站内编号 专利名称
[CHL01-037-001] 半导体器件制造方法和半导体器件的制造装置
[CHL01-037-002] 用于制造半导体器件的方法
[CHL01-037-003] 半导体膜、半导体膜的形成方法、及半导体装置的制造方法
[CHL01-037-004] 在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法
[CHL01-037-005] 半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法
[CHL01-037-006] 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
[CHL01-037-007] 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
[CHL01-037-008] 半导体器件和制造半导体器件的方法
[CHL01-037-009] 用于切割的粘合片
[CHL01-037-010] 灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法
[CHL01-037-011] 半导体器件的生产方法及其使用的浆体
[CHL01-037-012] 避免低介电常数介电层劣化的方法
[CHL01-037-013] 改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法
[CHL01-037-014] 半导体元件的阻挡层的形成方法及装置
[CHL01-037-015] 半导体元件的硅化物膜的形成方法
[CHL01-037-016] 半导体元件用金属布线的后处理方法
[CHL01-037-017] 混合集成电路装置的制造方法
[CHL01-037-018] 芯片封胶方法及其双界面卡的封装方法
[CHL01-037-019] 薄膜封装外引脚压着装置
[CHL01-037-020] 具有位置信息的布线基板
[CHL01-037-021] 发光二极管外延片电致发光无损检测方法
[CHL01-037-022] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-037-023] 具有埋置的导电条的半导体结构,以及产生与埋置的导电条电接触的方法
[CHL01-037-024] 混合集成电路装置及其制造方法
[CHL01-037-025] 混合集成电路装置及其制造方法
[CHL01-037-026] 用于具有温度补偿基准电压发生器的集成电路的内部电源
[CHL01-037-027] 半导体集成电路与D/A转换器及A/D转换器
[CHL01-037-028] 减小便携廉价耐用存储器阵列中串音的器件和制作工艺
[CHL01-037-029] 互补式金氧半图像感测器的结构及其制造方法
[CHL01-037-030] 制造半导体部件的方法和半导体部件
[CHL01-037-031] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-037-032] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-033] 有非发光型显示器的电子装置
[CHL01-037-034] 有非发光型显示器的电子装置
[CHL01-037-035] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-036] 半导体发光器件双异质结构及发光二极管
[CHL01-037-037] 半导体发光元件
[CHL01-037-038] 氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法
[CHL01-037-039] 发光装置、制造发光装置的方法和电子设备
[CHL01-037-040] 液相电沉积N-型及P-型一维纳米线阵列温差电材料及设备和制备方法
[CHL01-037-041] 以有机高分子为粘结剂的三元复合磁电材料及其制备方法
[CHL01-037-042] 形成金属布线的方法和用于形成金属布线的半导体制造设备
[CHL01-037-043] 退火单晶片的制造方法及退火单晶片
[CHL01-037-044] 具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管
[CHL01-037-045] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-046] 双位多值弹道MONOS存储器及其制造方法和该存储器的编程以及动作过程
[CHL01-037-047] 高速拾取与放置装置
[CHL01-037-048] 管理衬底处理装置的装置信息的衬底处理系统
[CHL01-037-049] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-050] 光刻胶层中减小图案大小的方法
[CHL01-037-051] 化合物半导体装置的制造方法
[CHL01-037-052] 多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
[CHL01-037-053] 在非晶体材料上磁控溅射锗晶体薄膜的方法
[CHL01-037-054] 制作不同电阻值的轻掺杂漏极的方法
[CHL01-037-055] 半导体片两面实施材料去除切削的方法
[CHL01-037-056] 化合物半导体装置的制造方法
[CHL01-037-057] 晶片刻蚀机的操作方法
[CHL01-037-058] 一种干法去除硅化物形成过程中多余金属的方法
[CHL01-037-059] 于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法
[CHL01-037-060] 一种制作矽氧层的方法
[CHL01-037-061] 使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法
[CHL01-037-062] 一种防止MOS晶体管发生栅极贫化现象的方法
[CHL01-037-063] 薄型化倒装芯片半导体装置的封装方法
[CHL01-037-064] 覆晶接合结构与形成方法
[CHL01-037-065] 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
[CHL01-037-066] 浅沟渠隔离结构的制造方法
[CHL01-037-067] 浅沟渠隔离结构的制造方法
[CHL01-037-068] 一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜CMP工艺
[CHL01-037-069] 嵌入式存储器的接触插塞的制作方法
[CHL01-037-070] 一种具有高抗张强度阻障层的形成方法
[CHL01-037-071] 细微孔的埋入方法
[CHL01-037-072] 制造半导体器件的方法
[CHL01-037-073] 抑制存储器阵列位线间漏电的方法
[CHL01-037-074] 制作具有对称域值电压的NMOS以及PMOS的方法
[CHL01-037-075] 氮化硅只读存储器的制造方法
[CHL01-037-076] 半导体装置
[CHL01-037-077] 电路板及其制作方法和高输出模块
[CHL01-037-078] 电路板及其制作方法和高输出模块
[CHL01-037-079] 薄膜晶体管液晶显示器的静电放电保护电路和方法
[CHL01-037-080] 减小尺寸的堆叠式芯片大小的组件型半导体器件
[CHL01-037-081] 半导体集成电路
[CHL01-037-082] 包括纳米管电子源的数据存储装置
[CHL01-037-083] 半导体集成电路器件及其制造方法
[CHL01-037-084] 非易失半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-037-085] 绝缘层有硅的低电压触发硅控整流器及静电放电防护电路
[CHL01-037-086] 绝缘双极性栅晶体管装置及制法、控制其切换速率的方法
[CHL01-037-087] 半导体器件的制造方法
[CHL01-037-088] 制作滤光片的方法
[CHL01-037-089] 制作滤光片的方法
[CHL01-037-090] 发光二极管的封装
[CHL01-037-091] 积层压电器件及其制法和压电致动器
[CHL01-037-092] 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及...
[CHL01-037-093] 湿法蚀刻剂组合物
[CHL01-037-094] 减少静摩擦和钝化微电机表面的晶片水平处理方法及其所用化合物
[CHL01-037-095] 用倾斜壁基座进行的被动对齐
[CHL01-037-096] 柔性电子器件
[CHL01-037-097] 双极型晶体管
[CHL01-037-098] 发光二极管及半导体激光
[CHL01-037-099] 半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法
[CHL01-037-100] 衬底处理装置和半导体器件的制造方法
[CHL01-037-101] 金属剥离方法
[CHL01-037-102] 具有超浅结延伸区的MOS装置的制造方法
[CHL01-037-103] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-037-104] 堆积膜的平坦化方法
[CHL01-037-105] 半导体器件制造方法及处理液
[CHL01-037-106] 具有间隙控制器的晶片处理设备的喷头
[CHL01-037-107] 射频台式硅二极管玻璃钝化制备方法
[CHL01-037-108] 栓塞金属层的形成方法
[CHL01-037-109] 铜化学机械研磨中减少碟陷的方法
[CHL01-037-110] 薄膜晶体管的制造方法及结构
[CHL01-037-111] 晶片组态设定的检测方法
[CHL01-037-112] 自行对准转接通道的制作方法
[CHL01-037-113] 散热器的固定装置
[CHL01-037-114] 散热片和等离子体显示面板
[CHL01-037-115] 单片IC封装
[CHL01-037-116] 集成电路的内建电感及利用深沟渠阻断寄生电流的结构
[CHL01-037-117] 半导体元件和半导体存储器
[CHL01-037-118] 只读存储器
[CHL01-037-119] 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及制作方法
[CHL01-037-120] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-037-121] 大功率照明发光二极管
[CHL01-037-122] 有机半导体器件及其制造工艺
[CHL01-037-123] 一种成型半导体结构的方法
[CHL01-037-124] 摇动喷淋型传送式基板处理装置
[CHL01-037-125] 传送式基板处理装置
[CHL01-037-126] 通过选择液体粘度和其他前体特性来改善液体淀积的方法
[CHL01-037-127] 密封件、以及使用该密封件的片料容纳容器
[CHL01-037-128] 倾斜式除液装置
[CHL01-037-129] 通信装置
[CHL01-037-130] 半导体器件
[CHL01-037-131] 半导体器件
[CHL01-037-132] 双极晶体管及其制造方法
[CHL01-037-133] 磁致电阻效应元件、磁致电阻效应型磁头及其制造方法
[CHL01-037-134] 磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头
[CHL01-037-135] ZnAl2O4/α-Al
[CHL01-037-136] 快擦写存储单元浮置栅极的制造方法
[CHL01-037-137] 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
[CHL01-037-138] 碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法
[CHL01-037-139] 晶片清洗装置
[CHL01-037-140] 制作电绝缘层的方法
[CHL01-037-141] 制备无孔洞的金属间介电层的方法
[CHL01-037-142] 一种集成电路装置及其制造方法
[CHL01-037-143] 金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
[CHL01-037-144] 蚀刻法及蚀刻液
[CHL01-037-145] 降低多晶硅层洞缺陷的方法
[CHL01-037-146] MOS晶体管及其制造方法
[CHL01-037-147] 用于结合力控制的装置和方法
[CHL01-037-148] 接合装置
[CHL01-037-149] 用于表面安装装置封装体的测试固定件
[CHL01-037-150] 测量集成半导体组件在高温时的可靠性的装置和方法
[CHL01-037-151] 铁电电容及其制造方法和铁电存储单元制造方法
[CHL01-037-152] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-153] 双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构
[CHL01-037-154] 半导体器件
[CHL01-037-155] 半导体器件
[CHL01-037-156] 半导体器件
[CHL01-037-157] 快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法
[CHL01-037-158] 氮化物只读存储器及其制造方法
[CHL01-037-159] ZnO/蓝宝石基片及其制造方法
[CHL01-037-160] 具高密度散热鳍片的散热器及其组装方法
[CHL01-037-161] 用于铜/低介电常数材料后段制程的接合垫结构
[CHL01-037-162] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-163] 存储阵列的保护电路
[CHL01-037-164] 半导体器件的工作方法
[CHL01-037-165] 芯片层叠型半导体装置
[CHL01-037-166] 具有金属硅化物隔离的存储阵列
[CHL01-037-167] 半导体存储器件
[CHL01-037-168] 具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构及其制造方法
[CHL01-037-169] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-037-170] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-037-171] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-037-172] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-037-173] 互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法
[CHL01-037-174] 长寿命的发光二极管集成器件
[CHL01-037-175] 用高介电系数膜的表面(横向)耐压结构
[CHL01-037-176] 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
[CHL01-037-177] 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
[CHL01-037-178] 窄带光谱响应的量子阱红外探测器
[CHL01-037-179] 可表面粘着并具有覆晶封装结构的发光半导体装置
[CHL01-037-180] 照明装置的制造方法
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[CHL01-037-182] 发光二极管器件
[CHL01-037-183] ZnO基同质结发光二极管
[CHL01-037-184] ZnO基发光二极管
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[CHL01-037-186] 工件的超临界处理的方法和装置
[CHL01-037-187] 硅毫微结构,硅量子线阵列的形成方法,以及基于此的设备
[CHL01-037-188] 刻蚀含铋氧化物膜的方法
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[CHL01-037-190] 采用导电的粘合膜的功率半导体管芯的连接方法
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[CHL01-037-194] 多层物体调温处理的装置和方法和多层物体
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[CHL01-037-198] 用于转移薄半导体层的工艺和使用这种转移工艺获得施主晶片的工艺
[CHL01-037-199] 微型显示器像素单元及其制作方法
[CHL01-037-200] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-037-201] 图案化光阻的形成方法
[CHL01-037-202] 半导体器件及其生产工艺
[CHL01-037-203] 半导体元件的制造方法
[CHL01-037-204] 半导体制造装置及半导体元件制造方法
[CHL01-037-205] 在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件
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[CHL01-037-207] 半导体装置的制造方法
[CHL01-037-208] 用于装配半导体芯片的拾取工具
[CHL01-037-209] 电子元件安装装置及电子元件安装方法
[CHL01-037-210] 处理机中半导体器件传送装置
[CHL01-037-211] 半导体器件测试处理机中的校准装置
[CHL01-037-212] 用SIGE BICMOS集成方案制造多晶-多晶电容器的方法
[CHL01-037-213] 用于形成半导体器件电容器的方法
[CHL01-037-214] 金属内连线的制作方法
[CHL01-037-215] 编码型及数据型内嵌式闪存结构的制造方法及其操作方法
[CHL01-037-216] 非挥发性存储结构释放电荷累积的方法
[CHL01-037-217] 制作非挥发性存储元件的方法
[CHL01-037-218] 芯片封装基板电性接触垫的电镀镍/金制作方法与结构
[CHL01-037-219] 散热片的制造方法
