站内编号   专利名称
[CHL01-002-001] 大面积换能器阵列的静电放电保护网络
[CHL01-002-002] 集成电路制造方法
[CHL01-002-003] 在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法
[CHL01-002-004] 集成双板晶体管的集电极接触
[CHL01-002-005] 至少包括一个双极平面型晶体管的单块集成电路的制造方法
[CHL01-002-006] 半导体器件
[CHL01-002-007] 源漏掺杂技术
[CHL01-002-008] 外引线带的自动焊接法
[CHL01-002-009] 半导体直接键合的表面处理方法
[CHL01-002-010] 太阳能收集器中与初级聚光器配合使用的光电池罩
[CHL01-002-011] 具有混合氧化物绝缘体的二极管
[CHL01-002-012] 半导体装置
[CHL01-002-013] 功率半导体器件的电极引出技术
[CHL01-002-014] 热敏元件及其制造方法
[CHL01-002-015] 减少封装应力制造半导体器件的方法
[CHL01-002-016] 超导器件
[CHL01-002-017] 可大批量传送半导体衬底用的全罩式装载器具（舟）
[CHL01-002-018] 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
[CHL01-002-019] 高温超导检波器
[CHL01-002-020] 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
[CHL01-002-021] 多栅极薄膜晶体管
[CHL01-002-022] 具有若干导电线路供传输高速信号用的电路
[CHL01-002-023] 超导半导体器件
[CHL01-002-024] 大功率可控半导体元件
[CHL01-002-025] 硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层
[CHL01-002-026] 超导器件
[CHL01-002-027] 快速响应的热电偶元件
[CHL01-002-028] 互补横向绝缘栅整流管
[CHL01-002-029] 利用ＣＭＯＳ工艺制造双极型晶体管
[CHL01-002-030] 太阳能电池
[CHL01-002-031] 具有多层超导结构的电路及其制造方法
[CHL01-002-032] 制造半导体元件的方法
[CHL01-002-033] 硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法
[CHL01-002-034] 具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件
[CHL01-002-035] 硅器体化学镀镍与化学腐蚀工艺
[CHL01-002-036] 具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件
[CHL01-002-037] 半导体器件
[CHL01-002-038] 一种半导体器件互连制造方法
[CHL01-002-039] 半导体元件制造工艺
[CHL01-002-040] 半导体电路不稳定性解决效率提高
[CHL01-002-041] 门关断闸流晶体管及其制造方法
[CHL01-002-042] 绝缘材料上的静电__象的无损读出设备和方法
[CHL01-002-043] 半导体电压控制变容器
[CHL01-002-044] 液晶显示元件的测试方法
[CHL01-002-045] 超导陶瓷图案及其制造方法
[CHL01-002-046] 一种等离子阳极化方法
[CHL01-002-047] 在低温中应用含磷平面掺杂源
[CHL01-002-048] 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
[CHL01-002-049] 动态随机存取存储单元及其制造方法
[CHL01-002-050] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-002-051] 用四氮化三硅涂层制造太阳电池的方法
[CHL01-002-052] 包括多个敏感同轴元件的压电换能器
[CHL01-002-053] 新型半导体基础材料
[CHL01-002-054] 高效太阳能电池
[CHL01-002-055] 电荷耦合器件
[CHL01-002-056] 一种顶部基片连接的CMOS集成电路及其制造方法
[CHL01-002-057] 焊线
[CHL01-002-058] 制作超导图案的方法
[CHL01-002-059] 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
[CHL01-002-060] 非晶硅光位置敏感器件
[CHL01-002-061] 采用超导材料的电子器件
[CHL01-002-062] 制作ＣＭ０Ｓ集成电路的注入井和岛的方法
[CHL01-002-063] 电荷耦合器件
[CHL01-002-064] 用带式自动焊接法焊接的半导体芯片管壳
[CHL01-002-065] 半导体功率元件
[CHL01-002-066] 用于电钝化集成电路的一种布局
[CHL01-002-067] 超导器件及其制造
[CHL01-002-068] 具有一个空间调制本征层的薄膜太阳能电池
[CHL01-002-069] 磷化镓液相外延方法及装置
[CHL01-002-070] 用于制造超导氧化物材料的溅射装置及方法
[CHL01-002-071] 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法
[CHL01-002-072] 非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法
[CHL01-002-073] 一种台面半导体器件钝化工艺及设备
[CHL01-002-074] 硅低温掺氟氧化方法
[CHL01-002-075] 半导体元件及其制造方法
[CHL01-002-076] 电路元件
[CHL01-002-077] 半导体直接键合的工艺方法
[CHL01-002-078] 一种高发光效率的磷化镓外延材料
[CHL01-002-079] 可燃性气体敏感元件
[CHL01-002-080] 制备叶绿素光伏电池工艺
[CHL01-002-081] 可切断的半导体器件及带有此器件的电路布置
[CHL01-002-082] ＭＯＳ电路的保护装置
[CHL01-002-083] 可关断半导体器件
[CHL01-002-084] 共地化半导体器件封装件的制造方法
[CHL01-002-085] 非晶态硅碳氢钝化工艺
[CHL01-002-086] 燃气热电磁控安全阀探测器材料
[CHL01-002-087] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-002-088] 在半导体片表面具有金属导线迹的半导体器件的制造方法
[CHL01-002-089] 按图案制造氧化物超导材料薄膜的方法
[CHL01-002-090] ＣＭＯＳ器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
[CHL01-002-091] 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
[CHL01-002-092] 可关断的大功率半导体元件及其制造方法
[CHL01-002-093] 半导体异质结构
[CHL01-002-094] 用红外线炉制造铜厚膜导体的方法
[CHL01-002-095] 复合氧化物超导薄膜或线材及其制造方法
[CHL01-002-096] 场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法
[CHL01-002-097] 厚膜超导电子器件及其制造方法
[CHL01-002-098] 热电变换器及其制造方法
[CHL01-002-099] 光生伏打装置及其制造方法
[CHL01-002-100] 两极管钼－铜引线的制作方法
[CHL01-002-101] 对半导体材料进行热处理的工艺和设备
[CHL01-002-102] 离子注入掺杂区域平面显示方法
[CHL01-002-103] 镓在硅台面管生产中的应用技术
[CHL01-002-104] 氢敏半导体器件及其制造方法
[CHL01-002-105] 晶片托架
[CHL01-002-106] 大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法
[CHL01-002-107] 电荷耦合器件
[CHL01-002-108] 生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法
[CHL01-002-109] 掺铟混晶锌扩散源
[CHL01-002-110] 改进的溶液生长硅薄膜的方法
[CHL01-002-111] 半埋栅静电感应晶体管(SIT)的制造方法和器件
[CHL01-002-112] ＣＭＯＳ／ＮＭＯＳ集成电路
[CHL01-002-113] 偏锡酸锌酒敏元件的制作
[CHL01-002-114] 一种固态开关器件
[CHL01-002-115] 铁电陶瓷材料
[CHL01-002-116] 铁电陶瓷材料
[CHL01-002-117] 嵌入数字门阵列中的模拟宏功能
[CHL01-002-118] 集成电路的保护结构
[CHL01-002-119] 一种微区敷膜技术与装置
[CHL01-002-120] 采用陶瓷超导元件的逻辑器件和存储器件
[CHL01-002-121] 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
[CHL01-002-122] 半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物
[CHL01-002-123] 半导体器件制造方法
[CHL01-002-124] 一种制造太阳能电池接触的改进方法
[CHL01-002-125] 磷化镓发光二极管电极制备工艺
[CHL01-002-126] 形成功能沉积膜的方法
[CHL01-002-127] 放大压电元件位移的装置及制造这种装置的方法
[CHL01-002-128] 电气器件及其制造方法
[CHL01-002-129] 垂直双极晶体管
[CHL01-002-130] 一种延长功率晶体管寿命的工艺
[CHL01-002-131] 高压垂直扩散场效应管及其制法
[CHL01-002-132] 超电导晶体管
[CHL01-002-133] ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法
[CHL01-002-134] 电气器件及其利用等离子体加工的制造方法
[CHL01-002-135] 埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法
[CHL01-002-136] 半导体组件及采用这种组件的计算机
[CHL01-002-137] 压电致动器
[CHL01-002-138] 可控功率半导体元件
[CHL01-002-139] 制造太阳能电池阵列的方法
[CHL01-002-140] 为非平面型半导体器件形成顶部接触
[CHL01-002-141] 可关断的半导体元件
[CHL01-002-142] 功率器件的自对准电报
[CHL01-002-143] 异质结双极晶体管
[CHL01-002-144] 制造太阳能电池阵列的方法
[CHL01-002-145] 一种制造半导体器件的方法
[CHL01-002-146] 无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法
[CHL01-002-147] 一种制造可关断晶闸管的方法
[CHL01-002-148] 电子器件的制造方法
[CHL01-002-149] 非易失性存储器及其制造方法
[CHL01-002-150] 基座及其制造方法
[CHL01-002-151] 环形三迭片压电超声振子及用其钳位的超声微动马达
[CHL01-002-152] 热电偶组件及其制造方法
[CHL01-002-153] 半导体器件
[CHL01-002-154] 载流子寿命的轴向调节方法
[CHL01-002-155] 具有抗反射层的叠层光生伏打器件
[CHL01-002-156] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-002-157] 提高功率晶体管间歇寿命的工艺
[CHL01-002-158] 偏锡酸锌丁烷气敏元件的制作方法
[CHL01-002-159] 耐高电压的场效应功率晶体固体组件
[CHL01-002-160] 半导体器件的制造方法
[CHL01-002-161] 铟锡氧化物薄膜的腐蚀方法
[CHL01-002-162] 超大规模集成电路静态随机存储器
[CHL01-002-163] 制造太阳能电池阵列的方法
[CHL01-002-164] 碳化硅超快速高温整流二极管
[CHL01-002-165] 碳化硅中形成蓝光发射二极管
[CHL01-002-166] 宽势阱半导体光电器件
[CHL01-002-167] 电源集成电路抗负载电压冲击的保护
[CHL01-002-168] 感湿体为致密陶瓷的湿敏元件制造方法
[CHL01-002-169] Ⅱ-Ⅵ族膜衬底蚀孔结构及加工方法
[CHL01-002-170] 集成电路电源脚的重新排列
[CHL01-002-171] 叠层型陶瓷元件及其制造方法
[CHL01-002-172] 常温半导体气体敏感元件的制备
[CHL01-002-173] 螺栓型晶闸管制造方法
[CHL01-002-174] 一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
[CHL01-002-175] 压电陶瓷元器件电极的生产工艺
[CHL01-002-176] 隧道型约瑟夫森器件及其制造方法
[CHL01-002-177] 半导体集成电路中的内电压变换器
[CHL01-002-178] 一种三维磁矢敏感器及其制造方法
[CHL01-002-179] 增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法
[CHL01-002-180] 制造超导制品的方法
[CHL01-002-181] 光敏半导体器件
[CHL01-002-182] 具有低阻薄层衬底结构的高压硅管
[CHL01-002-183] 电荷耦合器件含有该器件的图像传感器装置及装有该装置的摄象机
[CHL01-002-184] 光发射或接收装置、光发射或接收元件用的密封剂其封装方法
[CHL01-002-185] 电子部件、电子部件的封装剂以及封装方法
[CHL01-002-186] 外延沉积
[CHL01-002-187] 集成电路的制作方法及实施该方法的装置
[CHL01-002-188] 平面型约瑟夫逊器件
[CHL01-002-189] 氢敏元件及制造法
[CHL01-002-190] 含有辐射敏感元件的半导体器件
[CHL01-002-191] 光电混合集成半导体光双稳器件
[CHL01-002-192] 制备选择晶体生长基片的方法，选择晶体生长方法和利用该方法制备太阳电池的方...
[CHL01-002-193] 采用吸附扩散源的掺杂方法
[CHL01-002-194] 光致电压器件及其制造方法
[CHL01-002-195] 光电池组件的喷涂封装
[CHL01-002-196] 一种金属-半导体埸效应晶体管
[CHL01-002-197] 透明导电膜以及采用这种透明导电膜的交流粉末型场致发光显示板和液晶显示器
[CHL01-002-198] 设置在载体上的超大规模集成芯片的设计系统以及由该系统设计的模块
[CHL01-002-199] 热电池
[CHL01-002-200] ＭＯＳ集成电路防静电保护器
[CHL01-002-201] 用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
[CHL01-002-202] 整片串联和并联的光电组件
[CHL01-002-203] 硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
[CHL01-002-204] 生产扭矩传感器轴的方法
[CHL01-002-205] 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管
[CHL01-002-206] 选极晶体管
[CHL01-002-207] 固态、量子力学电子和空穴波器件
[CHL01-002-208] 非晶硅光电池片及其制造法
[CHL01-002-209] 母片式半导体集成电路
[CHL01-002-210] 精密正向特性二极管互换组件及制造方法
[CHL01-002-211] 互连结构
[CHL01-002-212] 铁电陶瓷
[CHL01-002-213] 高密度动态随机存取存储单元
[CHL01-002-214] 制作超导图案的方法
[CHL01-002-215] 一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管
[CHL01-002-216] 集成电路隔离工艺
[CHL01-002-217] 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
[CHL01-002-218] 半导体器件的制造方法
[CHL01-002-219] 光发射或接收装置及其制作方法