站内编号 专利名称
[CHL01-038-001] 半导体器件
[CHL01-038-002] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-003] 导线架带和制造使用导线架带的半导体封装的方法
[CHL01-038-004] 集成电路封装装置及其制造方法
[CHL01-038-005] 在低K互连上集成电线焊接的熔丝结构及其制造方法
[CHL01-038-006] 双层硅碳化合物阻障层
[CHL01-038-007] 多晶硅界定阶跃恢复器件
[CHL01-038-008] 具有将电源电压转换为工作电压的降压电路的半导体装置
[CHL01-038-009] 半导体元件、电路、显示器件和发光器件
[CHL01-038-010] 跨导基本上恒定的电路
[CHL01-038-011] 堆迭式闸极快闪记忆元件
[CHL01-038-012] 具有氮化物穿隧层的非挥发性破碎器的编程以及抹除方法
[CHL01-038-013] 电光器件、液晶器件和投射型显示装置
[CHL01-038-014] 半导体存储器及其制造方法
[CHL01-038-015] 半导体元件的结构及其制造方法
[CHL01-038-016] 周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法
[CHL01-038-017] 显示元件的封装结构及其封装方法
[CHL01-038-018] 用于改善衬底烘烤均匀性的可变表面热板
[CHL01-038-019] 半导体制造系统及其控制方法
[CHL01-038-020] 在基体或块体特别是由半导体材料制成的基体或块体中切制出至少一个薄层的方法
[CHL01-038-021] 具有三维载体安装集成电路封装阵列的电子模块
[CHL01-038-022] 具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管
[CHL01-038-023] 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法
[CHL01-038-024] 利用多孔性材料实现陶瓷基板表面平坦化的方法
[CHL01-038-025] 检测光罩机台修正精确度的方法
[CHL01-038-026] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-027] 晶圆清洗装置及其刷洗总成
[CHL01-038-028] 保护带条的粘贴和分离方法
[CHL01-038-029] 去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
[CHL01-038-030] 半导体晶圆的热氧化制作工艺
[CHL01-038-031] 氧化硅膜制作方法
[CHL01-038-032] 一种金属双镶嵌的制造方法
[CHL01-038-033] 基底铜层的磨光方法
[CHL01-038-034] 闪光辐射装置与光加热装置
[CHL01-038-035] 制造半导体组件的方法
[CHL01-038-036] 一种具有散热片的半导体封装
[CHL01-038-037] 半导体器件及其制造方法、电路基板及电子装置
[CHL01-038-038] 自动对准形成锡凸块的方法
[CHL01-038-039] 在半导体治具板上建立新参考地平面的装置
[CHL01-038-040] 浅沟渠隔离的制造方法
[CHL01-038-041] 半导体元件的元件隔离膜的形成方法
[CHL01-038-042] 内金属介电层的整合制造方法
[CHL01-038-043] 内连线的形成方法
[CHL01-038-044] 使用氧化线层作为介电阻挡层的双镶嵌制程
[CHL01-038-045] 积体电路的双镶嵌结构的制作方法
[CHL01-038-046] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-047] 布线结构的形成方法
[CHL01-038-048] 布线结构的形成方法
[CHL01-038-049] 布线结构的形成方法
[CHL01-038-050] 氮化硅内存的制造方法
[CHL01-038-051] 晶体管形成方法
[CHL01-038-052] 制造闪存单元的方法
[CHL01-038-053] 用于提高刷新特性的半导体元件的制造方法
[CHL01-038-054] 掩膜只读存储器的制造方法
[CHL01-038-055] 模块壳体和功率半导体模块
[CHL01-038-056] 半导体模块及其制造方法
[CHL01-038-057] 基片或芯片输入输出接点上金属凸块结构及其制造方法
[CHL01-038-058] 半导体装置及其制法
[CHL01-038-059] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-060] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-061] 半导体器件
[CHL01-038-062] 半导体芯片的封装件
[CHL01-038-063] 静电防护电路
[CHL01-038-064] 电路装置
[CHL01-038-065] 电平变换电路
[CHL01-038-066] 电荷泵装置
[CHL01-038-067] 半导体装置
[CHL01-038-068] 电荷泵装置
[CHL01-038-069] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-070] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-071] 半导体器件
[CHL01-038-072] 半导体集成电路
[CHL01-038-073] 在单个存储单元中存储多值数据的非易失性半导体存储器
[CHL01-038-074] 光器件及其制造方法、光模件、电路基板以及电子机器
[CHL01-038-075] 发光装置、制造发光装置的方法、及其制造设备
[CHL01-038-076] 假同晶高电子迁移率晶体管功率器件及其制造方法
[CHL01-038-077] 可对象限Q4和Q1响应的双向静态开关
[CHL01-038-078] 功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法
[CHL01-038-079] 半导体装置和半导体装置制造系统
[CHL01-038-080] 制造OLED装置的原位真空方法
[CHL01-038-081] 热电模块
[CHL01-038-082] 磁阻元件
[CHL01-038-083] 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路
[CHL01-038-084] 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
[CHL01-038-085] Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-086] 基底噪声分配方法
[CHL01-038-087] 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁...
[CHL01-038-088] 低相对介电常数的SiOx膜、制造方法和使用它的半导体装置
[CHL01-038-089] 非易失性存储单元的均匀位线交连
[CHL01-038-090] 组件中的嵌入式电容部件
[CHL01-038-091] 载流子提取晶体管
[CHL01-038-092] 制造电极的蚀刻方法
[CHL01-038-093] 压电-弯曲换能器及其应用
[CHL01-038-094] 压电弯曲变换器及其使用
[CHL01-038-095] 封装的微电子器件
[CHL01-038-096] 线上激光晶圆承座清洁装置
[CHL01-038-097] 具有多次照射步骤的微影制程
[CHL01-038-098] 形成半导体器件的薄膜的方法
[CHL01-038-099] 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法
[CHL01-038-100] 匹配电路和等离子加工装置
[CHL01-038-101] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-102] 避免尖峰现象的方法
[CHL01-038-103] 适用于PLCC型封装电路的分离器
[CHL01-038-104] 层叠芯片封装件的制造方法
[CHL01-038-105] 栅状数组封装的插脚表面粘着的制作方法
[CHL01-038-106] 焊接方法以及焊接装置
[CHL01-038-107] 具有散热布线设计的集成电路封装装置
[CHL01-038-108] 检测图案缺陷过程的方法
[CHL01-038-109] 识别半导体器件测试处理机中器件传送系统的工作位置的装置和方法
[CHL01-038-110] 离子照射装置
[CHL01-038-111] 集成制造高压元件与低压元件的方法
[CHL01-038-112] 浅沟隔离制程的含有氮元素的氧化硅衬层的制造方法
[CHL01-038-113] 槽型元件分离结构
[CHL01-038-114] 内金属介电层的制作方法
[CHL01-038-115] 布线结构的形成方法
[CHL01-038-116] 半导体器件内形成铜引线的方法
[CHL01-038-117] 非挥发性存储器结构及其制造方法
[CHL01-038-118] 设计系统大规模集成电路的方法
[CHL01-038-119] 晶片的制造方法、使用了该晶片的半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-120] 球格阵列封装体
[CHL01-038-121] 半导体功率器件
[CHL01-038-122] 侧吹式散热装置
[CHL01-038-123] 阵列型焊垫晶片内部电路结构及其制造方法
[CHL01-038-124] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-125] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-038-126] 半导体元件的熔丝结构
[CHL01-038-127] 用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法
[CHL01-038-128] 覆盖有金属阻障层的内连线结构及其制作方法
[CHL01-038-129] IC芯片破损少的薄型高频模块
[CHL01-038-130] 半导体装置及其制造方法、线路基板及电子机器
[CHL01-038-131] 双侧连接型半导体装置
[CHL01-038-132] 具有部分SOI结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-133] 半导体器件
[CHL01-038-134] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-135] 应用于可变容量电容器和放大器的半导体器件
[CHL01-038-136] 一种高耦合率快闪存储器及其制造方法
[CHL01-038-137] 使用金属接触板的嵌入式非挥发性存储器
[CHL01-038-138] 使用了部分SOI衬底的半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-139] 光模块、电路板及其电子机器
[CHL01-038-140] 具有面板的平板显示器件及其制造方法
[CHL01-038-141] 绝缘栅型双极晶体管
[CHL01-038-142] 具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-143] 发光元件及其制造方法
[CHL01-038-144] 层叠型压电陶瓷元件的制造方法
[CHL01-038-145] 磁开关元件和磁存储器
[CHL01-038-146] 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
[CHL01-038-147] 晶片热处理的方法和设备
[CHL01-038-148] 利用快速热退火与氧化气体形成底部抗反射涂层的方法
[CHL01-038-149] 芯片尺度表面安装器件及其制造方法
[CHL01-038-150] 半导体器件及方法
[CHL01-038-151] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-152] 电声转换器
[CHL01-038-153] 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法
[CHL01-038-154] 形成微细尺寸结构的方法
[CHL01-038-155] 利用弹性体电镀掩模做为芯片级封装的方法
[CHL01-038-156] 半导体晶片表面保护粘结膜及使用其的半导体晶片加工方法
[CHL01-038-157] 芯片及其制造方法
[CHL01-038-158] 使用解理的晶片分割方法
[CHL01-038-159] 利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
[CHL01-038-160] 高深宽比硅深刻蚀方法
[CHL01-038-161] 金属镶嵌制程的去除光阻的方法
[CHL01-038-162] 在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法
[CHL01-038-163] 抗光阻去除液侵蚀的氧化膜形成方法
[CHL01-038-164] 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
[CHL01-038-165] 制造半导体封装件用打线方法及系统
[CHL01-038-166] 芯片元件供给装置
[CHL01-038-167] 晶圆级探针卡及其制造方法
[CHL01-038-168] 晶圆级测试卡的探针构造及其制造方法
[CHL01-038-169] 芯片管脚名称验证方法
[CHL01-038-170] 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
[CHL01-038-171] 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
[CHL01-038-172] 在铜镶嵌制程中形成金属-绝缘-金属型(MIM)电容器的方法
[CHL01-038-173] 体硅MEMS器件集成化方法
[CHL01-038-174] 浅沟槽隔离物的制造方法
[CHL01-038-175] 一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法
[CHL01-038-176] 镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法
[CHL01-038-177] 降低内连线的电浆制程的异常放电的方法
[CHL01-038-178] 基于等效电路的集成电路电源网络瞬态分析求解的方法
[CHL01-038-179] 高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法
[CHL01-038-180] 模塑封装接触式模块制作方法
[CHL01-038-181] 散热模组及其制造方法
[CHL01-038-182] 晶圆型态扩散型封装结构及其制造方法
[CHL01-038-183] 电子器件
[CHL01-038-184] 半导体装置
[CHL01-038-185] 互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-038-186] 可随机编程的非挥发半导体存储器
[CHL01-038-187] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-188] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-189] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-038-190] 半导体装置及半导体装置的制造方法
[CHL01-038-191] 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
[CHL01-038-192] 利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-038-193] 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
[CHL01-038-194] 硅光电器件以及利用这种器件的发光设备
[CHL01-038-195] 一种太阳能转换多结极联光电池
[CHL01-038-196] Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
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[CHL01-038-198] 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
[CHL01-038-199] 以磷掺杂硅并在蒸汽存在下生长硅上氧化物的方法
[CHL01-038-200] 用于焊料结合中焊料扩散控制的方法和装置
[CHL01-038-201] 具有氧化物领状体应用的STI的本地和异地腐蚀工艺
[CHL01-038-202] 具有表面金属敷层的半导体器件
[CHL01-038-203] 双极型晶体管
[CHL01-038-204] 半导体器件
[CHL01-038-205] 基于LED的发射白色的照明单元
[CHL01-038-206] 半导体装置的制造设备
[CHL01-038-207] 处理液配制和供给方法及装置
[CHL01-038-208] 栓钉插入装置及其方法
[CHL01-038-209] 保护膜图案形成方法以及半导体器件制造方法
[CHL01-038-210] 图案形成方法
[CHL01-038-211] 半导体器件制造方法和半导体器件制造装置
[CHL01-038-212] 切割保护带条的方法及使用该方法的保护带条粘贴设备
[CHL01-038-213] 保护带条的粘贴方法与装置以及保护带条的分离方法
[CHL01-038-214] 裂开材料晶片各层的工艺
[CHL01-038-215] 内存测试机与集成电路分类机的直接连接界面装置
[CHL01-038-216] 一种晶圆阶段记忆体预烧测试电路及其方法
[CHL01-038-217] 半导体器件的测试系统
[CHL01-038-218] 半导体器件的元件隔离膜的形成方法
[CHL01-038-219] 一种消除化学机械研磨碟化效应的内连线制造方法
