站内编号   专利名称
[CHL01-061-001] 存储器及其制造方法以及半导体装置的制造方法
[CHL01-061-002] 非易失半导体存储器
[CHL01-061-003] 字节操作非易失性半导体存储装置
[CHL01-061-004] 固体摄像器件及其制造方法
[CHL01-061-005] 固体摄像装置
[CHL01-061-006] 一种改善光电二极管线性特性的固体摄像装置及驱动方法
[CHL01-061-007] 固体摄像装置及其制造方法
[CHL01-061-008] 固态成像装置的制造方法
[CHL01-061-009] 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
[CHL01-061-010] 具有防止等离子体损害的光子吸收层的半导体器件
[CHL01-061-011] 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置
[CHL01-061-012] 叠层型光电元件以及电流平衡调整方法
[CHL01-061-013] 单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法
[CHL01-061-014] 发光二极管装置
[CHL01-061-015] LED器件及使用其的便携式电话机、数码照相机和LCD装置
[CHL01-061-016] 具有荧光多层结构的发光二极管装置
[CHL01-061-017] GaN单晶衬底及其制造方法
[CHL01-061-018] 压电元件形成部件及其制造方法、压电致动器单元和液体喷射头
[CHL01-061-019] 制造OLED显示器的具有至少一个热转移工位的方法和系统
[CHL01-061-020] 包含智能通道门的SMIF装载通道接口
[CHL01-061-021] 有机硅树脂和由其生产的多孔材料
[CHL01-061-022] 形成含有金属的材料和电容器电极的方法以及电容器结构
[CHL01-061-023] 干式显影方法
[CHL01-061-024] 用于单离子注入的方法和系统
[CHL01-061-025] 使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构
[CHL01-061-026] 具有孔和/或槽的化学机械抛光垫
[CHL01-061-027] 具有波形槽的化学机械抛光垫
[CHL01-061-028] 等离子体装置
[CHL01-061-029] 将氨用于刻蚀有机低K电介质
[CHL01-061-030] 机械手
[CHL01-061-031] 带有埋设电感器的无引线芯片承载器的制造结构和方法
[CHL01-061-032] 具有无凸块的叠片互连层的微电子组件
[CHL01-061-033] 可升级的自对齐双浮动栅极存储单元阵列以及形成该阵列的方法
[CHL01-061-034] 摄像装置
[CHL01-061-035] 功能装置及其制造方法
[CHL01-061-036] 用于包括外延硅末端的超薄型氧化物上硅器件的方法及其制造的物件
[CHL01-061-037] 雪崩击穿存储器件及其使用方法
[CHL01-061-038] 制造太阳能电池的方法
[CHL01-061-039] 电极制品
[CHL01-061-040] 一种用于扩散、氧化、外延工艺的清洗溶液
[CHL01-061-041] 通过预处理实现界面更加平滑的钴硅化物工艺
[CHL01-061-042] 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
[CHL01-061-043] 使用高电阻硅化物靶材生长硅化物的工艺
[CHL01-061-044] 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法
[CHL01-061-045] 半导体薄膜后处理系统及样品架
[CHL01-061-046] 半导体薄膜表面刻蚀设备
[CHL01-061-047] 薄膜半导体器件的制造方法
[CHL01-061-048] 通过离子注入实现晶粒更加细小的钴硅化物工艺
[CHL01-061-049] 充气退火炉
[CHL01-061-050] 高频电磁辐射钎料微凸台重熔互连方法
[CHL01-061-051] 晶片探测器
[CHL01-061-052] 基板温度测定方法
[CHL01-061-053] 一种控制STI CMP工艺中残余氮化硅厚度稳定性的方法
[CHL01-061-054] 基于多层次等效电路模型的集成电路电源网络瞬态分析求解方法
[CHL01-061-055] 制备多晶硅的方法
[CHL01-061-056] 用于电子光学器件的半导体电路及其制造方法
[CHL01-061-057] 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
[CHL01-061-058] 功率型半导体固体照明光源及其封装制备方法
[CHL01-061-059] 功率型光发射二极管管芯元件及含管芯的照明光源
[CHL01-061-060] 大功率发光二极管
[CHL01-061-061] 高分子压电材料有序取向装置
[CHL01-061-062] 一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法
[CHL01-061-063] 一种掺铜、锌的镧锶锰类钙钛矿结构氧化物磁电阻材料及其制备方法
[CHL01-061-064] 一种相变薄膜材料纳米线的制备方法
[CHL01-061-065] 含有修饰层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法
[CHL01-061-066] 半导体晶片
[CHL01-061-067] 成膜方法和成膜装置
[CHL01-061-068] 外延晶片及其制造方法
[CHL01-061-069] 低K技术中的铜通孔
[CHL01-061-070] 半导体器件及其制造方法和无线通信装置
[CHL01-061-071] 半导体器件及其制造方法、以及电镀液
[CHL01-061-072] 胶粘带
[CHL01-061-073] 使用半导体芯片的半导体装置
[CHL01-061-074] 导电导热的界面
[CHL01-061-075] 用于显微机械加工晶体材料的蚀刻工艺和由此制造的装置
[CHL01-061-076] 强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装...
[CHL01-061-077] 强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装...
[CHL01-061-078] 图像检测装置
[CHL01-061-079] 垂直金属氧化物半导体场效应二极管
[CHL01-061-080] 辐射构件及其引线框和壳体及带辐射构件的显示装置和/或照明装置
[CHL01-061-081] 发光二极管灯
[CHL01-061-082] 使用半导体芯片的半导体装置
[CHL01-061-083] 磁电变换元件及其制造方法
[CHL01-061-084] 基于2,5-二氨基对苯二酸衍生物的有机场致发光器件
[CHL01-061-085] CdSe量子点的制备方法
[CHL01-061-086] 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法
[CHL01-061-087] 离子注入机
[CHL01-061-088] 一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法
[CHL01-061-089] 一种硅半导体器件双级台阶结构的湿法化学腐蚀方法
[CHL01-061-090] 锆钛酸铅铁电薄膜的湿法刻蚀方法
[CHL01-061-091] 集成电路制造技术中可消除光刻中光刻胶毒化的工艺
[CHL01-061-092] 一种去除铜籽晶表面氧化膜及增强铜层黏附力的前处理工艺
[CHL01-061-093] 陶瓷封装基板的制造方法
[CHL01-061-094] 制造影像传感器的方法
[CHL01-061-095] 一种半导体器件集合
[CHL01-061-096] 可编程逻辑器件结构
[CHL01-061-097] 层次式可编程互连线结构
[CHL01-061-098] 一种减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法
[CHL01-061-099] 集成电路布图规划与缓冲器规划集成的布局方法
[CHL01-061-100] 闪烁存储器控制栅堆积结构的侧壁形成工艺
[CHL01-061-101] 在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺
[CHL01-061-102] 深亚微米CMOS源漏制造技术中的工艺集成方法
[CHL01-061-103] CMOS制造中改进热载流子效应的工艺集成方法
[CHL01-061-104] 电子芯片偏置风扇轴线式散热器
[CHL01-061-105] 导线布局结构
[CHL01-061-106] 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
[CHL01-061-107] 一种薄膜太阳能电池及其制备方法
[CHL01-061-108] 侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯
[CHL01-061-109] 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法
[CHL01-061-110] 一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺
[CHL01-061-111] 一种氧化锌同质结p-n结材料及其制备方法
[CHL01-061-112] 发光二极管封装结构及其封装方法
[CHL01-061-113] 以二次激光方式产生白光光源的方法及其白光发光组件
[CHL01-061-114] 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置
[CHL01-061-115] 相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法
[CHL01-061-116] 氧化铁/二氧化锡双层薄膜乙醇敏感元件的制造方法
[CHL01-061-117] 快速热处理的快速环境转换系统和方法
[CHL01-061-118] 晶片级下填和互连工艺
[CHL01-061-119] 基片处理装置
[CHL01-061-120] 用于半导体制造系统的加热器模块
[CHL01-061-121] 利用超薄氧扩散阻挡层防止晶体管中的横向氧化的联合方法和装置
[CHL01-061-122] 识别在掩模层上的虚拟特征的系统和方法
[CHL01-061-123] 减小电解抛光工艺中的金属凹槽的虚拟结构
[CHL01-061-124] 退火晶片的制造方法以及退火晶片
[CHL01-061-125] 具有内嵌的沟槽肖特基整流器的沟槽DMOS晶体管
[CHL01-061-126] 使用高K值电介质的改进硅化物工艺
[CHL01-061-127] 用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片
[CHL01-061-128] 集束传输装置和传送控制方法
[CHL01-061-129] 形成用于衬底的凸起触点的方法
[CHL01-061-130] 掺杂碳和硅的铜互连
[CHL01-061-131] 带内插器的高性能、低成本微电子电路封装
[CHL01-061-132] 具有降低的功率分配阻抗的互连模块
[CHL01-061-133] 光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
[CHL01-061-134] 带电容器的集成电路封装
[CHL01-061-135] 用于混合信号RF应用和电路的集成电路结构
[CHL01-061-136] 垂直双栅极场效应晶体管
[CHL01-061-137] 由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管
[CHL01-061-138] 用于形成触点的方法及封装的集成电路组件
[CHL01-061-139] 压电激励器
[CHL01-061-140] 高分子半导体溶液
[CHL01-061-141] 半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法
[CHL01-061-142] 图形形成方法
[CHL01-061-143] T型栅金属剥离方法
[CHL01-061-144] 半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法
[CHL01-061-145] 自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法
[CHL01-061-146] 清洗孔洞材料的方法及其装置
[CHL01-061-147] 等离子腐蚀反应器
[CHL01-061-148] 腐蚀晶片的方法
[CHL01-061-149] 移除氮化硅层的方法
[CHL01-061-150] 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
[CHL01-061-151] 位元线接触的充填方法
[CHL01-061-152] 将非晶硅转换为多晶硅的方法
[CHL01-061-153] 一种高性能纳米晶体管的制备方法
[CHL01-061-154] 可改善组件特性的高压组件的制造方法
[CHL01-061-155] 半导体器件的制造方法
[CHL01-061-156] 具有树脂封壳的元件及其制作方法
[CHL01-061-157] 半导体装置封装方法
[CHL01-061-158] 开窗型球栅列阵半导体封装件及其制法与所用的芯片承载件
[CHL01-061-159] 多层线路的薄型集成电路制造方法
[CHL01-061-160] 用以厘清漏电流发生原因的半导体测试结构
[CHL01-061-161] 用以测试穴袋植入结果的测试结构
[CHL01-061-162] 利用遮蔽式鸟嘴改善高密度快闪记忆体穿隧氧化层边缘电崩溃的方法
[CHL01-061-163] 可减少角落凹陷的沟道式隔离组件的形成方法
[CHL01-061-164] 可避免产生扭曲效应的浅沟道隔离组件的制造方法
[CHL01-061-165] 改善浅沟隔离漏电的方法及浅沟隔离结构
[CHL01-061-166] 位元线的形成方法
[CHL01-061-167] 改进位元线和位元线接触短路的结构与方法
[CHL01-061-168] 镶嵌结构的位元线接触窗插塞的制作方法
[CHL01-061-169] 有DP阱的BiMOS数模混合集成电路及其制造方法
[CHL01-061-170] 整合微机电装置及集成电路的制造流程的方法
[CHL01-061-171] 集成电路制造中捕捉与使用设计企图的方法与装置
[CHL01-061-172] 混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法
[CHL01-061-173] 具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程
[CHL01-061-174] 动态随机存取存储器的结构及其制作方法
[CHL01-061-175] 布线基板、有布线基板的半导体装置及其制造和安装方法
[CHL01-061-176] 防止半导体封装件中散热片溢胶的散热片装置
[CHL01-061-177] 内建有平板式散热元件的功能模块
[CHL01-061-178] 内建有散热鳍片的功能模块
[CHL01-061-179] 设有触接垫的半导体装置
[CHL01-061-180] 由导线架建构的无管脚式半导体封装件及工序
[CHL01-061-181] 字符线交接点布局结构
[CHL01-061-182] 具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
[CHL01-061-183] 静电放电保护元件及其制造方法
[CHL01-061-184] 管线结构电力管理控制系统
[CHL01-061-185] 互补式金氧半导体及其组合元件
[CHL01-061-186] 自对准双位非易失性存储单元及其制造方法
[CHL01-061-187] 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法
[CHL01-061-188] 低温多晶硅薄膜电晶体的结构
[CHL01-061-189] 有机发光二极管显示装置
[CHL01-061-190] 有机发光二极管蒸镀机台
[CHL01-061-191] 铝镓铟砷多量子阱超辐射发光二极管
[CHL01-061-192] 一种超辐射发光二极管的制作方法及其发光二极管
[CHL01-061-193] 宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管
[CHL01-061-194] 发光二极管及其制造方法
[CHL01-061-195] 具有粘结层的发光二极管及其制造方法
[CHL01-061-196] 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法
[CHL01-061-197] 搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制...
[CHL01-061-198] 等离子腔室的腔室屏蔽
[CHL01-061-199] 四连杆晶片夹紧机构
[CHL01-061-200] 基片保持装置和电镀设备
[CHL01-061-201] 恒定PH的抛光和擦洗
[CHL01-061-202] 电磁场供给装置及等离子体处理装置
[CHL01-061-203] 用于后端线互连结构的具有增强粘合力及低缺陷密度的低介电常数层间介电膜的制...
[CHL01-061-204] 用带电粒子束微细加工铜的方法
[CHL01-061-205] 与半导体装置之射极接点形成接触点
[CHL01-061-206] 成像系统以及采用倒易空间光学设计的方法
[CHL01-061-207] 非易失性半导体存储器
[CHL01-061-208] 位于透明基片上的彩色图像传感器及其制造方法
[CHL01-061-209] 具有变薄前挖空的接触孔的彩色图像传感器的制造方法
[CHL01-061-210] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-061-211] 表面可装配的光耦合器预装件
[CHL01-061-212] 在衬底上淀积氧化物膜的方法以及采用这种衬底的光伏电池
[CHL01-061-213] 光子工程白炽发射器
[CHL01-061-214] 可表面安装的辐射构件与其制造方法
[CHL01-061-215] 非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造
[CHL01-061-216] 高分子结构体及具有该结构体的功能元件、和晶体管及使用该晶体管的显示装置
[CHL01-061-217] 改善导电路径电阻之方法及装置
[CHL01-061-218] 薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-061-219] 硅基微通道热交换器