站内编号 专利名称
[CHL01-001-001] 离子注入半导体瞬时退火设备
[CHL01-001-002] 台面半导体器件玻璃钝化工艺
[CHL01-001-003] 改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料
[CHL01-001-004] 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料
[CHL01-001-005] 具有金属反射腔的半导体平面发光器件
[CHL01-001-006] 用于制造半导体器件的装置
[CHL01-001-007] 薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法
[CHL01-001-008] 电子器件的制造方法
[CHL01-001-009] 半导体集成电路器件及其制造工艺
[CHL01-001-010] 含有各种不同容量电容的集成电路
[CHL01-001-011] 半导体器件
[CHL01-001-012] 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置
[CHL01-001-013] 金属氧化物半导体绝缘工艺
[CHL01-001-014] 金属-氧化物-半导体后部工艺
[CHL01-001-015] 制造半导体器件的方法
[CHL01-001-016] 集成电路气密封装法
[CHL01-001-017] 全温区工作的硅晶体管的制造技术
[CHL01-001-018] 功率器件的封装方法
[CHL01-001-019] 高热稳定性的功率器件的封装方法
[CHL01-001-020] 一种制造电子器件的方法
[CHL01-001-021] 耐热薄膜光电转换器
[CHL01-001-022] 多结半导体器件
[CHL01-001-023] 具有改善群延时特性的压电谐振元件
[CHL01-001-024] 互补半导体器件
[CHL01-001-025] 制造设备
[CHL01-001-026] 水平结构晶体管及其制作方法
[CHL01-001-027] 等温功率晶体管的制作工艺
[CHL01-001-028] 双极异质结晶体管及其制造方法
[CHL01-001-029] 半导体集成电路器件及其制造方法
[CHL01-001-030] 制造半导体集成电路的隔离方法
[CHL01-001-031] 缓变晶格外延层的生长
[CHL01-001-032] 两色分波硅彩色传感器
[CHL01-001-033] 半导体集成电路器件
[CHL01-001-034] 具有埋置接点的集成电路制造工艺
[CHL01-001-035] 防止铁电陶瓷器件相变开裂的处理方法
[CHL01-001-036] 太阳能电池密封组件的结构
[CHL01-001-037] 电子器件及其制造方法
[CHL01-001-038] 金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅
[CHL01-001-039] 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法
[CHL01-001-040] 半刚性光电模块组件及其结构支撑
[CHL01-001-041] 制造半导体集成电路器件的方法
[CHL01-001-042] 半导体器件
[CHL01-001-043] 变折射率薄膜的单源真空沉积法
[CHL01-001-044] 太阳能重复发电的方法与装置
[CHL01-001-045] 一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
[CHL01-001-046] 复合热释电红外探测器
[CHL01-001-047] 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
[CHL01-001-048] 电子器件的封装
[CHL01-001-049] 硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅小片复合物的制做方法
[CHL01-001-050] 塑料封装的半导体器件
[CHL01-001-051] 台面型半导体器件的制造方法
[CHL01-001-052] 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
[CHL01-001-053] 制备半导体化合物薄膜的射频溅射法
[CHL01-001-054] 用于无掩模被覆金属方法的扩散隔离层
[CHL01-001-055] 改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
[CHL01-001-056] 太阳电池相互电连接的方法
[CHL01-001-057] 薄膜晶体管的制作方法
[CHL01-001-058] 半导体器件及其生产方法,以及上述工艺所用的引线框架
[CHL01-001-059] 高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺
[CHL01-001-060] 半导体发光器件的发射腔及其工艺
[CHL01-001-061] 高抗干扰HP-MOS系列集成电路
[CHL01-001-062] 半导体器件
[CHL01-001-063] 双极晶体管
[CHL01-001-064] 杂质的扩散方法
[CHL01-001-065] 电荷耦合器件
[CHL01-001-066] 液晶显示板及其制造法
[CHL01-001-067] 双极晶体管
[CHL01-001-068] 半导体汽化冷却装置
[CHL01-001-069] 二维磁矢量磁敏器件
[CHL01-001-070] 半导体器件及其制造法
[CHL01-001-071] 具有聚光反射器的光电池阵列
[CHL01-001-072] 在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒
[CHL01-001-073] 具有冷却装置的半导体组件
[CHL01-001-074] 硅圆片的加强材料
[CHL01-001-075] 半导体工艺
[CHL01-001-076] 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
[CHL01-001-077] 具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置
[CHL01-001-078] 具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置
[CHL01-001-079] 半导体器件
[CHL01-001-080] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-001-081] 动态随机存取存贮器单元(dRAM)和生产方法
[CHL01-001-082] 制造高灵敏度光敏三极管的方法
[CHL01-001-083] 光电池
[CHL01-001-084] 半导体装置的导线材料
[CHL01-001-085] 半导体芯片附着装置
[CHL01-001-086] 半导体器件
[CHL01-001-087] 半导体器件的制造方法
[CHL01-001-088] 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件
[CHL01-001-089] 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法
[CHL01-001-090] 应力和温度补偿声表面波器件
[CHL01-001-091] 晶体管
[CHL01-001-092] 半导体器件及装置
[CHL01-001-093] 在光电器件中为波导所用的磷族元素化物的膜
[CHL01-001-094] 半导体集成电路和为其设计电路图形的方法
[CHL01-001-095] 带动态控制的电荷耦合半导体器件
[CHL01-001-096] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-001-097] 在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程
[CHL01-001-098] 电缆
[CHL01-001-099] 湿敏元件及其制造法
[CHL01-001-100] 有自测试能力的超大规模集成电路
[CHL01-001-101] 光敏PN结侧向注入电器件的间接耦合方法
[CHL01-001-102] 抗辐射半导体器件
[CHL01-001-103] 半导体器件
[CHL01-001-104] 前截止热释电探测器
[CHL01-001-105] 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路
[CHL01-001-106] 对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法
[CHL01-001-107] 用在数字式电子仪器方面的集成电路
[CHL01-001-108] 厚膜电路用配方
[CHL01-001-109] 太阳电池装置
[CHL01-001-110] 用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备
[CHL01-001-111] 增加有效面积的光电池
[CHL01-001-112] 稳压二极管
[CHL01-001-113] 具有控制电极的半导体器件
[CHL01-001-114] 包含互补场效应晶体管的集成电路
[CHL01-001-115] 在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法
[CHL01-001-116] 电子线路器件的封装及其制造方法和设备
[CHL01-001-117] 具有金属涂料接头的太阳电池
[CHL01-001-118] 单块数字集成电路
[CHL01-001-119] 绝缘体结构上的硅互联埋层
[CHL01-001-120] 半导体器件的制造方法
[CHL01-001-121] 可控制接通的硅可控整流器
[CHL01-001-122] 利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
[CHL01-001-123] 减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法
[CHL01-001-124] 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法
[CHL01-001-125] 光生伏打器件及其制造方法
[CHL01-001-126] 在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法
[CHL01-001-127] 半导体器件
[CHL01-001-128] 用于数字化电子设备的集成电路器件
[CHL01-001-129] 闸门电路断开可控硅
[CHL01-001-130] 半导体三极管发射结反向过电压保护电路和有保护能力的可调直流稳压电源
[CHL01-001-131] 光电型器件及其制造方法
[CHL01-001-132] 双注入场效应晶体管
[CHL01-001-133] 从衬底上去除薄膜的气态方法和设备
[CHL01-001-134] 压电陶瓷元件之制备方法
[CHL01-001-135] 富含镉的Hg1-xCdxTe的薄层异质结光电池和H...
[CHL01-001-136] 光电池组的二极管旁路保护装置
[CHL01-001-137] 光电池板
[CHL01-001-138] 制做光电组件的装置
[CHL01-001-139] 具有倾斜外围电路的集成电路器件
[CHL01-001-140] 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
[CHL01-001-141] 整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法
[CHL01-001-142] 二维电子气发射极半导体器件
[CHL01-001-143] 半导体器件的制造方法和系统
[CHL01-001-144] 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管制作方法
[CHL01-001-145] MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法
[CHL01-001-146] 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
[CHL01-001-147] 用于算术运算和显示的集成电路
[CHL01-001-148] 半导体集成电路/系统
[CHL01-001-149] 半导体阀门
[CHL01-001-150] 掺杂剂均匀分布的固体摄像器及其制造方法
[CHL01-001-151] 等离子体处理装置
[CHL01-001-152] 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
[CHL01-001-153] 光电动势元件及其制备工艺和设备
[CHL01-001-154] 二氧化锡膜溶解法
[CHL01-001-155] 光电转换器及其制造方法
[CHL01-001-156] 高跨导高厄利(Early)电压模拟(M0S)晶体管
[CHL01-001-157] 高速响应光电转换器及其制造方法
[CHL01-001-158] 超大规模集成电路的局部互连方法及其结构
[CHL01-001-159] 高清晰阳极化的内层界面
[CHL01-001-160] 电荷耦合器件
[CHL01-001-161] 垂直倒相器电路
[CHL01-001-162] 半导体器件的制造方法
[CHL01-001-163] 太阳能电池阵列
[CHL01-001-164] 一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
[CHL01-001-165] 光电转换器件的制造方法
[CHL01-001-166] 应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法
[CHL01-001-167] 薄膜晶体管
[CHL01-001-168] 用等离子体增强的化学气相沉积法沉积垂直方向电阻的方法
[CHL01-001-169] 半导体致冷的环块电堆
[CHL01-001-170] 用阳极化硅内层的开槽和氧化形成的半导体隔离
[CHL01-001-171] 半导体器件的制造方法
[CHL01-001-172] 碳化硅(SiC)二极管温度传感器
[CHL01-001-173] 图象读取光检测器及其制作方法和装置
[CHL01-001-174] 抛光法U形槽隔离技术
[CHL01-001-175] 半导体集成电路板的冷却设备
[CHL01-001-176] 溴强腐蚀混合源抑制自掺杂硅外延
[CHL01-001-177] 消除半导体层制造缺陷的方法
[CHL01-001-178] 微电子电路的接合方法
[CHL01-001-179] 光学传感器
[CHL01-001-180] 耐热塑料半导体器件
[CHL01-001-181] 高速硅光敏三极管
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[CHL01-001-183] 半导体器件
[CHL01-001-184] 可集成的霍尔元件
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[CHL01-001-189] 深区PN结二极管
[CHL01-001-190] 在多晶硅上具有平滑界面的集成电路
[CHL01-001-191] 半导体器件的制造方法和系统
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[CHL01-001-195] 聚焦误差检测系统及光读出和/或写入设备
[CHL01-001-196] 散热性能改善了的大规模集成电路封装
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[CHL01-001-199] 多层外延砷化镓的双源法和装置
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[CHL01-001-207] 半导体器件及其制造方法
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[CHL01-001-214] 栅控半导体四极管
[CHL01-001-215] 一种半导体硅元件的芯片支承体
[CHL01-001-216] 半导体器件的制造方法
[CHL01-001-217] P+n二极管银凸点电极无胶电镀
[CHL01-001-218] 电子器件及其制造方法
[CHL01-001-219] 整体式热导管组件