站内编号   专利名称
[CHL01-071-001] 氮化镓外延层的制造方法
[CHL01-071-002] 绝缘体上半导体沟道结构
[CHL01-071-003] 拉伸半导体结构
[CHL01-071-004] 批式处理装置及晶片处理方法
[CHL01-071-005] 硅外延层的形成方法
[CHL01-071-006] 在半导体衬底中制造半导体元件的方法
[CHL01-071-007] 堆叠式栅极结构及具有该堆叠式栅极结构的场效晶体管的制造方法
[CHL01-071-008] 在衬底上形成重量补偿/调节层的方法
[CHL01-071-009] 接触孔的形成方法和半导体器件的制造方法
[CHL01-071-010] 强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器
[CHL01-071-011] 工艺腔的清洗方法
[CHL01-071-012] 半导体器件的制造方法
[CHL01-071-013] 螺旋接触器制造方法
[CHL01-071-014] 半导体器件的制造方法
[CHL01-071-015] 内存组件的位线与位线接触窗的制造方法
[CHL01-071-016] 一种解耦噪声的方法和设备
[CHL01-071-017] 半导体集成电路的设计数据的处理方法
[CHL01-071-018] 半导体设计装置
[CHL01-071-019] 具有改善的驱动电流的半导体组件及其制造方法
[CHL01-071-020] 四方扁平无接脚型态的晶片封装结构及其工艺
[CHL01-071-021] 封装件及其制造方法
[CHL01-071-022] 自愈合I/C芯片和基板间底充材料中的裂缝的方法和结构
[CHL01-071-023] 带式电路衬底及使用该衬底的半导体芯片封装
[CHL01-071-024] 具有静电释放保护单元的集成电路装置
[CHL01-071-025] 半导体装置及显示装置
[CHL01-071-026] 设定集成内存测试模式电压供应之电路装置
[CHL01-071-027] 采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法
[CHL01-071-028] SONOS存储器及其制造和操作方法
[CHL01-071-029] 双浮栅结构的非易失性半导体存储器器件及其制造方法
[CHL01-071-030] 部分空乏SOI金氧半导体元件
[CHL01-071-031] 与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法
[CHL01-071-032] 半导体制造方法
[CHL01-071-033] 高敏感度的封装影像感测器及包含此影像感测器的装置
[CHL01-071-034] 高量子效率的影像传感器及其制造方法
[CHL01-071-035] 图像传感器及其制造方法
[CHL01-071-036] 大面积显示结构的密封
[CHL01-071-037] 制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法
[CHL01-071-038] 具有槽型结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-071-039] 具有深N井区的串接二极管结构及其形成方法
[CHL01-071-040] 用于蓝光的光接收元件及其制造方法
[CHL01-071-041] 发光二极管封胶制备过程中爬胶现象的控制方法
[CHL01-071-042] 光电子器件的晶片级封装
[CHL01-071-043] 硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
[CHL01-071-044] 具有太阳能电池的有机电激发光元件及其制造方法
[CHL01-071-045] 用于制造有机绝缘体的组合物
[CHL01-071-046] 微型电子基片的自动化加工用的减少占地的工具
[CHL01-071-047] 热处理装置以及热处理方法
[CHL01-071-048] 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件
[CHL01-071-049] CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法
[CHL01-071-050] 热处理装置
[CHL01-071-051] 热处理用舟式容器和立式热处理装置
[CHL01-071-052] 用于处理聚硅氮烷的溶剂和采用这种溶剂处理聚硅氮烷的方法
[CHL01-071-053] 等离子体处理装置
[CHL01-071-054] 高密度区域阵列焊料微接合互连结构及制造方法
[CHL01-071-055] 真空等离子体处理器及其操作方法
[CHL01-071-056] 被处理体的搬送装置和具有搬送装置的处理系统
[CHL01-071-057] 用于双重镶嵌式金属线的最佳衬层
[CHL01-071-058] 用于包括集成无源器件的非易失存储器器件的封装及其制造方法
[CHL01-071-059] 包括叠层无源器件的存储器器件封装及其制造方法
[CHL01-071-060] 有机半导体和方法
[CHL01-071-061] 半导体感光元件及其制造方法
[CHL01-071-062] 按两个时间上错开的步骤制造光导LED体的方法
[CHL01-071-063] 按两个在空间和时间上分开的阶段制造光导LED体的方法
[CHL01-071-064] 发光二极管及其发光二极管灯
[CHL01-071-065] EL显示器件及其制作方法
[CHL01-071-066] 有机发光二极管(OLED)及其制造方法
[CHL01-071-067] 形成多种宽度间隙壁的方法
[CHL01-071-068] 硅芯片/玻璃环键合装置
[CHL01-071-069] Cd1+xIn2-2xSn<...
[CHL01-071-070] 绝缘膜上硅（SOI）晶片上接触区的制造方法
[CHL01-071-071] 硬掩模的后等离子清洁处理
[CHL01-071-072] 光栅对准程序
[CHL01-071-073] 半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用
[CHL01-071-074] 合金型半导体纳米晶体及其制备方法
[CHL01-071-075] 形成栅极结构的方法
[CHL01-071-076] 半导体元件
[CHL01-071-077] 形成半导体组件的方法
[CHL01-071-078] 分离双电极酸性化学镀制备集成电路铜互连线的金属化方法
[CHL01-071-079] 用于切割在半导体衬底上形成的导线的方法和装置
[CHL01-071-080] 分割非金属基片的方法
[CHL01-071-081] 抛光半导体晶片的方法
[CHL01-071-082] 切片用粘着片、切片方法和半导体元件的制造方法
[CHL01-071-083] 用于切割保护带的方法和设备
[CHL01-071-084] 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法
[CHL01-071-085] 蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法
[CHL01-071-086] 半导体元件钝化方法
[CHL01-071-087] 半导体装置及其形成方法
[CHL01-071-088] 强电介质膜的形成方法以及半导体装置
[CHL01-071-089] 可避免短路的自行对准金属硅化物制程的处理方法
[CHL01-071-090] 消除晶片边缘剥离的方法
[CHL01-071-091] 在金属层蚀刻后移除光阻的方法
[CHL01-071-092] 处理方法及装置
[CHL01-071-093] 加热单元
[CHL01-071-094] 强化散热型封装结构及其形成方法
[CHL01-071-095] 半导体装置的制造方法及半导体装置
[CHL01-071-096] TAB带状载体制造方法
[CHL01-071-097] 晶粒检测分类装置及其方法
[CHL01-071-098] 桥接与连续性测试的测试式样
[CHL01-071-099] 微机械芯片测试探卡及制造方法
[CHL01-071-100] 芯片盘
[CHL01-071-101] 改善微笑效应的浅沟渠隔离结构的制造方法
[CHL01-071-102] 可简化制程的双镶嵌制程
[CHL01-071-103] 半导体多层布线板及其形成方法
[CHL01-071-104] 半导体装置
[CHL01-071-105] 在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
[CHL01-071-106] 形成半导体器件接触的方法
[CHL01-071-107] 平面显示面板的制造方法
[CHL01-071-108] 利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
[CHL01-071-109] 半导体存储装置的制造方法
[CHL01-071-110] 动态随机存取存储器制造方法及结构
[CHL01-071-111] 操作存储胞以及元件的方法
[CHL01-071-112] 非易失性存储装置的制造方法
[CHL01-071-113] 固态成像器件
[CHL01-071-114] 固态成像装置及其制造方法
[CHL01-071-115] 用于芯片搭载及封装的电绝缘树脂浆
[CHL01-071-116] 电子元件冷却装置
[CHL01-071-117] 温控式热管散热装置
[CHL01-071-118] 微米级芯片封装结构
[CHL01-071-119] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-071-120] 半导体装置及半导体组件
[CHL01-071-121] 层叠半导体器件及半导体芯片的控制方法
[CHL01-071-122] 显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
[CHL01-071-123] 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
[CHL01-071-124] 半导体器件
[CHL01-071-125] 一种三维互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
[CHL01-071-126] 一种三维多层平面互补金属氧化物半导体器件结构及其制备方法
[CHL01-071-127] 具有HMP金属栅的半导体器件
[CHL01-071-128] 强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器
[CHL01-071-129] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-071-130] 半导体装置组及其制造方法、半导体装置及其制造方法
[CHL01-071-131] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-071-132] 电容器及其制造方法和包括电容器的存储器件
[CHL01-071-133] 凹陷捕获型存储器
[CHL01-071-134] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-071-135] 能够实现反向读取的SONOS型快闪存储器阵列构架
[CHL01-071-136] 集成电路元件与位元组抹除的方法
[CHL01-071-137] 固体摄像装置
[CHL01-071-138] 固态成像装置及其制造方法
[CHL01-071-139] 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
[CHL01-071-140] 一种具有栅电介质的场效应器件及其制造方法
[CHL01-071-141] 为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
[CHL01-071-142] 薄膜晶体管结构
[CHL01-071-143] 具变换粒径的硅层结构以及通过热工艺形成此结构的方法
[CHL01-071-144] 具有含金属层的电激活器件
[CHL01-071-145] 光半导体装置
[CHL01-071-146] 发光装置
[CHL01-071-147] 发光器件及其制造方法
[CHL01-071-148] 半导体光学装置，在半导体光学装置中形成接触的方法
[CHL01-071-149] 白光发光二极管
[CHL01-071-150] Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件
[CHL01-071-151] 微型致冷器及其制备方法
[CHL01-071-152] 快插式防护型高响应热电偶
[CHL01-071-153] 磁致伸缩元件的制造方法、烧结用容器以及磁致伸缩元件
[CHL01-071-154] 有N-型半导体的设备
[CHL01-071-155] 半导体聚合物及其装置
[CHL01-071-156] 用于处理表面的调整及温度控制的方法及设备
[CHL01-071-157] 晶片固定器和半导体制作设备
[CHL01-071-158] 研磨垫及其制法和研磨方法
[CHL01-071-159] 研磨液及研磨方法
[CHL01-071-160] 用于制造具有包括用快速扩散形成的掺杂柱体的电压维持区的高压功率MOSFE...
[CHL01-071-161] 用于制作具有低K电介质性质的互连结构的方法
[CHL01-071-162] 半导体器件中的高频信号隔离
[CHL01-071-163] 蚀刻期间保持STI的结构和方法
[CHL01-071-164] 用于形成具有改进角部圆角化的浅槽隔离结构的方法
[CHL01-071-165] 外围晶体管的金属化触点形成方法
[CHL01-071-166] 用于支持球栅阵列的衬底中通路的排布
[CHL01-071-167] 具有垂直连接电容器的电子装置及其制造方法
[CHL01-071-168] 虚拟接地阵列的自动对准硅化栅
[CHL01-071-169] 含有掺杂柱的高压功率MOSFET
[CHL01-071-170] 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
[CHL01-071-171] 一种用于形成如图 5所示具有衬底(2)、带有至少一个沟槽(52)的电压维...
[CHL01-071-172] 采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统
[CHL01-071-173] 光子计数应用的崩溃光二极管及其方法
[CHL01-071-174] 使用线的有源器件
[CHL01-071-175] 压电器件
[CHL01-071-176] 激光辐射装置、激光辐射方法及制造半导体器件的方法
[CHL01-071-177] 衬底加热装置和多室衬底处理系统
[CHL01-071-178] 制造半导体器件中的电容器的方法
[CHL01-071-179] 半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底
[CHL01-071-180] 非临界层的临界尺寸的覆盖标记
[CHL01-071-181] 定盘、载物台装置及曝光装置以及曝光方法
[CHL01-071-182] 制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法
[CHL01-071-183] 制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法
[CHL01-071-184] 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法以及制备第Ⅲ族氮化物晶体的设备
[CHL01-071-185] 扩散系统
[CHL01-071-186] 一种形成凹槽栅极结构的方法
[CHL01-071-187] 一种具有扩散阻障层的栅极结构及其制作方法
[CHL01-071-188] 具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法
[CHL01-071-189] GaN基III-V主族化合物半导体器件和p型电极
[CHL01-071-190] 一种自行对准接触窗结构的制造方法
[CHL01-071-191] 用于制造自行对准接触窗结构的方法
[CHL01-071-192] 用于漂洗和干燥半导体衬底的系统及其方法
[CHL01-071-193] 晶片分割方法
[CHL01-071-194] 用于选择性各向异性刻蚀应用的不饱和氧化碳氟化合物
[CHL01-071-195] 处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法
[CHL01-071-196] 半导体装置的制造方法
[CHL01-071-197] 半导体装置的制造方法
[CHL01-071-198] 半导体装置及其制造方法以及半导体装置的制造装置
[CHL01-071-199] 半导体器件的制造方法以及半导体器件
[CHL01-071-200] 复合材料和晶片保持部件及其制造方法
[CHL01-071-201] 一种离子布植制程的监控方法
[CHL01-071-202] 线圈高度测量装置与方法
[CHL01-071-203] 静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法
[CHL01-071-204] 浅沟渠隔离结构及其制造方法
[CHL01-071-205] 形成良好方形轮廓的字符线间隙壁的制造方法
[CHL01-071-206] 半导体器件的制造方法
[CHL01-071-207] 半导体器件的制造方法
[CHL01-071-208] 加工装置
[CHL01-071-209] 光半导体集成电路装置的制造方法
[CHL01-071-210] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-071-211] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-071-212] 半导体集成电路的布线设计方法以及半导体集成电路
[CHL01-071-213] 制造半导体器件的方法
[CHL01-071-214] 半导体器件的制造方法
[CHL01-071-215] 调节半导体器件中载流子迁移率的方法和装置
[CHL01-071-216] 用于调节半导体器件的载流子迁移率的结构和方法
[CHL01-071-217] 埋入式电容器介层窗的制造方法
[CHL01-071-218] 电路部件搭载用基板
[CHL01-071-219] 以基板为基础的集成电路封装