站内编号 专利名称
[CHL01-029-001] 接合头及部件安装装置
[CHL01-029-002] 沸腾冷却装置
[CHL01-029-003] 级联连接多个二极管构成的半导体器件
[CHL01-029-004] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-005] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-006] 半导体存储器
[CHL01-029-007] 图像拾取设备
[CHL01-029-008] 存储器一体型显示元件
[CHL01-029-009] 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(二)
[CHL01-029-010] 点接触平面栅型单电子晶体管及其制备方法(一)
[CHL01-029-011] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-012] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-013] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-014] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-015] 薄膜晶体管及其制造方法和包括该晶体管的半导体器件
[CHL01-029-016] 使发光二极管产生白色光的方法及装置
[CHL01-029-017] 一种微型显示器件及其制作工艺
[CHL01-029-018] 发光器件和制造该器件的方法
[CHL01-029-019] 硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法
[CHL01-029-020] 多孔SOG膜的制备方法
[CHL01-029-021] 制备功率整流器装置以改变操作参数的方法及其制得的装置
[CHL01-029-022] 具有硅－锗(Sii－x－Gex
[CHL01-029-023] 信息处理结构体
[CHL01-029-024] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-025] 光源装置
[CHL01-029-026] 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法
[CHL01-029-027] 磁电转换元件及其制造方法
[CHL01-029-028] 光掩模、其制造方法、图形形成方法及半导体装置的制造方法
[CHL01-029-029] Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法
[CHL01-029-030] 一种在半导体基底上形成自行对准的接触窗结构的方法
[CHL01-029-031] 气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置
[CHL01-029-032] 在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法
[CHL01-029-033] 制造半导体装置的方法及半导体装置
[CHL01-029-034] 凸块制作方法
[CHL01-029-035] 制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法
[CHL01-029-036] 半导体装置
[CHL01-029-037] 电源半导体模块和容纳半导体模块的冷却元件
[CHL01-029-038] 导热管集热端
[CHL01-029-039] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-040] 电荷泵电路和使用它的非易失性存储器的工作方法
[CHL01-029-041] 具有冗余系统的半导体存储器件
[CHL01-029-042] 半导体集成电路器件以及使用它们的电子装置
[CHL01-029-043] 动态触发器
[CHL01-029-044] 半导体集成电路装置及其制造方法
[CHL01-029-045] 含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法
[CHL01-029-046] 发光二极管
[CHL01-029-047] 改进的用于支撑晶片的梯形舟
[CHL01-029-048] 多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件
[CHL01-029-049] 制造晶体管的方法
[CHL01-029-050] 半导体晶体的制造方法
[CHL01-029-051] 半导体器件和设计掩模的方法
[CHL01-029-052] 部件及其制造方法
[CHL01-029-053] 静电吸盘和处理装置
[CHL01-029-054] 印刷线路板传送装置
[CHL01-029-055] 半导体存储元件的制造方法
[CHL01-029-056] 半导体器件、电子装置的制造方法、电子装置和携带式信息终端
[CHL01-029-057] SiGeC半导体结晶及其制造方法
[CHL01-029-058] 半导体晶圆干燥方法
[CHL01-029-059] 近环绕闸极及制造具有该闸极的矽半导体装置的方法
[CHL01-029-060] 半导体装置和制造半导体设备的方法
[CHL01-029-061] 半导体芯片装置及其封装方法
[CHL01-029-062] 非着陆制作工艺及光学逼近修正光掩模图形的产生方法
[CHL01-029-063] 半导体设备
[CHL01-029-064] 半导体装置
[CHL01-029-065] 金属－绝缘－金属场效应管
[CHL01-029-066] 一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法
[CHL01-029-067] 一种高亮度蓝光发光晶粒的结构
[CHL01-029-068] 加热和冷却薄片形制品的热处理室
[CHL01-029-069] 从聚碳硅烷形成的低介电常数聚有机硅涂料
[CHL01-029-070] 电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
[CHL01-029-071] 集成电路中自调准Cu扩散阻挡层的制造方法
[CHL01-029-072] 为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
[CHL01-029-073] 修改集成电路的方法
[CHL01-029-074] 压电陶瓷执行元件及其制造方法
[CHL01-029-075] 有机电致发光装置
[CHL01-029-076] 图形形成方法
[CHL01-029-077] IC测试处理机的IC输送程序及其装置
[CHL01-029-078] 评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
[CHL01-029-079] 铁电存储器集成电路的高质量铅锆钛酸盐膜的制造工艺
[CHL01-029-080] 使用磁化导热液体的散热器
[CHL01-029-081] 半导体模块及其制造方法
[CHL01-029-082] 引线框及使用该引线框的树脂密封型半导体装置制造方法
[CHL01-029-083] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-084] 互补非易失性存储电路
[CHL01-029-085] 半导体存储装置
[CHL01-029-086] 双位元非挥发性存储单元的结构及其读写方法
[CHL01-029-087] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-088] 一种基于Ⅲ族氮化物异质结构极化效应的高响应光电探测器
[CHL01-029-089] 半导体器件及其制造方法和喷液设备
[CHL01-029-090] 量子型光电晶体管
[CHL01-029-091] 半导体和钛酸钡p－n结
[CHL01-029-092] 半导体和钙钛矿结构氧化物p－n结
[CHL01-029-093] 半导体和锰酸镧p－n结
[CHL01-029-094] 用于半导体晶片的夹持装置
[CHL01-029-095] 化学机械研磨用研磨剂及基板的研磨法
[CHL01-029-096] 化学机械研磨用研磨剂及研磨方法
[CHL01-029-097] 具有增大栅耦合电容的集成电路
[CHL01-029-098] 化学惰性的兆赫声波换能器系统
[CHL01-029-099] 压电式弯曲变换器
[CHL01-029-100] 一种半导体生产系统
[CHL01-029-101] 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
[CHL01-029-102] 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
[CHL01-029-103] 一种于一硅覆绝缘层上形成掺杂区的方法
[CHL01-029-104] 半导体器件的制备方法
[CHL01-029-105] 制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所得器件
[CHL01-029-106] 一种微小芯片倒扣工艺技术
[CHL01-029-107] 制作在硅晶片上的薄膜无源元件的包装方法
[CHL01-029-108] 一种层间介电层平坦化的方法
[CHL01-029-109] 压触式半导体器件
[CHL01-029-110] 与安装基片有可靠连接的半导体器件
[CHL01-029-111] 基于二极管和阴极导电性以及阴极发光的数据存储介质
[CHL01-029-112] 全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
[CHL01-029-113] 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
[CHL01-029-114] 半导体器件以及显示装置
[CHL01-029-115] 太阳能电池及其制造方法
[CHL01-029-116] 提高金属电极反射率的方法
[CHL01-029-117] GaN基Ⅲ－Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法
[CHL01-029-118] 发光单元、发光单元组件和用多个该单元生产的照明装置
[CHL01-029-119] 半导体发光元件
[CHL01-029-120] 片式压电变压器连续极化的方法及其装置
[CHL01-029-121] 磁阻效应元件及其制造方法
[CHL01-029-122] 薄膜形成装置和薄膜形成方法
[CHL01-029-123] 半导体装置的制造方法
[CHL01-029-124] 自适应等离子体表征系统
[CHL01-029-125] 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
[CHL01-029-126] 在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
[CHL01-029-127] 高准确度及灵敏度霍尔感测元件及集成电路的封装方法
[CHL01-029-128] 去封装芯片的测试装置
[CHL01-029-129] 埋入式非易失性半导体存储器单元的制造方法
[CHL01-029-130] 包含非易失性半导体存储器的半导体集成电路装置的制造方法
[CHL01-029-131] 发光二极管的散热结构
[CHL01-029-132] 多层金属电源/接地总线的布局结构
[CHL01-029-133] 导线框、使用该导线框的半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-134] 半导体集成电路及其制备方法
[CHL01-029-135] 降低电气杂讯的球阵列封装装置
[CHL01-029-136] 封装的集成电路
[CHL01-029-137] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-138] 发光器件
[CHL01-029-139] 半导体器件、电路衬底、光电装置和电子设备
[CHL01-029-140] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-141] 太阳能电池及其制造方法
[CHL01-029-142] 发光二极管及其制造方法
[CHL01-029-143] 改善有机蒸发镀膜成膜性能的方法
[CHL01-029-144] 用于半导体处理的气体分配设备
[CHL01-029-145] 用于降低半导体晶片中的波纹性的方法
[CHL01-029-146] 用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
[CHL01-029-147] 具有存储单元、逻辑区域和填充结构的半导体存储元件
[CHL01-029-148] 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
[CHL01-029-149] 多波长发光装置、电子设备以及干涉镜
[CHL01-029-150] 用直流电等离子聚合在金属表面连续形成聚合物的设备
[CHL01-029-151] III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件
[CHL01-029-152] 预清室的微粒防止方法
[CHL01-029-153] 预清室的硅化物清除方法
[CHL01-029-154] 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
[CHL01-029-155] 可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法
[CHL01-029-156] 用于固定插针的针块结构
[CHL01-029-157] 低压力衬里的浅沟隔离元件的制备方法
[CHL01-029-158] 铜导线在下层之内连线的双镶嵌的制造方法
[CHL01-029-159] 顶部导体包层的制造方法
[CHL01-029-160] 一种内在并行的二维离散小波变换的VLSI结构的设计方法
[CHL01-029-161] 具有散热结构的半导体封装件
[CHL01-029-162] 用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
[CHL01-029-163] 具有内嵌式散热块的半导体封装件
[CHL01-029-164] 引线架
[CHL01-029-165] 树脂密封型半导体装置及其制造方法
[CHL01-029-166] 半导体装置及其图案布线方法
[CHL01-029-167] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-168] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-029-169] 图象摄取装置
[CHL01-029-170] 固体摄象装置
[CHL01-029-171] 具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-172] 高压P型MOS管及其制备方法
[CHL01-029-173] 薄膜晶体管基片及其制造方法
[CHL01-029-174] 分子隧道二极管及其制造方法
[CHL01-029-175] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-176] 多重光源发光装置
[CHL01-029-177] 用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化学气相沉积氧化硅薄膜
[CHL01-029-178] 用于诸如微处理器这样的集成电路的支座底板
[CHL01-029-179] 薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-029-180] 利用分开的介电浮栅的新型易收缩非易失性的半导体存储单元及其制造方法
[CHL01-029-181] 用于控制至少一个电容调节器的装置
[CHL01-029-182] 使用化学机械抛光精加工用于接合的晶片的装置和方法
[CHL01-029-183] 激光加工方法及其设备
[CHL01-029-184] 互补掩模对的制造方法
[CHL01-029-185] 晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法
[CHL01-029-186] 一种制造半导体器件的方法
[CHL01-029-187] 制造半导体器件的方法
[CHL01-029-188] 测试嵌入式模拟/混合信号磁心的方法和结构
[CHL01-029-189] 半导体装置与其图案设计方法
[CHL01-029-190] 低压模式且经通道擦写的快闪存储单元及其制作方法
[CHL01-029-191] 悬吊式电子装置构造
[CHL01-029-192] 金属基座半导体
[CHL01-029-193] 用于冷却发热元件的冷却装置和包括有冷却装置的电子设备
[CHL01-029-194] 用于降低集成电路的压降的具有多重狭长带的外部电源环
[CHL01-029-195] 具有精确导体的互连结构
[CHL01-029-196] 适用于静电放电防护的电压控制元件及其保护电路
[CHL01-029-197] 单片式微波集成电路及其制造方法
[CHL01-029-198] 半导体装置与其图案设计方法
[CHL01-029-199] 存储器件的制造和装配结构及方法
[CHL01-029-200] 嵌入式快闪存储器及其操作方法
[CHL01-029-201] 双位沟槽式栅极非挥发性快闪存储单元及其操作方法
[CHL01-029-202] 半导体装置及其制作方法
[CHL01-029-203] 半导体装置和其制造方法
[CHL01-029-204] 具有蓝光发光单元以及含硒化锌的覆盖部的发光元件
[CHL01-029-205] 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法
[CHL01-029-206] 高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
[CHL01-029-207] 压电变压器
[CHL01-029-208] 基底、载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
[CHL01-029-209] 无凹陷铜镶嵌结构的制造工艺
[CHL01-029-210] 半导体器件用的保护层
[CHL01-029-211] 具有铟热偶的电子组件的构造方法及具有铟热偶的电子组件
[CHL01-029-212] 使用晕圈植入而制造半导体装置的方法及系统
[CHL01-029-213] 双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
[CHL01-029-214] 发光或者受光用半导体组件及其制造方法
[CHL01-029-215] 发光或者受光用半导体器件及其制造方法
[CHL01-029-216] 具有改进的发光效率和辐射率的长效聚合物发光装置
[CHL01-029-217] 三族金属氮化物元件的制造方法
[CHL01-029-218] CVD方法
[CHL01-029-219] 用于降低氮化物消耗的聚集体介电层
