站内编号   专利名称
[CHL01-082-001] 硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
[CHL01-082-002] 半导体集成电路器件
[CHL01-082-003] 存储器件及其制造方法
[CHL01-082-004] 自对准分离栅与非型快闪存储器及制造工艺
[CHL01-082-005] 电荷耦合元件的电压控制装置及控制方法
[CHL01-082-006] 仿神经元突触结构的柔性三极管
[CHL01-082-007] 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-082-008] 源极及漏极中聚含掺质金属的晶体管
[CHL01-082-009] 薄膜晶体管元件
[CHL01-082-010] 芯片于感光元件上的封装结构及其电气封装结构
[CHL01-082-011] 一种太阳能转化电热能集成玻璃换热元件
[CHL01-082-012] 一种太阳能转化电热能集成全玻璃外壳换能元件
[CHL01-082-013] 光电半导体元件
[CHL01-082-014] 发光二极管结构
[CHL01-082-015] 可增加自发光线射出效率的发光二极管
[CHL01-082-016] 高功率LED封装
[CHL01-082-017] 表面纹理结构与一种最小化和局部化晶格常数及热涨系数失配的方法
[CHL01-082-018] 独石白光发光器件
[CHL01-082-019] 发光装置及其制造方法
[CHL01-082-020] 磁致伸缩执行器
[CHL01-082-021] 电子装置的制造方法
[CHL01-082-022] 位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
[CHL01-082-023] 具有水平电极的硫属化合物记忆胞及其形成方法
[CHL01-082-024] 有机发光二极管及包含其的显示面板与通讯装置
[CHL01-082-025] 使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行没有切口的蚀刻
[CHL01-082-026] 集成驱动器工艺流程
[CHL01-082-027] 导光装置
[CHL01-082-028] 减少在半导体装置制造过程中图案变形及光阻膜毒化的方法
[CHL01-082-029] 氧化铪铝介质薄膜
[CHL01-082-030] 基板处理装置及其基板处理方法
[CHL01-082-031] 半导体用研磨剂、该研磨剂的制造方法和研磨方法
[CHL01-082-032] 气体供给装置及处理系统
[CHL01-082-033] 氧化膜形成方法及氧化膜形成装置
[CHL01-082-034] 氧化层的方法及基板的相关支持装置
[CHL01-082-035] 改进的BEOL互连结构中的双层HDP CVD/PE CVD帽层及其方法
[CHL01-082-036] 副支架和半导体器件
[CHL01-082-037] 等离子体处理系统中的整合阶梯式统计过程控制
[CHL01-082-038] 过程控制系统用的动态目标设定方法及装置
[CHL01-082-039] 精密加工用载物台装置
[CHL01-082-040] 双金属镶嵌沟深度监控系统
[CHL01-082-041] 缩小集成电路的接触部尺寸以制造多阶层接触的方法
[CHL01-082-042] 沟槽肖特基势垒二极管
[CHL01-082-043] 平板传热装置及其制造方法
[CHL01-082-044] 电子对准电容性地耦合的芯片焊盘的方法和装置
[CHL01-082-045] 可表面安装的半导体器件及其制造方法
[CHL01-082-046] SOI晶片的制造方法
[CHL01-082-047] 部分耗尽硅基绝缘体器件结构的自对准主体结
[CHL01-082-048] 场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-082-049] 场效应晶体管
[CHL01-082-050] 垂直NROM
[CHL01-082-051] 用于成像探测器的半导体结构
[CHL01-082-052] 具有包括带金属电极网的反射镜的共振腔的MSM型光电检测器件
[CHL01-082-053] 包括阻挡层/子层的发光二极管及其制造方法
[CHL01-082-054] 半导体发光装置及其制法和半导体发光装置用反射器
[CHL01-082-055] GaN基发射辐射的薄膜半导体器件
[CHL01-082-056] 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
[CHL01-082-057] 压电执行器及其制造方法
[CHL01-082-058] 具有半导体路径的半导体装置及其制造方法
[CHL01-082-059] 制作阻挡层的方法
[CHL01-082-060] 光耦合器以及使用该光耦合器的电子设备
[CHL01-082-061] 处理装置
[CHL01-082-062] 半导体器件
[CHL01-082-063] 半导体器件和用于半导体器件的多层基板
[CHL01-082-064] 基板制造装置
[CHL01-082-065] 半导体封装及其制造方法
[CHL01-082-066] 半导体基板、半导体装置、及它们的制造方法
[CHL01-082-067] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-082-068] 衬底处理方法
[CHL01-082-069] 替代衬底及使用该替代衬底的衬底处理方法
[CHL01-082-070] 执行掩模图案的透射调节以改善处理宽容度的方法
[CHL01-082-071] 形成图案的方法，薄膜晶体管，显示设备及制法和应用
[CHL01-082-072] 抗蚀图形形成方法、利用该方法的半导体装置及其曝光装置
[CHL01-082-073] 多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板
[CHL01-082-074] 一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用
[CHL01-082-075] 镀膜装置
[CHL01-082-076] 冲洗的喷嘴与方法
[CHL01-082-077] 半导体晶片、其制造方法以及制造半导体器件的方法
[CHL01-082-078] 化学机械研磨方法、化学机械研磨系统、半导体器件制造方法
[CHL01-082-079] 固定在加强半导体晶圆上的加强板的分离方法及其装置
[CHL01-082-080] 制造半导体器件的方法
[CHL01-082-081] 半导体装置及半导体制造装置
[CHL01-082-082] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-082-083] 场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-082-084] 电子元件安装装置和电子元件安装方法
[CHL01-082-085] 半导体器件、其制造方法及其液晶模块和半导体模块
[CHL01-082-086] 半导体芯片、半导体装置、半导体装置的制造方法
[CHL01-082-087] 一种管状缺陷的检测方式
[CHL01-082-088] 半导体元件缺陷的检测方法
[CHL01-082-089] 半导体器件的错误评价支持方法与装置
[CHL01-082-090] 带电流检测功能的半导体集成电路及使用其的电源装置
[CHL01-082-091] 晶片等支撑部件
[CHL01-082-092] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-082-093] 制作通孔的方法
[CHL01-082-094] 半导体装置的制造方法
[CHL01-082-095] 半导体器件的制造方法及由此制造的半导体器件
[CHL01-082-096] 带收缩性离型膜的切割膜及使用其的半导体组件制造方法
[CHL01-082-097] 用于集成电路技术中的局部电阻元件的结构和方法
[CHL01-082-098] 专用半导体电路及半导体电路驱动器的资源配置方法
[CHL01-082-099] 闪存存储单元的制造方法
[CHL01-082-100] 非挥发性存储单元的制造方法
[CHL01-082-101] 快闪存储器结构及其制作方法
[CHL01-082-102] 浮置栅极的形成方法
[CHL01-082-103] 带有底切区域中的绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法
[CHL01-082-104] 闪速存储器的制造方法
[CHL01-082-105] 闪速存储器的制造方法
[CHL01-082-106] 影像感测器及其封装方法
[CHL01-082-107] 半导体器件
[CHL01-082-108] 布线衬底、使用该布线衬底的固态成像装置及其制造方法
[CHL01-082-109] 树脂密封型半导体装置及其制造方法
[CHL01-082-110] 半导体芯片的放热结构
[CHL01-082-111] 散热装置的制备方法
[CHL01-082-112] 半导体器件
[CHL01-082-113] 多层布线基板制造用层间构件及其制造方法
[CHL01-082-114] 半导体装置、磁传感器和磁传感器单元
[CHL01-082-115] 引线直接粘附到芯片的半导体封装及其制造方法和设备
[CHL01-082-116] 一种电子熔线及形成该电子熔线的制造方法
[CHL01-082-117] 低功率熔丝结构及其制造方法
[CHL01-082-118] 半导体器件及制造此器件的方法
[CHL01-082-119] 具有将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置
[CHL01-082-120] 多层基板堆栈封装结构
[CHL01-082-121] 电路装置
[CHL01-082-122] 电路装置
[CHL01-082-123] 半导体器件
[CHL01-082-124] 叠层式电子部件
[CHL01-082-125] 混合集成电路装置
[CHL01-082-126] 半导体装置制造方法、半导体装置和半导体芯片
[CHL01-082-127] 半导体装置及其金属栅极的形成方法
[CHL01-082-128] 电子器件和该电子器件的制造方法
[CHL01-082-129] 非易失性半导体存储器及其制造方法
[CHL01-082-130] 铁电存储器元件及其制造方法
[CHL01-082-131] 铁电体存储器元件及其制造方法
[CHL01-082-132] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-082-133] 与非门型闪存存储单元列及其制造方法
[CHL01-082-134] 存储单元列及其构成的阵列、及该阵列的制造与操作方法
[CHL01-082-135] 深沟渠式电容以及单晶体管静态随机存取内存单元的结构
[CHL01-082-136] 非挥发性存储单元及其制造方法
[CHL01-082-137] 基于电场可编程的存储设备
[CHL01-082-138] 光感测芯片的封装结构及其制造方法
[CHL01-082-139] 固态成像器件
[CHL01-082-140] 固体摄像装置和具有图像处理功能的便携电话机
[CHL01-082-141] 用于电荷转移元件的信号电荷转换器
[CHL01-082-142] 场效应晶体管
[CHL01-082-143] 具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
[CHL01-082-144] 沟道中具浅锗注入区的晶体管
[CHL01-082-145] 紫外线传感器及其制造方法
[CHL01-082-146] 大面积内部串联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
[CHL01-082-147] 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法
[CHL01-082-148] 一种立体吸光的丝状集成染料敏化太阳电池
[CHL01-082-149] 高光强光电管
[CHL01-082-150] 高发光效率的氮化物发光元件
[CHL01-082-151] 垂直结构的有机粘结发光组件
[CHL01-082-152] 具有欧姆金属接触的有机粘结发光组件
[CHL01-082-153] 一种长余辉发光二极管及制作方法
[CHL01-082-154] 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-082-155] 大功率发光二极管荧光粉固化工艺
[CHL01-082-156] 垂直结构的半导体芯片或器件（包括高亮度LED）
[CHL01-082-157] 固态元件和固态元件装置
[CHL01-082-158] 半导体发光装置及制造方法
[CHL01-082-159] 光源组件和车辆用前照灯
[CHL01-082-160] 半导体发光器件
[CHL01-082-161] 发光装置及照明装置
[CHL01-082-162] 压电陶瓷和压电元件
[CHL01-082-163] 用半导体工艺制作平面式气体传感器基底的方法
[CHL01-082-164] 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
[CHL01-082-165] 用于真空处理系统的传送处理室
[CHL01-082-166] 用于检测衬底位置/存在的共用传感器
[CHL01-082-167] 用于快速热处理装置的温度测量系统的光学路径提高、焦距变化补偿、以及漫射光...
[CHL01-082-168] 半导体晶片的制造方法
[CHL01-082-169] 减少半导体材料中的缺陷
[CHL01-082-170] 强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造...
[CHL01-082-171] 用于制造半导体器件的集群型灰化设备
[CHL01-082-172] 从衬底表面选择性去除材料的方法,用于晶片的掩盖材料和带有掩盖材料的晶片
[CHL01-082-173] 使用离散气体切换方法的高纵横比/深度蚀刻中的侧壁平滑
[CHL01-082-174] 薄膜晶体管
[CHL01-082-175] 包含金属硅化物栅和沟道注入的晶体管构件及其制造方法
[CHL01-082-176] 用化合物完全或部分覆盖至少一个电子元件的方法和设备
[CHL01-082-177] 微电极连接方法及基于其的连接结构
[CHL01-082-178] 各向异性导电连接器,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
[CHL01-082-179] 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
[CHL01-082-180] 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
[CHL01-082-181] SOI晶片的制造方法
[CHL01-082-182] 使用金属氧化物形成双重栅极氧化物器件的方法及其合成器件
[CHL01-082-183] 多层印刷线路板
[CHL01-082-184] 具有芯片级封装外壳的半导体器件
[CHL01-082-185] 放热用构件及其连接构造体
[CHL01-082-186] 使用碳纳米管和CVD增加热界面的导热率
[CHL01-082-187] 短路失效模式预制件的功能涂层
[CHL01-082-188] 高功率MCM封装
[CHL01-082-189] 电引线架的制造方法,表面安装的半导体器件的制造方法和引线架带
[CHL01-082-190] 隐埋数位线堆积及其制造方法
[CHL01-082-191] 集成电路及其制造方法
[CHL01-082-192] 铁电器件以及制造该器件的方法
[CHL01-082-193] NROM存储器元件,存储器阵列,相关装置和方法
[CHL01-082-194] 光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器
[CHL01-082-195] 场效应晶体管
[CHL01-082-196] 于基板上产生结构的方法
[CHL01-082-197] 电气结面中解除钉止半导体费米能阶的方法及结合该结面的设备
[CHL01-082-198] 具有肖特基结电极的半导体装置
[CHL01-082-199] 制造垂直栅极半导体器件的方法
[CHL01-082-200] 具有自对准结构的垂直栅半导体器件
[CHL01-082-201] 具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管
[CHL01-082-202] 微T型电极的制造方法
[CHL01-082-203] 用于成像探测器的封装结构
[CHL01-082-204] 饱和型磷光体固态发射器
[CHL01-082-205] 半导体器件的制造方法、半导体器件、电光装置用基板、电光装置和电子设备
[CHL01-082-206] 半导体装置、其电检查方法、以及具备它的电子设备
[CHL01-082-207] 一种制造半导体器件的方法
[CHL01-082-208] 具有双向对准图案的掩膜
[CHL01-082-209] 半导体装置、电光学装置、集成电路和电子仪器
[CHL01-082-210] 半导体薄膜制造方法及装置、光束成形掩模及薄膜晶体管
[CHL01-082-211] 半导体装置、电光学装置、集成电路及电子设备
[CHL01-082-212] 监测离子植入状态的芯片重复再使用的方法
[CHL01-082-213] 金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法
[CHL01-082-214] 将半导体晶片切割成小片的方法及使用这种方法的设备
[CHL01-082-215] 晶片的加工方法
[CHL01-082-216] 等离子体处理装置以及方法
[CHL01-082-217] 沉积方法与半导体器件
[CHL01-082-218] 自对准式薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-082-219] 制造半导体器件的方法