将高阻值P型掺杂薄膜活化成低阻值P型掺杂薄膜的制造方法
[CHL01-030-003] 将高阻值P型薄膜活化成低阻值P型薄膜的制造方法
[CHL01-030-004] 使用雷射光降低P型薄膜阻值的活化方法
[CHL01-030-005] 半导体器件的制造方法
[CHL01-030-006] 多晶半导体层的制造方法及激光退火装置
[CHL01-030-007] 具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法
[CHL01-030-008] 半导体芯片装置及其封装方法
[CHL01-030-009] 晶圆打线成形金属凸块封装结构及其制作方法
[CHL01-030-010] 半导体器件的制造方法
[CHL01-030-011] 具薄膜基板的晶片封装组件
[CHL01-030-012] 于支持基片上安装芯片形成的半导体器件以及此支持基片
[CHL01-030-013] 可嵌入铸模的散热器、用该散热器的半导体器件及制造方法
[CHL01-030-014] 芯片散热封装结构及其制造方法
[CHL01-030-015] 半导体元件的导线贴带组装及其方法
[CHL01-030-016] 半导体元件的封装模组及其制程方法
[CHL01-030-017] 表面安装型片式半导体器件和制造方法
[CHL01-030-018] 具抗静电效应的光罩
[CHL01-030-019] 堆叠式影像感测器及其制造方法
[CHL01-030-020] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-030-021] 闪烁器面板、制造闪烁器面板方法、辐射探测装置及辐射探测系统
[CHL01-030-022] 发光器件及其制造方法
[CHL01-030-023] 用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的...
[CHL01-030-024] 半导体器件及其制备方法
[CHL01-030-025] 具有光学反射膜的发光二极管
[CHL01-030-026] 具有高透光率的发光二极管元件
[CHL01-030-027] 以散射光媒介作光变换的发光二极管
[CHL01-030-028] 发光器件,电子设备,和其制造方法
[CHL01-030-029] 发光二极管
[CHL01-030-030] 同轴柔性压电电缆的极化装置和极化方法
[CHL01-030-031] Si基Bi4Ti3O
[CHL01-030-032] 固体氧化物巨磁电阻材料的制备方法
[CHL01-030-033] 一种有机薄膜晶体管开关器件及制作方法
[CHL01-030-034] 制造肖特基变容二极管的方法
[CHL01-030-035] 存储单元装置
[CHL01-030-036] 在半导体制造过程中减少全氟化合物散发的方法和装置
[CHL01-030-037] 半导体器件的制造方法
[CHL01-030-038] 电子装置的制造系统
[CHL01-030-039] 碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备
[CHL01-030-040] 具有钌或氧化钌的半导体器件的制造方法
[CHL01-030-041] 半导体装置的制造方法
[CHL01-030-042] 基板端子结构、液晶装置和电子装置
[CHL01-030-043] 形成电容器元件的方法
[CHL01-030-044] 形成芯片保护膜的片材以及制造半导体芯片的方法
[CHL01-030-045] 集成电路(IC)的散热结构
[CHL01-030-046] 压模成型的两相冷却组件及其制作方法
[CHL01-030-047] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-048] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-049] 半导体器件及半导体器件的制造方法
[CHL01-030-050] 具有叠层芯片的存储器模块及其制造方法
[CHL01-030-051] 高速大容量快闪固态存储器结构及制作方法
[CHL01-030-052] 半导体存储器件
[CHL01-030-053] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-030-054] 半导体存储装置及其制造方法
[CHL01-030-055] 双位元非挥发性存储器的结构与制造方法
[CHL01-030-056] 晶体管
[CHL01-030-057] 半导体器件及其制造方法和喷液设备
[CHL01-030-058] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-059] 具有冷却和正常操作模式的低温冷却系统
[CHL01-030-060] 基片装卸装置
[CHL01-030-061] 改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料
[CHL01-030-062] 化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
[CHL01-030-063] 溅射方法
[CHL01-030-064] 封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
[CHL01-030-065] 通过两个功率晶体管的交织结构来改善放大器电路内的散热
[CHL01-030-066] 铁电晶体管
[CHL01-030-067] 铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用
[CHL01-030-068] 用于双位存储的非易失性存储器结构及其制造方法
[CHL01-030-069] 体积型透镜、发光体、照明器具及光信息系统
[CHL01-030-070] 具有改善了电流的输入耦合性能的表面结构光辐射二极管
[CHL01-030-071] 预测旋转机器寿命的装置及其预测和确定维修时间的方法
[CHL01-030-072] 硅基膜、其形成方法和光伏元件
[CHL01-030-073] 埋入式电容器下电极的制造方法
[CHL01-030-074] 一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法
[CHL01-030-075] 在微米级条形台面上制作二氧化硅介质膜的方法
[CHL01-030-076] 钛酸钡薄膜的生长方法
[CHL01-030-077] 一种金属层间介电层的制造方法
[CHL01-030-078] 半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法
[CHL01-030-079] 硅化钨层的形成方法
[CHL01-030-080] 自我对准的双极性结型晶体管及其制造方法
[CHL01-030-081] 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
[CHL01-030-082] 半导体装置的制造方法和半导体装置
[CHL01-030-083] 移动正离子污染的测试装置及方法
[CHL01-030-084] 夹持装置
[CHL01-030-085] 晶片载具的定位环
[CHL01-030-086] 具有高Q值电感组件的半导体技术制造方法及其结构
[CHL01-030-087] 形成双极与CMOS兼容组件时形成电容器的方法及其装置
[CHL01-030-088] 具有自我对准分离栅极的快闪存储单元组件及其制造方法
[CHL01-030-089] 可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法
[CHL01-030-090] 单一程序化掩膜只读存储器的只读区和焊垫区的方法
[CHL01-030-091] 改进快擦写存储单元编程效率的方法
[CHL01-030-092] 半导体器件
[CHL01-030-093] 具有溃缩结构的散热片及具有该散热片的半导体装置
[CHL01-030-094] 复合材料及其应用
[CHL01-030-095] 一种高效能冷却器
[CHL01-030-096] 一种用于半导体组件的内联机构
[CHL01-030-097] 半导体装置
[CHL01-030-098] 增大集成电路供电电压范围的方法
[CHL01-030-099] 利用二极管触发的静电放电保护电路
[CHL01-030-100] 静电放电保护电路
[CHL01-030-101] 避免静电放电破坏的导架及其方法
[CHL01-030-102] 具有电流均匀分布特性的静电放电防护布置方法
[CHL01-030-103] 集成电路的静电保护电路
[CHL01-030-104] 适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路及其方法
[CHL01-030-105] 多阶存储单元
[CHL01-030-106] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-107] 半导体器件
[CHL01-030-108] 高耐压半导体器件
[CHL01-030-109] 适用于自动对准金属硅化物工艺的二极管
[CHL01-030-110] 斜切底材上的半导体发光二极管
[CHL01-030-111] 具有受控制的小型环境的晶片大气压输送组件
[CHL01-030-112] 制造具有至少一个金属化平面的集成电路的方法
[CHL01-030-113] 双晶片的连接过程
[CHL01-030-114] 用横向固相过生长方法制造光电导或电致电导器件
[CHL01-030-115] 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法
[CHL01-030-116] 制造半导体电容器的方法
[CHL01-030-117] 降低内连线之间的电容的方法
[CHL01-030-118] 半导体晶片、半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-119] 集成抗反射层与金属硅化物块的方法
[CHL01-030-120] 小电感的电路结构
[CHL01-030-121] 只用单沟道晶体管对所选字线传送电压的半导体存储装置
[CHL01-030-122] 带无接点位线的闪速存储器单元及其制造方法
[CHL01-030-123] 薄膜晶体管及其制造方法、薄膜晶体管阵列基板、液晶显示装置以及电致发光型显...
[CHL01-030-124] 半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-030-125] 利用硒化反应的衬底键合
[CHL01-030-126] 半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置及其控制方法和控制装置,以及半...
[CHL01-030-127] 制造半导体器件的方法
[CHL01-030-128] 等离子体处理
[CHL01-030-129] 根据有关装置的信号诊断其装置故障的装置
[CHL01-030-130] 减少微影制程旁瓣的方法
[CHL01-030-131] 多层薄光阻的微影制程
[CHL01-030-132] 掩模的制造方法,掩模及使用它的半导体装置的制造方法
[CHL01-030-133] 半导体器件的制造方法和半导体器件
[CHL01-030-134] 缩小接触窗开口尺寸的微影工艺
[CHL01-030-135] 结合旋转涂布的化学机械研磨法
[CHL01-030-136] 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
[CHL01-030-137] 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
[CHL01-030-138] 利用离子植入在介电层形成开口的方法
[CHL01-030-139] 绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法
[CHL01-030-140] 可减少金属蚀刻残留物的形成导电结构层的方法
[CHL01-030-141] 薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-030-142] 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌－锰薄膜的生长方法
[CHL01-030-143] 防止产生金属丝现象的解决方法
[CHL01-030-144] 多条电子零件组装用载膜带及其制造方法
[CHL01-030-145] 智能型测试机
[CHL01-030-146] 使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法
[CHL01-030-147] 频率调制终点侦测方法与应用该方法的制程设备
[CHL01-030-148] 用于评估多晶硅薄膜的装置
[CHL01-030-149] 高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件
[CHL01-030-150] 内连线结构的双嵌工艺
[CHL01-030-151] 闪存的制造方法
[CHL01-030-152] 可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法
[CHL01-030-153] 半导体晶片及其制造方法以及半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-154] 叶片式散热器
[CHL01-030-155] 具有垫缘强化结构的接线垫及其制造方法
[CHL01-030-156] 半导体封装
[CHL01-030-157] 芯片的静电保护装置
[CHL01-030-158] 环形半导体控制整流器组件
[CHL01-030-159] 静电放电保护器件
[CHL01-030-160] 半导体装置及其设计方法
[CHL01-030-161] 半导体存储装置
[CHL01-030-162] 半导体存储装置
[CHL01-030-163] 适用于多电源供应集成电路的闩锁保护电路
[CHL01-030-164] 半导体存储装置及其驱动方法
[CHL01-030-165] 增加偶合比的非挥发性存储装置及其制造方法
[CHL01-030-166] 具有基底接触的绝缘层上有硅的结构
[CHL01-030-167] 半导体装置
[CHL01-030-168] 电力半导体器件
[CHL01-030-169] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-030-170] 金氧半导体组件及其制造方法
[CHL01-030-171] 半导体装置及有源矩阵型显示装置
[CHL01-030-172] 氮化物半导体器件
[CHL01-030-173] 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
[CHL01-030-174] 用于动态钉扎软参考层的包层读导线
[CHL01-030-175] 结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器
[CHL01-030-176] 化合物半导体衬底的制造方法
[CHL01-030-177] 柱脚型储存节与其接触插塞及其制造方法
[CHL01-030-178] 在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
[CHL01-030-179] 等离子体处理装置及等离子体处理方法
[CHL01-030-180] 半导体元件的阻挡层孔洞消除方法
[CHL01-030-181] 伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法
[CHL01-030-182] 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法
[CHL01-030-183] 可靠度测试装置及其测试方法
[CHL01-030-184] 芯片上电感组件的制造方法
[CHL01-030-185] 球栅数组式芯片封装结构用的基板连片
[CHL01-030-186] 具有测试元件组元件的半导体器件
[CHL01-030-187] 静电放电缓冲装置
[CHL01-030-188] 可记录静电放电事件的静电放电保护组件
[CHL01-030-189] 半导体集成电路装置及其设计方法
[CHL01-030-190] 半导体集成电路
[CHL01-030-191] 非易失性半导体存储器
[CHL01-030-192] 半导体存储器中高速读出操作的方法和装置
[CHL01-030-193] 电可擦可编程的内存装置及其制造方法
[CHL01-030-194] 平板显示器及其制造方法
[CHL01-030-195] 太阳能电池的外壳
[CHL01-030-196] 发光器件
[CHL01-030-197] 发光装置
[CHL01-030-198] 发光器件
[CHL01-030-199] 具有加热组件的半导体制造装置
[CHL01-030-200] 半导体衬底制备方法
[CHL01-030-201] 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法
[CHL01-030-202] 高反差比膜片掩膜
[CHL01-030-203] 化学汽相沉积装置和化学汽相沉积方法
[CHL01-030-204] 具有温度控制的化学机械研磨装置
[CHL01-030-205] 具有波浪形深沟的半导体装置及制作波浪形深沟的方法
[CHL01-030-206] 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
[CHL01-030-207] 圆形玻璃钝化二极体晶粒的制造方法
[CHL01-030-208] 露垫型半导体装置至印刷电路板耦接方法
[CHL01-030-209] 一种提高电路测试故障覆盖率的方法
[CHL01-030-210] 观察半导体零件的装置
[CHL01-030-211] 一种用于金属层蚀刻的轮廓控制方法
[CHL01-030-212] 双极型集成电路制造工艺
[CHL01-030-213] 制造高密度掩膜型只读存储器的方法
[CHL01-030-214] 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
[CHL01-030-215] 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
[CHL01-030-216] 可容许高电压的输出/输入端口及静电放电保护电路
[CHL01-030-217] 半导体器件和封装及其制造方法
[CHL01-030-218] 具有垫缘强化结构的接线垫
[CHL01-030-219] 用于集成电路的具有垫缘强化结构的接线垫