站内编号 专利名称
[CHL01-028-001] 处理晶片的装置
[CHL01-028-002] 局部开槽工艺
[CHL01-028-003] 制造绝缘薄膜的方法
[CHL01-028-004] 母液选择沉淀法制备集成电路
[CHL01-028-005] 在氧化生长侧壁衬层之前淀积沟槽填充氧化物的改进的沟槽隔离工艺
[CHL01-028-006] 采用碳化硅进行的红外辐射检测
[CHL01-028-007] 混合热离子能量变换器和方法
[CHL01-028-008] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-009] YB2单晶的用途
[CHL01-028-010] 晶片切割研磨制作方法
[CHL01-028-011] 制造含结晶硅有源层的薄膜晶体管的方法
[CHL01-028-012] 半导体芯片焊料凸点加工方法
[CHL01-028-013] 半导体晶片装置及其封装方法
[CHL01-028-014] 关键尺寸测试条的结构
[CHL01-028-015] 用于检测半导体器件中的缺陷的装置及使用该装置的方法
[CHL01-028-016] 晶片测试载架
[CHL01-028-017] 用于保持封装的半导体装置的编码托盘
[CHL01-028-018] 薄膜晶体管平面显示器的制作方法
[CHL01-028-019] 具有下弯部的扰流板
[CHL01-028-020] 防止器件位置区域上的焊罩层产生裂缝的基板结构
[CHL01-028-021] 半导体封装件及其制造方法
[CHL01-028-022] 影像感应器封装
[CHL01-028-023] 加强散热型四方扁平无接脚封装
[CHL01-028-024] 将电路和引线框的功率分布功能集成到芯片表面上的电路结构
[CHL01-028-025] 芯片堆叠封装结构
[CHL01-028-026] 发光二极体结构及其制造方法
[CHL01-028-027] 发光二极体及其制造方法
[CHL01-028-028] 发光二极管的封装方法
[CHL01-028-029] 半导体晶片的清洗方法与系统
[CHL01-028-030] 用于半导体制造的导电层的低温氧化
[CHL01-028-031] 叠层体、叠层体的制备方法及半导体元件
[CHL01-028-032] 有本征吸气的外延硅晶片的制造方法
[CHL01-028-033] CMOS处理过程
[CHL01-028-034] 半导体及其制造方法
[CHL01-028-035] 用于形成半导体装置用内插器的复层板、半导体装置用内插器以及它们的制造方法
[CHL01-028-036] 包括发光二极管和荧光发光二极管的混合白光源
[CHL01-028-037] 具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图
[CHL01-028-038] 一种减弱寄生效应的电光封装
[CHL01-028-039] 发光器件
[CHL01-028-040] 气化器和气化供给装置
[CHL01-028-041] 制造半导体器件的接触的方法
[CHL01-028-042] 硅片的制造方法和硅片
[CHL01-028-043] 小片接合设备的载片台
[CHL01-028-044] 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-045] 半导体芯片安装基板、电光装置、液晶装置、电致发光装置及电子机器
[CHL01-028-046] 半导体元器件的致冷冷却装置
[CHL01-028-047] 具有低杂讯高频信号的集成电路装置及其制造方法
[CHL01-028-048] 半导体存储器及其制造方法
[CHL01-028-049] 包含双极晶体管元件的半导体器件
[CHL01-028-050] 铁电场效应晶体管及其制备方法
[CHL01-028-051] 半导体器件
[CHL01-028-052] 半导体器件的制法
[CHL01-028-053] 铜互连
[CHL01-028-054] 具有压电层多层结构的压电件及其制造方法
[CHL01-028-055] 具有由压电层组成的多层结构的压电元件及其制造方法
[CHL01-028-056] 用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置
[CHL01-028-057] 高介电常数的金属氧化物薄膜
[CHL01-028-058] 使用钛硬掩模刻蚀金金属层的方法和装置
[CHL01-028-059] 用氧化物还原腐蚀清除残留物的方法
[CHL01-028-060] 镶嵌结构及其制作方法
[CHL01-028-061] 具有改进引线架结构的半导体器件
[CHL01-028-062] 内插器及其制造方法
[CHL01-028-063] 多位沟道电容器
[CHL01-028-064] 用于凝聚光辐射的装置
[CHL01-028-065] 发光元件矩阵阵列
[CHL01-028-066] 发光闸流晶体管矩阵阵列
[CHL01-028-067] 改善硅介质界面的均匀性和降低表面粗糙度的方法
[CHL01-028-068] 叶片式基片清洗方法及其装置
[CHL01-028-069] 同一芯片上具有独立杂质分布的双极晶体管及其制造方法
[CHL01-028-070] 金属氧化物半导体元件的制造方法
[CHL01-028-071] 可防止溢胶的基板式半导体装置封装方法
[CHL01-028-072] 用于球栅阵列封装的薄膜组合上的倒装芯片
[CHL01-028-073] 具有压紧基片装置的芯片焊接器和/或引线结合器
[CHL01-028-074] 保护层的制造方法
[CHL01-028-075] 半导体晶片加工系统中的高压室的参数监视仪
[CHL01-028-076] 制作隔离渠沟的方法
[CHL01-028-077] 集成电路封装结构及其制造方法
[CHL01-028-078] 具整体封装包覆散热结构的覆晶结合模组
[CHL01-028-079] 晶片型无源元件结构及封装制造方法
[CHL01-028-080] 功率型半导体芯片的封装装置及封装方法
[CHL01-028-081] 覆晶晶片导电凸块与再分布导线层配置
[CHL01-028-082] 晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置
[CHL01-028-083] 半导体存储器
[CHL01-028-084] 光传感器及其制造方法
[CHL01-028-085] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-086] 薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-028-087] 横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
[CHL01-028-088] 光电设备和用于大量制作球形半导体颗粒的批量生产设备
[CHL01-028-089] 具有非矩形基板的半导体光电器件及其制造方法
[CHL01-028-090] 光半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-091] 利用光刻技术和气相沉积技术制作新型热电偶
[CHL01-028-092] 极化装置和方法
[CHL01-028-093] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-094] 半导体设备及其制造方法
[CHL01-028-095] 缓冲垫的形成方法、半导体器件及其制造方法、电路基片及电子设备
[CHL01-028-096] 基板处理装置
[CHL01-028-097] 等离子加工设备
[CHL01-028-098] 半导体芯片的拾取装置及其拾取方法
[CHL01-028-099] 集成电路及其形成方法
[CHL01-028-100] 在槽内形成衬垫的方法
[CHL01-028-101] 凸块形成方法、半导体装置及其制造方法和半导体芯片
[CHL01-028-102] 有控制栅突出部的浮栅存储器阵列自对准法及存储器阵列
[CHL01-028-103] 封装集成电路基板及其制造方法
[CHL01-028-104] 球脚阵列封装基板及其制造方法
[CHL01-028-105] 具有高散热性的超薄封装件及其制造方法
[CHL01-028-106] 一种导热绝缘片式整流器件水冷方法及装置
[CHL01-028-107] 封装影像感测晶片及其封装方法
[CHL01-028-108] 半导体器件
[CHL01-028-109] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-110] CMOS半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-111] 具有电容元件的半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-112] 一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法
[CHL01-028-113] 具透光片的封装影像感测晶片及其封装方法
[CHL01-028-114] 一种具有光电和电光转换的有机薄膜双功能器件
[CHL01-028-115] 非矩形热电微型组件和使用它的晶片用冷却装置
[CHL01-028-116] 改进了品质因素的热电材料、其制造方法及使用其的组件
[CHL01-028-117] 标记探测法及其装置、曝光法及其设备和器件制造方法及其器件
[CHL01-028-118] 电荷发生半导体基板用凸起形成装置、电荷发生半导体基板的除静电方法、电荷发...
[CHL01-028-119] 射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
[CHL01-028-120] 形成金属互连的方法
[CHL01-028-121] 电子元件
[CHL01-028-122] 用于最大化每一布线层的信号线数目的具有可变间距触点阵列的集成电路模和/或...
[CHL01-028-123] 一种半导体器件及其制造方法与一种半导体器件安装结构
[CHL01-028-124] 隧道触点及其制造方法
[CHL01-028-125] 薄膜晶体管及其制造方法,以及采用它的液晶显示器件
[CHL01-028-126] 压电式弯曲能量转换器
[CHL01-028-127] 半导体器件
[CHL01-028-128] 半导体装置制造中瑕疵聚集的检索方法及装置和所用程序
[CHL01-028-129] 一种钴－自对准硅化物的方法
[CHL01-028-130] 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法
[CHL01-028-131] 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法
[CHL01-028-132] 锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法
[CHL01-028-133] 一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件
[CHL01-028-134] 用于切割半导体封装器件的处理系统
[CHL01-028-135] 电子结构及其形成方法
[CHL01-028-136] 静电放电保护电路
[CHL01-028-137] 对数跳跃加法器结构及电路
[CHL01-028-138] 具有薄膜晶体管的器件
[CHL01-028-139] 发光设备及其制造方法
[CHL01-028-140] 有机电致发光设备
[CHL01-028-141] 去除表面污染物的方法以及为此所使用的组合物
[CHL01-028-142] 半导体装置的制造方法
[CHL01-028-143] 具有多厚度栅极氧化层的槽型半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-144] 用于芯片模块的芯片载体及芯片模块的制造方法
[CHL01-028-145] 一种平行板二极管
[CHL01-028-146] 具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管
[CHL01-028-147] 基底处理系统和基底处理方法
[CHL01-028-148] 半导体器件中形成金属栅的方法
[CHL01-028-149] 半导体器件的制造方法
[CHL01-028-150] 一种晶圆型态扩散型封装系统
[CHL01-028-151] 晶圆级封装制作工艺及其晶片结构
[CHL01-028-152] 不含氮化物的凹槽隔离物的制造方法
[CHL01-028-153] 半导体器件、半导体器件的制造方法和半导体器件的设计方法
[CHL01-028-154] 半导体存储装置
[CHL01-028-155] 半导体存储器及其制造方法和驱动方法
[CHL01-028-156] 具有存储器接口的CMOS传感器阵列
[CHL01-028-157] 氮化铝和氧化铝/氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
[CHL01-028-158] 光电变换器件
[CHL01-028-159] 具有改进发光效率的有机发光二极管器件
[CHL01-028-160] 半导体晶片及其制造方法
[CHL01-028-161] 提供连续运动顺序横向固化的方法和系统
[CHL01-028-162] 用表面涂敷方法降低铜布线的电迁移和应力引起的迁移
[CHL01-028-163] 制造沟槽电容器的掩埋带的方法
[CHL01-028-164] 制造超晶格材料的快速递变退火方法
[CHL01-028-165] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-166] 高单元密度的电源整流器
[CHL01-028-167] 横向DMOS中改进的击穿结构与方法
[CHL01-028-168] 半导体元件及其制造方法
[CHL01-028-169] 发光二极管、照明装置以及制造这种发光二极管的方法
[CHL01-028-170] 半导体发光器件及面发光装置
[CHL01-028-171] 增强的涂布高温超导体
[CHL01-028-172] 多层制品及其制造方法
[CHL01-028-173] 涂布的导体的厚膜前体
[CHL01-028-174] 用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
[CHL01-028-175] MIS半导体器件的制造方法
[CHL01-028-176] 在半导体晶片中制造器件的增强淀积控制
[CHL01-028-177] 半导体器件的制造方法
[CHL01-028-178] 激光辐照装置和激光辐照方法
[CHL01-028-179] 激光退火方法以及半导体器件制造方法
[CHL01-028-180] 热处理设备和制造半导体器件的方法
[CHL01-028-181] 无纺布在清洁半导体封装模具中的应用
[CHL01-028-182] 半导体装置及其制造方法、电路板以及电子设备
[CHL01-028-183] 沟槽隔离区的制作方法
[CHL01-028-184] 以覆盖层制造铜内连线的方法
[CHL01-028-185] 半导体存储器阵列的自对准方法和由此制造的存储器阵列
[CHL01-028-186] 具溢胶防止装置的半导体封装件
[CHL01-028-187] 功率半导体模块
[CHL01-028-188] 半导体构装基板及其制作工艺
[CHL01-028-189] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-190] 熔断丝电路
[CHL01-028-191] 静电放电防护的方法与装置及集成电路
[CHL01-028-192] 半导体集成电路
[CHL01-028-193] 半导体器件
[CHL01-028-194] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-028-195] 发光器件
[CHL01-028-196] 发光器件及其制造方法
[CHL01-028-197] 压电元件的极化方法
[CHL01-028-198] 镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法
[CHL01-028-199] 灯泡退火装置和显示元件用基片
[CHL01-028-200] 顺序横向固化方法加工期间及其后硅薄膜的表面平面化
[CHL01-028-201] 退火圆片的制造方法
[CHL01-028-202] 薄膜
[CHL01-028-203] 降低相邻信号的串音效应的基板布局方法及其结构
[CHL01-028-204] 半导体器件的电容器制造方法
[CHL01-028-205] 半导体装置
[CHL01-028-206] 一种半导体器件的制造方法
[CHL01-028-207] 半导体集成电路装置及其制造方法
[CHL01-028-208] 光学装置及其制造方法以及电子装置
[CHL01-028-209] 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
[CHL01-028-210] 晶片式发光二极管及其制造方法
[CHL01-028-211] 以介质磷光粉作光变换的发光二极管
[CHL01-028-212] 抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
[CHL01-028-213] 具有分离式隧道窗口的非易失性半导体存储器单元的制造方法
[CHL01-028-214] SOI晶片的制造方法
[CHL01-028-215] 制造金属氧化物半导体元件双层栅极的方法
[CHL01-028-216] 衬底处理装置及采用此装置的衬底处理方法
[CHL01-028-217] 在半导体衬底上化学汽相淀积钨的方法
[CHL01-028-218] 形成在源漏极上具有金属硅化物的晶体管的方法
[CHL01-028-219] SMD电子零件的制造方法
