站内编号   专利名称
[CHL01-063-001] 半导体装置的制造方法
[CHL01-063-002] 集成电路用送电系统及其他系统
[CHL01-063-003] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-063-004] 制造集成电路的方法、该方法获得的集成电路、提供有该方法获得的集成电路的晶...
[CHL01-063-005] 具有用于大电流功率控制的功率半导体组件的装置及应用
[CHL01-063-006] 半导体器件以及半导体器件的制造方法
[CHL01-063-007] 光电传感器
[CHL01-063-008] 使用固体电解质的电气元件
[CHL01-063-009] 基板的热处理方法
[CHL01-063-010] 自对准双侧面垂直金属-绝缘体-金属电容
[CHL01-063-011] 涂布装置及涂布方法
[CHL01-063-012] 利用N2O在碳化硅层上制造氧化物层的方法
[CHL01-063-013] 均匀抛光微电子器件的方法
[CHL01-063-014] 有机硅氧烷膜的处理方法及装置
[CHL01-063-015] 用于提高半导体表面条件的方法
[CHL01-063-016] 形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法
[CHL01-063-017] 具有连续沉积和蚀刻的电离PVD
[CHL01-063-018] 半导体器件和电压调节器
[CHL01-063-019] 模块部件
[CHL01-063-020] 半导体装置、半导体装置的制造方法及其电子设备
[CHL01-063-021] 具有轻掺杂源结构的凹槽DMOS晶体管
[CHL01-063-022] 带有自对准源极和接触的沟槽型场效应晶体管
[CHL01-063-023] 包括光提取改型的发光二极管及其制作方法
[CHL01-063-024] 具有量子阱和超晶格的基于Ⅲ族氮化物的发光二极管结构
[CHL01-063-025] 具有深植入结的功率MOSFET
[CHL01-063-026] 热电设备
[CHL01-063-027] 晶片传送设备
[CHL01-063-028] 平面金属电加工
[CHL01-063-029] 等离子体处理装置和等离子体处理方法
[CHL01-063-030] 电路元件安装方法以及加压装置
[CHL01-063-031] 形成焊盘的方法以及其结构
[CHL01-063-032] 使用终点系统以配合机床中个别加工站
[CHL01-063-033] 提供去除速率曲线处理的化学机械抛光设备的反馈控制
[CHL01-063-034] 用于纳米光刻的平行的、可单独寻址的探针
[CHL01-063-035] 具有大容量热接触面的电子组件及其制造方法
[CHL01-063-036] 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及...
[CHL01-063-037] 薄膜半导体器件及其制造方法
[CHL01-063-038] 显示装置及其制造方法、以及投影型显示装置
[CHL01-063-039] 热运动电子整流装置及用其将物体的热转换为电能的方法
[CHL01-063-040] 相变材料存储器装置
[CHL01-063-041] 用于有机薄膜晶体管的表面改性层
[CHL01-063-042] 硼和铝化合物在电子组件中的应用
[CHL01-063-043] 发光材料和有机发光装置
[CHL01-063-044] 半导体表面钝化方法
[CHL01-063-045] 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法
[CHL01-063-046] 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
[CHL01-063-047] 薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠层结构的制造方法
[CHL01-063-048] ZnO∶M2O3(M=Al、...
[CHL01-063-049] 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
[CHL01-063-050] 纳米间隙电极的制备方法
[CHL01-063-051] 制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法
[CHL01-063-052] 基于半导体材料的纳米线制作方法
[CHL01-063-053] 激光退火装置及其激光退火方法
[CHL01-063-054] 薄膜晶体管的结构和制造方法
[CHL01-063-055] 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-063-056] 光伏半导体薄膜渡液及其制备方法
[CHL01-063-057] 电路载板的制造方法
[CHL01-063-058] 导电通孔制作工艺
[CHL01-063-059] 封装对准结构
[CHL01-063-060] 一种即插即用片上测试向量生成电路及方法
[CHL01-063-061] 一种时钟网络布线的曼哈顿平面化切割线生成方法
[CHL01-063-062] 一种用于集成电路设计的静止图像熵编码方法
[CHL01-063-063] 一种用于集成电路设计的静止图像压缩码率控制方法
[CHL01-063-064] 包含黑盒的电路设计验证与错误诊断方法
[CHL01-063-065] 复合蓝宝石衬底基片及其制备方法
[CHL01-063-066] 载体
[CHL01-063-067] 薄膜晶体管基板及制造方法
[CHL01-063-068] 电子部件和半导体装置及其制造方法、电路基板及电子设备
[CHL01-063-069] 结构重复的静电放电保护电路
[CHL01-063-070] 半导体照明发光体
[CHL01-063-071] 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
[CHL01-063-072] 场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-063-073] 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
[CHL01-063-074] 制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法
[CHL01-063-075] 彩色透明冷光源硅晶体块
[CHL01-063-076] 光源模块
[CHL01-063-077] 具有半导体主体的发光光学元件
[CHL01-063-078] 高光强光电管
[CHL01-063-079] 电子元件
[CHL01-063-080] 通用模块化晶片输送系统
[CHL01-063-081] 晶片机
[CHL01-063-082] 用于半导体材料处理系统的一体化机架
[CHL01-063-083] 用于研磨的工件保持盘及工件研磨装置及研磨方法
[CHL01-063-084] 在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法和形成在绝缘体上硅基底上的腔结构
[CHL01-063-085] 处理方法
[CHL01-063-086] 使用整合式度量的串级控制方法及装置
[CHL01-063-087] 电子部件用封装体、其盖体、其盖体用盖材以及其盖材的制法
[CHL01-063-088] 可压力接触的功率半导体模块
[CHL01-063-089] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-063-090] 带多行焊接焊盘的半导体芯片
[CHL01-063-091] 开关器件
[CHL01-063-092] UMOSFET器件及其制造方法
[CHL01-063-093] 绝缘体上硅高压器件结构
[CHL01-063-094] 发光元件及使用它的发光装置
[CHL01-063-095] 霍尔器件和磁传感器
[CHL01-063-096] 改进的有机发光器件密封
[CHL01-063-097] 组合物、方法和电子器件
[CHL01-063-098] 自组织生长均匀有序半导体量子点阵列的方法
[CHL01-063-099] 一种绝缘层上硅结构及制备方法
[CHL01-063-100] 强流氧离子注入机的晶片自转动装置
[CHL01-063-101] 一种用于硅各向异性腐蚀的装置
[CHL01-063-102] 一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺
[CHL01-063-103] 激光退火装置及激光退火工艺
[CHL01-063-104] 薄膜晶体管及其制作方法
[CHL01-063-105] 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
[CHL01-063-106] 测量半导体过剩载流子迁移率和扩散长度的装置及方法
[CHL01-063-107] 支撑架及应用此支撑架的传送机构
[CHL01-063-108] 气浮XY两坐标平面运动平台
[CHL01-063-109] 0.35μm LDMOS高压功率显示驱动器件的设计方法
[CHL01-063-110] 一种超大规模集成电路P/G布线网快速分析方法
[CHL01-063-111] 一种线间串扰减速效应的时延测试生成方法
[CHL01-063-112] 可处理VLSI中树网混合供电结构的高速高精度瞬态仿真方法
[CHL01-063-113] 曲面热管散热器及其应用方法
[CHL01-063-114] 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
[CHL01-063-115] 一种ZnO基透明薄膜晶体管及其制备方法
[CHL01-063-116] 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管
[CHL01-063-117] 软基固态染料敏化薄膜太阳能电池及制备方法
[CHL01-063-118] 基于聚合物掺杂准固态电解质材料的太阳能电池及其制备方法
[CHL01-063-119] 一种采用有机/无机纳米杂化准固态电解质的太阳能电池及其制备方法
[CHL01-063-120] 提高TiO2光电池光电转换效率的方法
[CHL01-063-121] 高散热LED发光组件及其制造方法
[CHL01-063-122] 一种GaN基发光二极管的制作方法
[CHL01-063-123] 白光二极管制造方法
[CHL01-063-124] 一种发光二极管
[CHL01-063-125] 多层压电复合膜结构的压电驱动器件
[CHL01-063-126] 一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件
[CHL01-063-127] 溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法
[CHL01-063-128] 一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
[CHL01-063-129] 末端操纵器组件
[CHL01-063-130] 旋转-清洗-干燥器用的亲水部件
[CHL01-063-131] 具有使用氟气的清洗装置的CVD设备以及在CVD设备中使用氟气的清洗方法
[CHL01-063-132] 半导体器件的制造方法
[CHL01-063-133] CMP用研磨垫片、使用它的基板的研磨方法及CMP用研磨垫片的制造方法
[CHL01-063-134] 抛光装置及基片处理装置
[CHL01-063-135] 热处理方法及热处理装置
[CHL01-063-136] 具有带易于浮岛形成的台阶式沟槽的电压维持层的功率半导体器件的制造方法
[CHL01-063-137] 铸模半导体晶片的装置及工艺
[CHL01-063-138] 允许具有带接触焊盘的面的电器件的电和机械连接的工艺
[CHL01-063-139] 控制被检查体温度的探测装置及探测检查方法
[CHL01-063-140] 多芯片互连系统
[CHL01-063-141] 导热性基板的制造方法
[CHL01-063-142] 单片倒装芯片中的多个半导体器件
[CHL01-063-143] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-063-144] 固态成像装置及制造固态成像装置的方法
[CHL01-063-145] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-063-146] 用于微机电系统(MEMS)器件的锚固件
[CHL01-063-147] 制造用于热电能量直接转化的装置的方法
[CHL01-063-148] 炉管产能监视系统及其运作方法
[CHL01-063-149] 一种修补显示器面板上薄膜电晶体线路的方法
[CHL01-063-150] 布线及其制造方法、包括所说布线的半导体器件及干法腐蚀方法
[CHL01-063-151] 多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制程
[CHL01-063-152] 叠合标记的结构以及其形成方法
[CHL01-063-153] 形成具有圆化边角的接触窗口的方法及半导体结构
[CHL01-063-154] 叠合标记的结构以及其形成方法
[CHL01-063-155] 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
[CHL01-063-156] 多晶硅薄膜的制造方法
[CHL01-063-157] 薄膜晶体管的多晶硅制造方法
[CHL01-063-158] 金属硅化双层结构及其形成方法
[CHL01-063-159] 一种半导体晶元表面清洁方法
[CHL01-063-160] 快速排水清洗槽
[CHL01-063-161] 化学机械研磨工艺及装置
[CHL01-063-162] 使半导体沉积层平整的方法
[CHL01-063-163] 用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统
[CHL01-063-164] 提高感测组件组装良品率的方法
[CHL01-063-165] 防止凝结液污染基板的方法与装置
[CHL01-063-166] ONO介电质及其制造方法
[CHL01-063-167] 改善纯硅玻璃与磷硅玻璃界面缺陷的方法及其含磷结构
[CHL01-063-168] 物理气相沉积装置
[CHL01-063-169] 金属层的改质方法
[CHL01-063-170] 形成阻障层的方法与结构
[CHL01-063-171] 低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-063-172] 低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
[CHL01-063-173] 集成电路封装基板的实心导电过孔成形方法
[CHL01-063-174] IC封装基板的电镀引线布设处理方法及电镀引线结构
[CHL01-063-175] 影像感测器封装方法
[CHL01-063-176] 电子元件的封装方法
[CHL01-063-177] 侧向离子束诱导电荷显微分析技术
[CHL01-063-178] 记忆卡中RTL级的实时硬件测试平台及其测试方法
[CHL01-063-179] 测试载板
[CHL01-063-180] 堆栈测试方法
[CHL01-063-181] 一种用于微芯片分析的正交光路型荧光检测装置
[CHL01-063-182] 测试高速资料传输率的方法
[CHL01-063-183] 静电放电保护结构及其制程
[CHL01-063-184] 浅沟渠隔离结构的制造方法
[CHL01-063-185] 形成倍密式字符线的方法
[CHL01-063-186] 金属内连线的制造方法
[CHL01-063-187] 具有金属层分割道的阵列式工件的切割方法
[CHL01-063-188] 避免深渠沟的顶部尺寸扩大的方法
[CHL01-063-189] 隔离具有部分垂直信道记忆单元的主动区的方法
[CHL01-063-190] 非挥发性存储器及其制造方法
[CHL01-063-191] 控制沟槽顶部尺寸的方法
[CHL01-063-192] 具有单边埋藏带的记忆胞的制造方法
[CHL01-063-193] 具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程
[CHL01-063-194] 只读存储器的制造方法
[CHL01-063-195] 增进氮化硅只读存储器的存储单元保持力的方法
[CHL01-063-196] 具有散热件的半导体封装件
[CHL01-063-197] 双面覆晶薄膜
[CHL01-063-198] 具有柔性电路板的芯片封装基板及其制造方法
[CHL01-063-199] 具有高散热效能的半导体封装件及其制法
[CHL01-063-200] 内建有散热鳍片的功能模块
[CHL01-063-201] 散热鳍片及鳍片组件
[CHL01-063-202] 用于计算机芯片散热的微型制冷系统
[CHL01-063-203] 环流通道式热传导的热交换装置
[CHL01-063-204] 覆晶封装接合结构及其制造方法
[CHL01-063-205] 芯片型电子组件的外端电极材料及其制备方法
[CHL01-063-206] 在芯片上植设导电凸块的半导体封装件及其制法
[CHL01-063-207] 具有散热片的半导体封装体
[CHL01-063-208] 可提高接地品质的半导体封装件及其导线架
[CHL01-063-209] 高速内存的封装结构
[CHL01-063-210] 半导体的三明治抗反射结构金属层及其制程
[CHL01-063-211] 高密度集成电路
[CHL01-063-212] 一种互补金属氧化物半导体集成电路及其制备方法
[CHL01-063-213] 影像感测器封装构造及其封装方法
[CHL01-063-214] 影像感测器封装结构
[CHL01-063-215] 绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法
[CHL01-063-216] 新型环栅垂直SiGeC MOS器件
[CHL01-063-217] 一种双栅金属氧化物半导体晶体管及其制备方法
[CHL01-063-218] 双沟道积累型变容管及其制造方法
[CHL01-063-219] 提高细菌视紫红质薄膜脉冲光电转换能力的方法