站内编号   专利名称
[CHL01-003-001] 一种半导体硅表面清洗方法
[CHL01-003-002] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-003] 液相外延等电子掺杂工艺
[CHL01-003-004] 一种获得半导体异质结与超晶格材料的方法及设备
[CHL01-003-005] 制造紫外增强型光电二极管的方法
[CHL01-003-006] 热电式燃具熄火保护用热电偶
[CHL01-003-007] 一种提高晶体管性能的方法
[CHL01-003-008] 砷化镓衬底上的混合并质外延
[CHL01-003-009] 低电容大面积半导体光电检测器及光电检测系统
[CHL01-003-010] 硅器件芯片背面银系溅射金属化
[CHL01-003-011] 电气薄膜元件
[CHL01-003-012] 陶瓷高温超导零件连接法
[CHL01-003-013] 一种电源装置
[CHL01-003-014] 位层积兼容的输入/输出电路
[CHL01-003-015] 电分色红外接收器件
[CHL01-003-016] 含有基座的半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-017] 半导体气相外延的减压方法及系统
[CHL01-003-018] 电荷耦合器件
[CHL01-003-019] 筒形超导厚膜量子干涉器
[CHL01-003-020] 发光二极管集成矩阵组件及制法
[CHL01-003-021] 集成电路再生供电法
[CHL01-003-022] 高光电转换效率的P-N结硅光电二极管
[CHL01-003-023] 用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法
[CHL01-003-024] 半导体功率器件
[CHL01-003-025] 一种半导体的掺杂技术
[CHL01-003-026] 一种开管铝镓扩散工艺
[CHL01-003-027] 具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
[CHL01-003-028] 一种制造半导体的方法
[CHL01-003-029] 发光半导体器件及其制造这种半导体器件的方法
[CHL01-003-030] 含静电电容元件的半导体装置及其制造方法
[CHL01-003-031] 半导体元件的电极和具有电极的半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-032] 改进了元件隔离结构及布线结构的半导体器件
[CHL01-003-033] 发光半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-034] 具有识别电路的半导体集成电路芯片
[CHL01-003-035] 一种硅膜电容压力传感器及其制造方法
[CHL01-003-036] 肖特基结半导体器件
[CHL01-003-037] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-038] 一种制造半导体元件的方法和由此方法制成的太阳能电池
[CHL01-003-039] 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺
[CHL01-003-040] 高度集成的半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-003-041] 电力晶体三极管
[CHL01-003-042] 半导体器件的隔离方法
[CHL01-003-043] 具有埋入电极的半导体器件
[CHL01-003-044] 用带有倾斜浇口的设备将半导体器件密封在模制物料中
[CHL01-003-045] 金属薄膜形成方法
[CHL01-003-046] 压电致动器
[CHL01-003-047] 在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备
[CHL01-003-048] 消除热应力的混合微电子器件
[CHL01-003-049] 一种大功率压电陶瓷材料
[CHL01-003-050] 直流驱动型超导量子干涉仪元件及其制造方法
[CHL01-003-051] 超大规模集成电路组件的自调节散热装置
[CHL01-003-052] 电子电路的散热装置
[CHL01-003-053] 整流二极管的制造方法
[CHL01-003-054] 一种光控双向晶闸管的设计
[CHL01-003-055] 一种双向晶闸管的烧结工艺
[CHL01-003-056] 一种改进大功率双向晶闸管换向能力的方法
[CHL01-003-057] 具有对准标记的半导体器件的制造方法
[CHL01-003-058] 半导体部件及其制造方法
[CHL01-003-059] 一种半导体器件静电放电特性的改进方法
[CHL01-003-060] 半导体台面器件钝化工艺
[CHL01-003-061] 一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺
[CHL01-003-062] 用于电子电路组件的壳体
[CHL01-003-063] 硅单晶薄片制造晶体管的方法
[CHL01-003-064] 永久性压电陶瓷晶片换能器
[CHL01-003-065] 封装
[CHL01-003-066] 铟镓砷光电探测器
[CHL01-003-067] 铟镓砷光电探测器
[CHL01-003-068] 硅的深槽刻蚀技术
[CHL01-003-069] 形成触头的方法和装置
[CHL01-003-070] 半导体引线架
[CHL01-003-071] 钠灯电子触发器及双向二极硅闸流管
[CHL01-003-072] 一种高压晶闸管制造方法及装置
[CHL01-003-073] 一种半导体器件的制造方法及其制得的器件
[CHL01-003-074] 日辐射发电
[CHL01-003-075] 光致负阻器件
[CHL01-003-076] 硅平面工艺中新的磷扩散技术
[CHL01-003-077] 单垒量子阱注入渡越时间半导体器件
[CHL01-003-078] 电子零件装配模件
[CHL01-003-079] 蓝-绿激光二极管
[CHL01-003-080] 腐蚀多孔硅用的腐蚀液、使用该腐蚀液的腐蚀方法及用该腐蚀液制作半导体基片的...
[CHL01-003-081] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-082] 半导体基体材料的制作方法
[CHL01-003-083] 阈值开关器件
[CHL01-003-084] 用于板面安装的环氧模塑组合物
[CHL01-003-085] 片式陶瓷铝扩散源
[CHL01-003-086] 倾角附加吸收区型超辐射发光管
[CHL01-003-087] 制造半导体器件的方法
[CHL01-003-088] 用于光电应用的均匀集聚太阳光通量的方法和装置
[CHL01-003-089] 可网版印刷的厚膜浆料组合物
[CHL01-003-090] △－掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法
[CHL01-003-091] 具有平面构图表面的多片组件和集成电路衬底
[CHL01-003-092] 热循环和老化粘合力高的富银导体组合物
[CHL01-003-093] 在顺序多层基片中集成淀积垂直电阻
[CHL01-003-094] 扩散法制作电路图案的方法和组合物
[CHL01-003-095] 激光高温超导开关
[CHL01-003-096] 向物体施加力的装置
[CHL01-003-097] 用于半导体存储器件的薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-003-098] 一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件
[CHL01-003-099] 半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
[CHL01-003-100] 半导体基体材料的制作方法
[CHL01-003-101] 半导体器件及其形成方法
[CHL01-003-102] 带反向ＭＩＳＦＥＴ基片的超导场效应晶体管及其制作方法
[CHL01-003-103] 半导体芯片封壳的加工方法
[CHL01-003-104] 熔断·壳式气敏元件结构
[CHL01-003-105] 一种太阳能电池的制造方法及其太阳能电池
[CHL01-003-106] 半导体装置
[CHL01-003-107] 提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法
[CHL01-003-108] 金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管
[CHL01-003-109] 电容热电器件
[CHL01-003-110] 类金刚石薄膜作光学增透膜的新应用
[CHL01-003-111] 具有多晶硅薄膜的半导体器件
[CHL01-003-112] 双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
[CHL01-003-113] 互补金属氧化物半导体集成电路
[CHL01-003-114] 用PVD和CVD法形成难熔金属覆盖的低阻金属导体线与通路
[CHL01-003-115] 难熔金属覆盖的低阻值金属导线和通道
[CHL01-003-116] 强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺
[CHL01-003-117] 制造欧姆接触的方法和具有欧姆接触的光电池
[CHL01-003-118] 扩散隐埋极板沟槽ＤＲＡＭ单元阵列
[CHL01-003-119] 用于扩散法制图的方法及组合物
[CHL01-003-120] 离子注入局部补偿集电区的方法
[CHL01-003-121] 可见光致发光的硅量子点制备方法
[CHL01-003-122] 发光线及其制造方法
[CHL01-003-123] 一种大功率晶体管的制造方法
[CHL01-003-124] 自屏蔽半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-125] 小电流耐热性好的电可擦存储元件
[CHL01-003-126] 晶体管与竖直腔面发射激光器的集成化
[CHL01-003-127] 形成半导体器件的方法
[CHL01-003-128] 发光二极管显示组件
[CHL01-003-129] 竖直腔面发射激光器光学互连工艺
[CHL01-003-130] 绝缘半导体管壳
[CHL01-003-131] 专用集成电路样机
[CHL01-003-132] 具双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-133] 电路及其制造方法
[CHL01-003-134] 薄膜晶体管和有源矩阵液晶显示器件
[CHL01-003-135] 一种半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-136] 1.06μm和10.6μm双波长增透薄膜器件
[CHL01-003-137] 半导体器件的散热器装配系统
[CHL01-003-138] 具有铜-半导体化合物冶金材料的电子器件
[CHL01-003-139] 用高能离子注入实现SI/n+埋层结构及元件内部互联
[CHL01-003-140] 半导体器件以及形成该器件的方法
[CHL01-003-141] 电子器件的冷却装置
[CHL01-003-142] 具有电路化表面和保持涂层的晶片载体
[CHL01-003-143] 无触点有源可调电阻
[CHL01-003-144] 静态感应装置
[CHL01-003-145] 微电子器件就位设置装置
[CHL01-003-146] 半导体器件
[CHL01-003-147] 圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法
[CHL01-003-148] 半导体温差电致冷组件及技术
[CHL01-003-149] 常温一氧化碳气体敏感元件的制备方法
[CHL01-003-150] 一种硅功率三极管管芯
[CHL01-003-151] 一种半导体扩散区结构及其制造方法
[CHL01-003-152] 改善效率的压电体驱动器系统
[CHL01-003-153] 半导体存贮器的老化使能电路及相应的老化测试方法
[CHL01-003-154] 表面可安装的时钟振荡器组件以及制造该组件的方法
[CHL01-003-155] 键合在绝缘体上硅的减薄方法
[CHL01-003-156] 叠层型陶瓷元件的制造方法
[CHL01-003-157] 一种具有双负阻特性的负阻器件
[CHL01-003-158] 大陶瓷制品及其制造方法
[CHL01-003-159] 一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
[CHL01-003-160] 光生伏打电池
[CHL01-003-161] 半导体存储器及其制造方法
[CHL01-003-162] 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
[CHL01-003-163] 光源及装配发光二极管的技术
[CHL01-003-164] 集成电路的制造方法和运用此方法获得的集成电路
[CHL01-003-165] 半导体器件
[CHL01-003-166] 化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层
[CHL01-003-167] 半导体器件及其形成方法
[CHL01-003-168] 一种硅双面太阳电池
[CHL01-003-169] 用于从基板上拆除电子元件的方法和装置
[CHL01-003-170] 去除硅中的杂质及提高其少数载流子寿命的方法
[CHL01-003-171] 激光脉冲检测用光电发射薄膜
[CHL01-003-172] 硅片直接键合方法
[CHL01-003-173] 简单、实用的电器封装材料
[CHL01-003-174] 厚膜电路的基片及其制造方法
[CHL01-003-175] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-176] 在集成电路中形成隔离的方法和结构
[CHL01-003-177] 激光加工方法
[CHL01-003-178] 高灵敏度的光电导膜及其制备方法
[CHL01-003-179] 利用二步退火制造PN结的技术
[CHL01-003-180] 半导体器件的制造方法
[CHL01-003-181] 一种电键或键盘的制造方法和该方法的产品
[CHL01-003-182] 处理半导体晶片的方法
[CHL01-003-183] 半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法
[CHL01-003-184] 双膜复合氢敏器件及其制备方法
[CHL01-003-185] 组合线圈感应耦合高密度等离子体源
[CHL01-003-186] 开关装置
[CHL01-003-187] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-188] 半导体存储器的制造方法
[CHL01-003-189] 圆形玻璃钝化二极体晶粒的制法
[CHL01-003-190] 形成半导体器件接触塞的方法
[CHL01-003-191] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-003-192] 电子电路
[CHL01-003-193] 半导体器件
[CHL01-003-194] 钛酸铋铁电薄膜的制备方法
[CHL01-003-195] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-196] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-197] 新型半导体器件
[CHL01-003-198] 套迭式晶体管电极及其制造技术
[CHL01-003-199] 改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及其制备方法
[CHL01-003-200] 晶体管及其制作方法
[CHL01-003-201] 一种击穿电压高的薄有源层半导体器件
[CHL01-003-202] 一种介质隔离半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-203] MIS半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-204] 功率V型场效应管及其制造方法
[CHL01-003-205] 形成微细图形的方法
[CHL01-003-206] 表面粘着式二极体的制造方法
[CHL01-003-207] 防止液体中杂质附着的溶液和使用它的腐蚀方法及装置
[CHL01-003-208] 晶体管及其制造方法
[CHL01-003-209] 镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管及其集成技术
[CHL01-003-210] 离子束致多重精细打印平面微细加工工艺
[CHL01-003-211] 太阳电池
[CHL01-003-212] 四极可关断晶闸管
[CHL01-003-213] 高速电路电光采样分析仪
[CHL01-003-214] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-215] 用于电子元件制造框架的预处理方法和设备
[CHL01-003-216] MIS半导体器件及其制造方法
[CHL01-003-217] 半导体存储器及其类型的设置方法
[CHL01-003-218] 电可擦可编程只读存储器,有其之存储器件和集成电路板
[CHL01-003-219] 开关晶体管装置