站内编号   专利名称
[CHL01-036-001] 掩模图形形成方法、计算机程序产品和光掩模制作方法
[CHL01-036-002] 一种高介电栅堆层结构
[CHL01-036-003] 一种用于扩散、氧化工艺的单步清洗方法
[CHL01-036-004] 硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法
[CHL01-036-005] 一种含硅低介电常数材料炉子固化工艺
[CHL01-036-006] 一种含硅低介电常数材料的干法刻蚀工艺
[CHL01-036-007] 一种含硅低介电材料刻蚀工艺
[CHL01-036-008] 半导体晶片的热处理方法
[CHL01-036-009] 半导体元件及系统、晶片、晶片的用途及其测量方法
[CHL01-036-010] 适用于集成电路芯片的信号检测方法
[CHL01-036-011] 数字图像缩放集成电路的设计方法
[CHL01-036-012] 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
[CHL01-036-013] 增加接地平面电连接通路的格状阵列封装体及封装方法
[CHL01-036-014] 金属布线基板和半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-015] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-016] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-017] 电子器件
[CHL01-036-018] 消除二极管间相互影响的检测方法和装置
[CHL01-036-019] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-020] 多频带功率放大器
[CHL01-036-021] 利用相变引起的阻值变化进行编程的可编程元件
[CHL01-036-022] 半导体存储装置
[CHL01-036-023] 具有氮化物穿隧层的非挥发性内存的结构
[CHL01-036-024] 压敏粘结剂在焦平面器件铟珠制备中剥离多余铟层的用途
[CHL01-036-025] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-026] 内置保护P型高压金属氧化物半导体管
[CHL01-036-027] 内置保护N型高压金属氧化物半导体管
[CHL01-036-028] 横向缓冲P型金属氧化物半导体管
[CHL01-036-029] 具有存储多个字节的存储单元的半导体存储器及其制造方法
[CHL01-036-030] 短波长的发光二极管封装方法
[CHL01-036-031] 氮化物基化合物半导体发光元件及其制造方法
[CHL01-036-032] 发光二极管器件
[CHL01-036-033] 用于生产有机发光二极管器件将多个掩模段对准以提供组装的掩模
[CHL01-036-034] 以氮化物为基础的半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-036-035] 允许由给体转移有机材料以便在有机发光二极管器件内形成层的设备
[CHL01-036-036] 检测二氧化碳的半导体传感器气敏元件的制造方法
[CHL01-036-037] 检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法
[CHL01-036-038] 生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法
[CHL01-036-039] 监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法
[CHL01-036-040] 半导体器件及其制作方法
[CHL01-036-041] 电路连接用粘接剂、使用其的电路连接方法及电路连接结构体
[CHL01-036-042] 闪存技术和LOCOS/STI隔离的氮化隧道氧化物的氮化障壁
[CHL01-036-043] 沉积金属薄膜的方法和包括超临界干燥/清洁组件的金属沉积组合工具
[CHL01-036-044] 导体基片结构的校准方法
[CHL01-036-045] 导电互连
[CHL01-036-046] 个体化硬件
[CHL01-036-047] 用于集成电路的有源封装
[CHL01-036-048] 互连线路设备和方法
[CHL01-036-049] 带有压电微驱动机构的磁头弹簧片组件
[CHL01-036-050] 经溶液加工的器件
[CHL01-036-051] 溶液加工
[CHL01-036-052] 形成互连
[CHL01-036-053] 喷墨制作的集成电路
[CHL01-036-054] 高能体供给装置、结晶性膜的形成方法和薄膜电子装置的制造方法
[CHL01-036-055] 衬底处理系统
[CHL01-036-056] 半导体装置的制造方法
[CHL01-036-057] 微细结构体的干燥方法及通过该方法得到的微细结构体
[CHL01-036-058] 感应耦合式等离子体装置
[CHL01-036-059] 存储器的浮动闸极的形成方法
[CHL01-036-060] 化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺
[CHL01-036-061] 用于制造半导体功率器件的方法
[CHL01-036-062] 晶圆的清洗液成分及其清洗方法
[CHL01-036-063] 在单一反应室中形成氧化层-氮化层-氧化层的方法
[CHL01-036-064] 利用原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的方法
[CHL01-036-065] 金属线路铜背端的渐层式阻障层
[CHL01-036-066] 监测自行对准硅化物残留的测试窗结构
[CHL01-036-067] 形成嵌合式非挥发性存储器的方法
[CHL01-036-068] 应用于金属铁电氧化物和硅单管单元存储器的具有钛缓冲层的高-k栅氧化物
[CHL01-036-069] 具有自对准触点半导体器件的制造方法
[CHL01-036-070] 晶片封装基板
[CHL01-036-071] 可设置无源元件的芯片承载件
[CHL01-036-072] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-073] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-074] 半导体装置
[CHL01-036-075] 将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制作方法
[CHL01-036-076] 用于集成电路中的静电放电保护的电路和方法
[CHL01-036-077] 半导体集成电路装置
[CHL01-036-078] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-079] 半导体电路和半导体器件
[CHL01-036-080] 平坦型非挥发性半导体存储元件
[CHL01-036-081] 非易失性半导体存储器及其制造工艺
[CHL01-036-082] 非易失性半导体存储器及方法
[CHL01-036-083] 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
[CHL01-036-084] 用于光电继电器的快速开/关光电发生器
[CHL01-036-085] 具有微小透镜的表面黏著型发光二极管
[CHL01-036-086] 制作电致发光显示器的、使用电磁铁的蒸镀装置及采用此装置的蒸镀方法
[CHL01-036-087] 氮化物半导体发光器件
[CHL01-036-088] 热电材料及其制备方法
[CHL01-036-089] 用于快速测试的半导体取送机
[CHL01-036-090] 半导体器件上形成导电覆层的方法
[CHL01-036-091] 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
[CHL01-036-092] 制造沟槽栅DMOS晶体管的方法
[CHL01-036-093] 在圆片面上形成集成电路封装的方法
[CHL01-036-094] 具有低介电膜的半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-095] 静电放电(ESD)保护电路
[CHL01-036-096] 强电介质存储装置
[CHL01-036-097] 发光半导体元件及其制造方法
[CHL01-036-098] 带有荧光变换元件的辐射半导体组件
[CHL01-036-099] 封装的显示装置
[CHL01-036-100] 电致发光装置和制造这种装置的方法
[CHL01-036-101] 光电池
[CHL01-036-102] 光电池
[CHL01-036-103] 在浅槽中形成深槽以隔离半导体器件的自对准方法
[CHL01-036-104] 半导体器件
[CHL01-036-105] 具有位于有源器件上的接合区的半导体芯片
[CHL01-036-106] 表面安装IC堆积法与器件
[CHL01-036-107] 半导体装置的制造方法
[CHL01-036-108] 实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法
[CHL01-036-109] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-110] 下层块金属的阻挡层盖
[CHL01-036-111] 从半导体晶片上清除无用物质的方法和装置
[CHL01-036-112] 用于清洗晶片的清洗水和清洗晶片的方法
[CHL01-036-113] 一种基于自组织的纳米颗粒图案的光刻方法
[CHL01-036-114] 一种无机抗反射层去除方法
[CHL01-036-115] 形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构
[CHL01-036-116] 快闪存储器单元的制造工序
[CHL01-036-117] 晶片操作频率调整电路及方法
[CHL01-036-118] 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造
[CHL01-036-119] 双重金属镶嵌结构的制造方法
[CHL01-036-120] 具有浮动闸间壁的非易失性存储器及制造方法
[CHL01-036-121] 集成电路的多层基板及其介层孔排列方法
[CHL01-036-122] 具散热片的半导体封装件
[CHL01-036-123] 覆晶封装结构及其制程方法
[CHL01-036-124] 具有金属间隙壁的内连导线结构及其制作方法
[CHL01-036-125] 具有介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法
[CHL01-036-126] 具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法
[CHL01-036-127] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-128] 电路布置
[CHL01-036-129] 电子装置及其制造方法
[CHL01-036-130] 用于宽间隙基片接合的多层集成电路
[CHL01-036-131] 化合物半导体开关电路装置
[CHL01-036-132] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-036-133] 拟动态通过信道写入/抹除的闪存存储单元结构制造方法及其操作方法
[CHL01-036-134] 沟槽式分离栅只读性闪存存储单元结构形成方法以及操作方法
[CHL01-036-135] 无接触点信道写入/抹除的闪存存储单元结构与制造方法
[CHL01-036-136] 集成电路芯片及使用该芯片的显示装置
[CHL01-036-137] 射线照相图象摄取设备及驱动该设备的方法
[CHL01-036-138] 半导体器件
[CHL01-036-139] 一种光辐射感生电压材料及其薄膜的制备方法
[CHL01-036-140] 半导体双晶白色LED封装结构
[CHL01-036-141] 第3～5族化合物半导体和发光二极管
[CHL01-036-142] 氮化物半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-143] 磁阻效应薄膜及使用该薄膜的存储器
[CHL01-036-144] 多层胶一次电子束曝光多次显影形成T型栅制作方法
[CHL01-036-145] 接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法
[CHL01-036-146] 控制薄膜厚度以实现均匀膜厚的喷涂装置及方法
[CHL01-036-147] 化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法
[CHL01-036-148] 有机薄膜形成方法
[CHL01-036-149] 化合物半导体装置的制造方法
[CHL01-036-150] 电路装置的制造方法
[CHL01-036-151] 电路装置的制造方法
[CHL01-036-152] 电路装置的制造方法
[CHL01-036-153] 电路装置及其制造方法
[CHL01-036-154] 电路装置的制造方法
[CHL01-036-155] 改善浅沟槽隔离区的漏电流和崩溃电压的方法
[CHL01-036-156] 消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法
[CHL01-036-157] 镶嵌式内连线结构的制造方法
[CHL01-036-158] 具有交换推动二流体驱动部的迷你吸散热方法及装置
[CHL01-036-159] 凸块底缓冲金属结构
[CHL01-036-160] 半导体叠层组件
[CHL01-036-161] 半导体封装件及其制造方法
[CHL01-036-162] 半导体器件及其生产方法
[CHL01-036-163] 半导体器件及其生产方法
[CHL01-036-164] 信号跳动防止装置
[CHL01-036-165] 具有电容器的半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-166] 避免掺质渗透至闸极绝缘层的闸极及其制造方法
[CHL01-036-167] 发光装置及其制造方法
[CHL01-036-168] 一种Fe-Ga系磁致伸缩材料及其制造工艺
[CHL01-036-169] 压电变压器的制造方法以及压电变压器的制造装置
[CHL01-036-170] 磁阻元件以及使用该元件的磁性随机访问存储器
[CHL01-036-171] 薄膜半导体装置的制造方法
[CHL01-036-172] 半导体连接基板用带粘合剂的带及使用了其的铜膜叠层板
[CHL01-036-173] 调准装置
[CHL01-036-174] 电子仪器
[CHL01-036-175] 在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构
[CHL01-036-176] 强电介质存储装置及其制造方法以及混载装置
[CHL01-036-177] 制作动态随机存取存储器的下层存储结的方法
[CHL01-036-178] 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
[CHL01-036-179] N型掺杂多晶硅的制造方法
[CHL01-036-180] 电容器下电极的结构
[CHL01-036-181] 用于处理玻璃基片或晶片的注入装置
[CHL01-036-182] 叶片式基片清洗方法及其装置
[CHL01-036-183] 半导体晶片的清洗方法
[CHL01-036-184] 电子装置制造方法
[CHL01-036-185] 快速热退火、由其制造的硅晶片以及直拉法拉晶设备
[CHL01-036-186] 金氧半导体晶体管的制造方法
[CHL01-036-187] 金氧半导体晶体管的制造工艺
[CHL01-036-188] 金氧半导体晶体管的制造方法
[CHL01-036-189] 一种封装及高频传输用金线的制造方法及其制成品
[CHL01-036-190] 识别装置、接合装置及电路装置的制造方法
[CHL01-036-191] 识别装置、接合装置及电路装置的制造方法
[CHL01-036-192] 半导体检测装置
[CHL01-036-193] 一种浅沟道隔离结构的制造方法
[CHL01-036-194] 双重金属镶嵌结构的制造方法
[CHL01-036-195] 用于制造半导体器件的方法
[CHL01-036-196] 罩幕式只读存储器的制造方法
[CHL01-036-197] 自行对准罩幕式只读存储器的制造方法
[CHL01-036-198] 氮化硅只读存储器的制造方法
[CHL01-036-199] 用于容放光半导体器件的密封封装容器和光半导体模块
[CHL01-036-200] 一种用于集成电路的散热器
[CHL01-036-201] 利用烧结方式成型的散热片
[CHL01-036-202] 电容元件、半导体存储器及其制备方法
[CHL01-036-203] 具有熔丝元件的半导体芯片
[CHL01-036-204] 化合物半导体装置
[CHL01-036-205] 一种闪存的结构
[CHL01-036-206] 具有小袋的半导体器件及其制造
[CHL01-036-207] 一种闪存的结构
[CHL01-036-208] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-036-209] 透明电极基板及其制造方法和有机发光二极管
[CHL01-036-210] 在蓝宝石衬底上形成半导体发光二极管管芯的方法
[CHL01-036-211] 发光二极管及其制造方法
[CHL01-036-212] 用于表面安装型发光二极管的引线框及其制造方法
[CHL01-036-213] 发光器件及其制造方法
[CHL01-036-214] 自组织技术
[CHL01-036-215] 单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
[CHL01-036-216] 晶片形状评价法、装置及器件制造法,晶片及晶片挑选法
[CHL01-036-217] 残渣洗涤液
[CHL01-036-218] 以具超短脉冲宽度的激光脉冲的脉冲串处理存储器链路的激光器系统及方法
[CHL01-036-219] 电子元件的气密密封方法