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[CHL01-039-001] 在低介电常数材料层中形成开口的方法
[CHL01-039-002] 单芯片系统组件的制造方法
[CHL01-039-003] 非易失性存储器元件的操作方法
[CHL01-039-004] 半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路
[CHL01-039-005] 可改善讯号品质的IC封装元件
[CHL01-039-006] 显示元件的封装构造
[CHL01-039-007] 半导体器件
[CHL01-039-008] 内导式气流能量传输的方法与装置
[CHL01-039-009] 芯片封装及其制造方法
[CHL01-039-010] 芯片封装及其制造方法
[CHL01-039-011] 配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板
[CHL01-039-012] 半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器
[CHL01-039-013] 半导体用引线架
[CHL01-039-014] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-015] 电平移动电路
[CHL01-039-016] 具动态起始电压的CMOS架构
[CHL01-039-017] 静态随机存取存储单元的布置及其器件
[CHL01-039-018] 垂直式只读存储器及其工艺
[CHL01-039-019] 半导体器件的制造方法以及使用SOI基片的半导体芯片
[CHL01-039-020] 影像感测器及其封装方法
[CHL01-039-021] 异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件
[CHL01-039-022] 双重扩散型MOSFET及其半导体装置
[CHL01-039-023] 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
[CHL01-039-024] 包括多孔半导体层的光电池、其生产方法和太阳能电池
[CHL01-039-025] 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法
[CHL01-039-026] 半导体发光元件及其制造方法
[CHL01-039-027] 半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-039-028] 具有隐藏式热电偶支脚的热电堆红外线元件及其制造方法
[CHL01-039-029] 一种靠人体热能发电的温差电池
[CHL01-039-030] 超导技术的断路器
[CHL01-039-031] 叠层型压电陶瓷元件的制造方法
[CHL01-039-032] 一种磁敏电阻金属薄膜
[CHL01-039-033] 新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法
[CHL01-039-034] 有机薄膜晶体管
[CHL01-039-035] 有机半导体元件
[CHL01-039-036] 压力控制方法
[CHL01-039-037] 后化学-机械平面化(CMP)清洗组合物
[CHL01-039-038] 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
[CHL01-039-039] 一种制造功率MOS场效应管的方法
[CHL01-039-040] 用以检测浮渣/封闭接触孔和线路的CD-SEM信号分析
[CHL01-039-041] 半导体器件,用于在半导体上制造电路的金属叠层板和制造电路的方法
[CHL01-039-042] 新型芯片互连件以及封装沉积方法与结构
[CHL01-039-043] 具有窗口盖的、无引线的半导体产品封装装置及其封装方法
[CHL01-039-044] 集成电路封装
[CHL01-039-045] 在集成电路封装件里对信息进行编码的方法和装置
[CHL01-039-046] 集成电路的防窜改封装
[CHL01-039-047] 集成在半导体上的存储单元结构
[CHL01-039-048] 具有改良电流分散结构的可扩展发光二极管
[CHL01-039-049] 具有减少极化感应电荷的高效能发光器
[CHL01-039-050] 局部改变晶体材料的电子和光电性能的方法以及由这种材料制造的器件
[CHL01-039-051] 电子器件
[CHL01-039-052] 衬底处理装置和衬底处理方法
[CHL01-039-053] 氮化镓晶体的制造方法
[CHL01-039-054] 半导体器件以及半导体器件的制造方法
[CHL01-039-055] 去除多晶硅残留的方法
[CHL01-039-056] 去除多晶硅残留的方法
[CHL01-039-057] 降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法
[CHL01-039-058] 以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法
[CHL01-039-059] 晶片保护装置
[CHL01-039-060] 具有改良局部平整度的半导体圆片及其制造方法
[CHL01-039-061] 基板干燥方法和装置
[CHL01-039-062] 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
[CHL01-039-063] 半导体衬底的化学溶液处理装置
[CHL01-039-064] 自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法
[CHL01-039-065] 提高起始电压稳定性的金属氧化物半导体的制作方法
[CHL01-039-066] 加强散热式晶片嵌入朝下球型阵列载板结构及制造方法
[CHL01-039-067] QFN型影像感测元件构装方法及其结构
[CHL01-039-068] 固定芯片载体的方法
[CHL01-039-069] 倒装片型半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-070] 闪存隧穿氧化层的测试元件及方法
[CHL01-039-071] 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法
[CHL01-039-072] 部分自行对准接触窗的制造方法
[CHL01-039-073] 闪存的制造方法
[CHL01-039-074] 存储器元件的制造方法
[CHL01-039-075] 半导体装置及其制造方法和印刷掩膜
[CHL01-039-076] 半导体器件
[CHL01-039-077] 无焊线式半导体装置及其封装方法
[CHL01-039-078] 无焊线式半导体装置及其封装方法
[CHL01-039-079] 半导体装置
[CHL01-039-080] 双镶嵌金属内连线结构及其制作方法
[CHL01-039-081] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-082] 集成电路的阻断电路
[CHL01-039-083] 半导体装置以及包含该装置的光电装置
[CHL01-039-084] 基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列
[CHL01-039-085] 闪存元件的结构及其制造方法
[CHL01-039-086] 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件
[CHL01-039-087] 强电介质半导体存储器
[CHL01-039-088] 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
[CHL01-039-089] SOI型半导体装置及其制造方法
[CHL01-039-090] 多端子型MOS可变电容器
[CHL01-039-091] 真空层压设备
[CHL01-039-092] 白色发光二极管的制造方法
[CHL01-039-093] 一种高功率的发光二极管封装方法
[CHL01-039-094] 采用多路线性激光束通过热转移制造发光二极管器件
[CHL01-039-095] 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法
[CHL01-039-096] MOSFET器件系统和方法
[CHL01-039-097] 微粒子配置薄膜、导电连接薄膜、导电连接构造体以及微粒子的配置方法
[CHL01-039-098] 半导体器件检测系统
[CHL01-039-099] 非易失性存储装置及其驱动方法
[CHL01-039-100] 具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触
[CHL01-039-101] 发射辐射的半导体器件,其制造方法及发射辐射的光学器件
[CHL01-039-102] 电活化装置
[CHL01-039-103] 制造半导体基质的方法
[CHL01-039-104] 成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法
[CHL01-039-105] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-106] 绝缘膜的制造装置
[CHL01-039-107] 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置
[CHL01-039-108] 高压元件的制造方法
[CHL01-039-109] 低栅极空乏现象的MOS晶体管的制作方法
[CHL01-039-110] 制作浅结MOS晶体管的方法
[CHL01-039-111] 校准引线接合器的方法
[CHL01-039-112] 当用引线接合器接合时确定最优接合参数的方法
[CHL01-039-113] 晶片级的测试及凸点工艺、以及具有测试垫的芯片结构
[CHL01-039-114] LSI系统设计方法
[CHL01-039-115] 非挥发性内存的结构及其制造方法
[CHL01-039-116] 选择性局部自行对准硅化物的制作方法
[CHL01-039-117] 影像感测器的制作方法
[CHL01-039-118] 半导体装置的制造方法
[CHL01-039-119] 强感应体薄膜元件及制造方法、薄膜电容器及压电调节器
[CHL01-039-120] 非挥发性内存的制造方法
[CHL01-039-121] 散热组件及散热组件固定装置
[CHL01-039-122] 接合垫的构造及其制造方法
[CHL01-039-123] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-039-124] 非门控二极管元件的静电放电防护电路及其制造方法
[CHL01-039-125] 线性电流/电压特性的金属氧化物半导体输出驱动电路
[CHL01-039-126] 减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法
[CHL01-039-127] 半导体装置
[CHL01-039-128] 可提高位线耐压的非易失性半导体存储器
[CHL01-039-129] 半导体存储装置
[CHL01-039-130] 罩幕式只读存储器的测试元件及方法
[CHL01-039-131] 半导体存储设备
[CHL01-039-132] 光半导体集成电路装置及其制造方法
[CHL01-039-133] 一种半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-134] 有机发光二极管显示器电极引线的布设结构
[CHL01-039-135] 有机发光二极管器件及其制造方法
[CHL01-039-136] 半导体元件结构
[CHL01-039-137] 半导体装置和半导体装置的制造方法
[CHL01-039-138] 半导体装置和制造半导体装置的方法
[CHL01-039-139] 半导体发光元件及其制造方法
[CHL01-039-140] 叠层式压电致动器
[CHL01-039-141] 形成方法以及包含增强表面面积导电层的集成电路结构
[CHL01-039-142] 形成方法以及包含钌和包含钨层的集成电路结构
[CHL01-039-143] 氮化镓层的制备方法
[CHL01-039-144] 硅-双极型晶体管,电路设置和制造硅-双极型晶体管的方法
[CHL01-039-145] 制造半导体器件的方法及其半导体器件
[CHL01-039-146] 电子器件的封装方法及电子器件封装体
[CHL01-039-147] 制备衬底的方法以及使用该方法获得的衬底
[CHL01-039-148] 半导体芯片和使用了该半导体芯片的半导体器件
[CHL01-039-149] 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
[CHL01-039-150] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-151] 具有可取下的顶层的太阳能电池单元
[CHL01-039-152] 使用LED的光源装置及其制造方法
[CHL01-039-153] Ⅲ族氮化合物半导体器件
[CHL01-039-154] 具有高载子迁移率芯片的制造方法
[CHL01-039-155] 半导体制造系统
[CHL01-039-156] 半导体元件微细图形的形成方法
[CHL01-039-157] 在半导体Si基片上沉积纳米Cu颗粒膜的高压电化学方法
[CHL01-039-158] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-039-159] 衬底的制造方法和制造设备
[CHL01-039-160] 一种去除停止层的方法
[CHL01-039-161] 利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法
[CHL01-039-162] 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法
[CHL01-039-163] 一种半导体芯片封装方法及其封装结构
[CHL01-039-164] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-039-165] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-166] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-039-167] 半导体器件和半导体存储器件的检测方法
[CHL01-039-168] 具有五氧化二钽介电层的电容器制造方法
[CHL01-039-169] 消除浅沟槽隔离中的边沟的方法
[CHL01-039-170] 具掺杂的铜内联结构的制造方法
[CHL01-039-171] 半导体布线形成方法及装置、器件制造方法及装置和晶片
[CHL01-039-172] 一种快速存储器的浮置栅制造方法及其结构
[CHL01-039-173] 分离栅极式快速存储器的制造方法及结构
[CHL01-039-174] 用于内嵌式存储器逻辑电路三维空间元件结构及制作方法
[CHL01-039-175] 应力释放的图案组合结构
[CHL01-039-176] 用于放置光学晶片的表面粘着式聚光杯结构
[CHL01-039-177] 半导体器件
[CHL01-039-178] 高效能散热片及其制作方法
[CHL01-039-179] 半导体导线架及其封装组件
[CHL01-039-180] 半导体基底上的接合垫结构
[CHL01-039-181] 半导体基底上的金属垫的结构
[CHL01-039-182] 半导体集成电路器件
[CHL01-039-183] 适用在高频和模拟中承受高电压的静电放电电路
[CHL01-039-184] 一种二极管结构及其静电放电防护电路
[CHL01-039-185] 静电泄放保护电路
[CHL01-039-186] 半导体存储器件
[CHL01-039-187] 铁电电容元件
[CHL01-039-188] 有源选址前置彩色膜有机白光二极管彩色显示器
[CHL01-039-189] 半导体装置
[CHL01-039-190] 具有超薄的应变矽通道的金氧半导体场效晶体管及其制作方法
[CHL01-039-191] 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
[CHL01-039-192] X光平面检测器
[CHL01-039-193] 薄膜光光上转换图象显示装置及制备方法
[CHL01-039-194] 光通信电路芯片,光电共用传输装置,光传送装置
[CHL01-039-195] 具有单面裸露电极的二极管
[CHL01-039-196] 半导体发光元件
[CHL01-039-197] 微探针制造方法
[CHL01-039-198] 设有夹头及匹配箱的装置
[CHL01-039-199] 固体有机金属化合物用填充容器和其填充方法
[CHL01-039-200] 莲蓬头式气体供应器及具有莲蓬头式气体供应器的半导体装置制造设备
[CHL01-039-201] 嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法
[CHL01-039-202] 研磨剂分布系统及应用此分布系统的化学机械研磨设备
[CHL01-039-203] 等离子体处理方法及装置
[CHL01-039-204] 感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板
[CHL01-039-205] 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
[CHL01-039-206] 含碳介电层的制造方法
[CHL01-039-207] 在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法
[CHL01-039-208] 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
[CHL01-039-209] 热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片
[CHL01-039-210] 汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构及其制造方法
[CHL01-039-211] 制作金氧半导体晶体管的方法
[CHL01-039-212] 晶片级封装的结构及其制作方法
[CHL01-039-213] 封装的半导体器件及其形成方法
[CHL01-039-214] 芯片拾取装置及其制造方法以及半导体制造装置
[CHL01-039-215] 太阳电池封装胶层厚度可控的连续滴胶方法
[CHL01-039-216] 塑胶壳电磁器件封装方法
[CHL01-039-217] 可避免氟化半导体元件的金属接点的方法
[CHL01-039-218] 平顶金凸块的制程方法
[CHL01-039-219] 半导体封装元件测试装置