站内编号   专利名称
[CHL01-041-001] 具有至少一只发光二极管作为光源的照明单元
[CHL01-041-002] 高效率的发光材料
[CHL01-041-003] 薄膜压电元件
[CHL01-041-004] 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
[CHL01-041-005] 形成具有洁净区的硅片的方法和装置
[CHL01-041-006] 形成具有洁净区的硅片的方法和装置
[CHL01-041-007] 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化
[CHL01-041-008] 用于集成电路熔丝的单脉冲切断的紫外激光系统和方法
[CHL01-041-009] 半导体光检测装置
[CHL01-041-010] 碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
[CHL01-041-011] 功率金属氧化物半导体晶体管的配置
[CHL01-041-012] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-041-013] 软恢复功率二极管和相关方法
[CHL01-041-014] 染料敏化的光电转换元件
[CHL01-041-015] 光接收器件及含有该光接收器件的光接收模块
[CHL01-041-016] 产生辐射的半导体芯片
[CHL01-041-017] 热电元件
[CHL01-041-018] 用于深亚微米CMOS的带有交替连接的同心线的多层电容器结构
[CHL01-041-019] 检测控制器之间的连接状态的半导体制造装置
[CHL01-041-020] 用于提供单扫描、连续移动连续横向凝固的方法和系统
[CHL01-041-021] 具有集成电路的电子芯片组件及其制造方法
[CHL01-041-022] 利用化学吸附技术形成硼化物阻挡层
[CHL01-041-023] 用于CMOS过程的双金属栅极晶体管
[CHL01-041-024] 半导体元件的接触连接方法
[CHL01-041-025] 外壳器件及其中所用的接触单元
[CHL01-041-026] 半导体装置
[CHL01-041-027] 功率金属氧化物半导体场效晶体管中的配置
[CHL01-041-028] 功率MOS场效应管及其制造方法
[CHL01-041-029] 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造
[CHL01-041-030] 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
[CHL01-041-031] 具有改善的颗粒污染性能的半导体处理设备
[CHL01-041-032] 锁料室
[CHL01-041-033] 单结晶晶片及太阳电池单元
[CHL01-041-034] 形成具有洁净区的外延硅片的方法和装置
[CHL01-041-035] 电子元器件的树脂封装方法及其所采用的孔版
[CHL01-041-036] 凸起形成装置和方法
[CHL01-041-037] 在缺陷源识别器和工具数据收集及控制系统之间提供通信的方法和装置
[CHL01-041-038] 存储单元阵列中失效存储单元的实际位置的自动判定与显示
[CHL01-041-039] 功率半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-040] 制造光伏箔的方法
[CHL01-041-041] 真空隔绝室的进气结构
[CHL01-041-042] 形成平坦化结构的方法
[CHL01-041-043] N＜100＞衬底扩散、抛光工艺
[CHL01-041-044] 深结硼衬底扩散抛光片
[CHL01-041-045] T型栅制作的方法
[CHL01-041-046] 在半导体装置中形成无边界接触窗的方法
[CHL01-041-047] 制作焊垫的方法
[CHL01-041-048] 超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法
[CHL01-041-049] 避免具间隙壁的接触窗中顶部微距变大的方法
[CHL01-041-050] 半导体晶圆刷洗后的干燥方法
[CHL01-041-051] 湿式洗净装置
[CHL01-041-052] 化学机械研磨装置的晶片载具及其研磨方法
[CHL01-041-053] 一种防止重工光阻倒塌的方法
[CHL01-041-054] 形成低介电常数材料的方法及产品
[CHL01-041-055] 介电材料层结构及其制造方法
[CHL01-041-056] 形成介电层的方法
[CHL01-041-057] 降低高功率晶体管导通电阻的方法
[CHL01-041-058] 一种能提高多芯片封装合格率的封装方法
[CHL01-041-059] 卷带及其制作方法
[CHL01-041-060] 量子点器件的三端电测量方法
[CHL01-041-061] 低含氧及低湿度的封存方法及其装置
[CHL01-041-062] 浅槽隔离的制造方法
[CHL01-041-063] 浅沟渠隔离结构的制造方法
[CHL01-041-064] 浅沟道隔离物的制造方法及部分去除氧化层的方法
[CHL01-041-065] 快闪存储器的记忆单元的制造方法
[CHL01-041-066] 掩膜式只读存储器的制造方法
[CHL01-041-067] 快闪存储器的存储单元的制造方法
[CHL01-041-068] 快闪存储器的存储单元的制造方法
[CHL01-041-069] 多晶片封装
[CHL01-041-070] 半导体芯片的排入散热片治具及其散热片储料架
[CHL01-041-071] 具有局部狭缝的金属内连线构造及其制造方法
[CHL01-041-072] 芯片上的集成电路栓锁现象防护电路
[CHL01-041-073] 一种发光二极管装饰灯泡及其制作方法
[CHL01-041-074] 具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法
[CHL01-041-075] 利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法
[CHL01-041-076] 利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法
[CHL01-041-077] 利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法
[CHL01-041-078] 氮化硅存储器件及其制造方法
[CHL01-041-079] 单电子多值存储器
[CHL01-041-080] 高密度快闪存储器
[CHL01-041-081] 复合量子点器件及制备方法
[CHL01-041-082] 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
[CHL01-041-083] 具有防护环控制电路的硅控整流器
[CHL01-041-084] 环境噪能电池
[CHL01-041-085] 含有复合发光材料的白光发光器件及发光材料的制备方法
[CHL01-041-086] 一种白光发光二极管的制造方法
[CHL01-041-087] 三波长白光发光二极管的制造方法
[CHL01-041-088] 制备大面积高温超导厚膜的方法和专用设备
[CHL01-041-089] 图案形成方法
[CHL01-041-090] 制造半导体器件的简化工艺
[CHL01-041-091] 半导体衬底的生产方法
[CHL01-041-092] 制备具有可逆电阻改变性质的LCPMO薄膜
[CHL01-041-093] 一种制备p型氧化锌薄膜的方法
[CHL01-041-094] 用于通过激光束使半导体结晶化的方法和装置
[CHL01-041-095] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-096] 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法...
[CHL01-041-097] 薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-041-098] 半导体衬底晶体材料生长真空系统
[CHL01-041-099] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-100] 半导体装置
[CHL01-041-101] 半导体集成电路装置的制造方法
[CHL01-041-102] 导线接合性增强的半导体器件组件
[CHL01-041-103] 电光装置和半导体器件
[CHL01-041-104] 强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置
[CHL01-041-105] 非易失性半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-041-106] 图像传感器组件及其制造方法
[CHL01-041-107] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-108] 平面太阳能聚光电源模块
[CHL01-041-109] 复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片
[CHL01-041-110] 白色发光元件
[CHL01-041-111] 半导体发光元件
[CHL01-041-112] 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法
[CHL01-041-113] 应力补偿的复合层可协变衬底及制备方法
[CHL01-041-114] 半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置
[CHL01-041-115] GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方...
[CHL01-041-116] 热解氮化硼涂层基座
[CHL01-041-117] 绝缘树脂薄膜以及绝缘树脂薄膜的微细图案形成方法
[CHL01-041-118] 基板处理装置
[CHL01-041-119] 用来研磨晶片材料的化学-机械研磨机，以及装在该机器上的研磨剂输送设备
[CHL01-041-120] 在布线板上形成布线的布线形成系统和布线形成方法
[CHL01-041-121] 利用焊线技术在芯片上布线的方法
[CHL01-041-122] 焊接载物台
[CHL01-041-123] 半导体装置和电容测量方法
[CHL01-041-124] 布线结构的形成方法
[CHL01-041-125] 一种芯片封装结构
[CHL01-041-126] 用于柔性互连封装的系统
[CHL01-041-127] 半导体封装件及其制造方法
[CHL01-041-128] 用于包含各向异性半导体薄板的写一次存储器的二极管-和-熔丝存储元件
[CHL01-041-129] 半导体存储器件
[CHL01-041-130] 记忆性半导体存储器
[CHL01-041-131] 直冷式发光二极体
[CHL01-041-132] 下电极的制造方法
[CHL01-041-133] 一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
[CHL01-041-134] 一种边界扫描芯片容错测试方法及系统
[CHL01-041-135] 半导体器件上的标志的识别方法
[CHL01-041-136] 半导体晶圆储存的容器组件
[CHL01-041-137] 半导体结构和处理这种结构的方法
[CHL01-041-138] 一种凸点与存储器激光修补工艺
[CHL01-041-139] 存储器芯片和使用该芯片的“芯片上芯片”器件及其制造方法
[CHL01-041-140] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-141] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-142] 高热传导的散热片结构及其制造方法
[CHL01-041-143] 具有从密封树脂暴露出来的散热器的半导体器件
[CHL01-041-144] 半导体集成电路装置
[CHL01-041-145] 电子电路器件和电子器件封装
[CHL01-041-146] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-147] 带复合式储存节结构的电容及其制造方法
[CHL01-041-148] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-149] 层叠型光电元件
[CHL01-041-150] 提高发光二极管亮度的封装方法
[CHL01-041-151] 热电模块封装
[CHL01-041-152] 在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法
[CHL01-041-153] 半导体工艺记录设备
[CHL01-041-154] 表面处理方法及膜图案的形成方法
[CHL01-041-155] 应用于生长外延晶体的通用衬底及其制备方法
[CHL01-041-156] 源/汲极的制造方法
[CHL01-041-157] 分闸式快闪记忆胞的选择闸极的制作方法
[CHL01-041-158] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-041-159] 栅极介电层的制造方法
[CHL01-041-160] 制程反应室视窗改良
[CHL01-041-161] 半导体组件之金属熔丝结构及其制造方法
[CHL01-041-162] 介电层的制造方法
[CHL01-041-163] 嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法
[CHL01-041-164] 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
[CHL01-041-165] 应用于氧化硅层均质化工艺的上管治具
[CHL01-041-166] 可减少微刮痕的钨金属的化学机械研磨制程
[CHL01-041-167] 半导体器件中晶体管的形成方法
[CHL01-041-168] 利用叠构式光阻影像转移的封装用载板制程
[CHL01-041-169] 测定引线接合器上的矢量距离的方法及装置
[CHL01-041-170] 电容器的制造方法
[CHL01-041-171] 避免锐角的浅沟道隔离制造方法
[CHL01-041-172] 集成电路的虚拟图案
[CHL01-041-173] 金属层图案的定义方法
[CHL01-041-174] 使用低-K介电材料形成双大马士革互连的方法
[CHL01-041-175] 一种降低微粒残留及缺陷的方法
[CHL01-041-176] 分离栅极快闪存储单元的复晶硅间隙壁的制造方法
[CHL01-041-177] 存储器装置及其制造方法
[CHL01-041-178] 罩幕式只读存储器低热预算制作工艺
[CHL01-041-179] 罩幕式只读存储器组件及其制造方法
[CHL01-041-180] 分离栅极式快闪存储器及其制造方法
[CHL01-041-181] 黏合式晶圆结构
[CHL01-041-182] 晶片构装结构
[CHL01-041-183] 散热翅片、热管或穿管、母板金属一体化散热器
[CHL01-041-184] 增加封装体可靠性的焊垫结构
[CHL01-041-185] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-041-186] 半导体集成电路装置
[CHL01-041-187] 半导体器件
[CHL01-041-188] 用于逻辑集成电路的嵌入式电容结构
[CHL01-041-189] 存储单元隔离
[CHL01-041-190] 半导体器件
[CHL01-041-191] 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
[CHL01-041-192] 可正确写入数据的半导体存储装置
[CHL01-041-193] 可均一输入输出数据的非易失性半导体存储装置
[CHL01-041-194] 两晶体管的静态随机存取存储单元及其操作方法
[CHL01-041-195] 罩幕式只读存储器及其制造方法
[CHL01-041-196] 罩幕式只读存储器的结构
[CHL01-041-197] 储存多重位元信息的罩幕式只读存储器
[CHL01-041-198] 双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法
[CHL01-041-199] 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
[CHL01-041-200] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-041-201] CMOS影像感测元件
[CHL01-041-202] 半导体集成装置及其制造方法
[CHL01-041-203] 磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管
[CHL01-041-204] 高性能双极结型光栅晶体管及其制造方法
[CHL01-041-205] 有机小分子-半导体发光显示器连续生产设备及工艺
[CHL01-041-206] 有机高分子-无机纳米复合电阻型薄膜湿敏元件及其制作方法
[CHL01-041-207] 有机场效应晶体管
[CHL01-041-208] 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法
[CHL01-041-209] 制造装置
[CHL01-041-210] 对准标记的制造方法
[CHL01-041-211] 批量式原子层沉积设备
[CHL01-041-212] 气化器和气化供给装置
[CHL01-041-213] 半导体元件的制造方法
[CHL01-041-214] 用于电化学机械抛光的导电抛光用品
[CHL01-041-215] 降低铜制程化学机械研磨的缺陷与研浆残留的方法
[CHL01-041-216] 一种化学机械抛光装置的终点侦测系统
[CHL01-041-217] 用于低K绝缘材料的沟槽刻蚀工艺
[CHL01-041-218] 具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制备方法
[CHL01-041-219] 半导体装置及其制造方法