站内编号 专利名称
[CHL01-035-001] 复合压电变压器
[CHL01-035-002] 磁阻效应元件和磁阻效应型磁头
[CHL01-035-003] 碳膜覆盖部件
[CHL01-035-004] 一种制备Si基铁电薄/厚膜型微绝热结构阵列的方法
[CHL01-035-005] 半导体制造装置用旋转机的寿命预测方法和半导体制造装置
[CHL01-035-006] 半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统
[CHL01-035-007] 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
[CHL01-035-008] 聚焦、位置测量、曝光及元件制造的方法及曝光装置
[CHL01-035-009] 发热体CVD装置及采用该装置的发热体CVD方法
[CHL01-035-010] 用于化学机械研磨的研磨头
[CHL01-035-011] Z3MS刻蚀后的干法去胶工艺
[CHL01-035-012] 减少微粒产生的方法
[CHL01-035-013] 硅的游离基氧化方法和装置
[CHL01-035-014] 其上结合有薄膜电容器的多层布线基板的制造工艺
[CHL01-035-015] 半导体电路装置及半导体装置
[CHL01-035-016] 标记位置检测装置
[CHL01-035-017] 安装在芯片上的接触弹簧
[CHL01-035-018] 以金属硬遮罩层制作双镶嵌插销的方法
[CHL01-035-019] 多位存储单元的参考位稳定方法
[CHL01-035-020] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-021] 基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅组件的制造方法
[CHL01-035-022] 氮化硅只读存储器组件的制造方法
[CHL01-035-023] 具有浅接面的非挥发性内存的制造方法
[CHL01-035-024] 膜载带
[CHL01-035-025] 半导体装置
[CHL01-035-026] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-027] 引线架、树脂密封模型及使用它们的半导体
[CHL01-035-028] 用于对地或电源而屏蔽传输线的装置
[CHL01-035-029] 改善玻璃钝化硅器件高温反向特性的钝化玻璃涂敷液
[CHL01-035-030] 具有熔线的半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-031] 半导体集成电路
[CHL01-035-032] 非易失性半导体存储器
[CHL01-035-033] 半导体存储器
[CHL01-035-034] 半导体存储装置
[CHL01-035-035] 防止天线效应的氮化硅只读存储器组件的结构
[CHL01-035-036] 固体摄象装置以及使用该装置的摄像机微型组件
[CHL01-035-037] 减小CMOS图像传感器暗电流的表面钝化
[CHL01-035-038] 发光设备及其制造方法
[CHL01-035-039] 非对称高电压金属氧化物半导体元件
[CHL01-035-040] 光接收元件、有内构电路的光检测器以及光拾取器
[CHL01-035-041] 发光二极管装置
[CHL01-035-042] 半导体发光器件及其制造方法
[CHL01-035-043] 通过激光退火和快速加温退火形成超浅结的方法
[CHL01-035-044] 半导体基板洗涤剂和洗涤方法
[CHL01-035-045] 减少去除光阻所致缺点形成高品质多厚度氧化物层的方法
[CHL01-035-046] 显示器件的制造方法
[CHL01-035-047] 半导体器件及其制备方法
[CHL01-035-048] 具减低捕捉之三族氮化物基础场效晶体管和高电子移动晶体管及其制造方法
[CHL01-035-049] 发光闸流晶体管矩阵阵列及其驱动电路
[CHL01-035-050] 在基底上制作印刷线路的方法
[CHL01-035-051] 半导体衬底制造方法
[CHL01-035-052] 一种只读码掩模及其应用方法
[CHL01-035-053] 调整半导体反应室真空系统的排气压力的装置及方法
[CHL01-035-054] 半导体器件的制造方法
[CHL01-035-055] 一种高介电栅介质Al2O3/...
[CHL01-035-056] 切削机
[CHL01-035-057] 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
[CHL01-035-058] Silk刻蚀后的湿法去胶工艺
[CHL01-035-059] 改善DxZ氧化硅对Silk粘附性的工艺
[CHL01-035-060] 用于提高介电薄膜的系统和方法
[CHL01-035-061] 利用氧原子植入以制作自动对准的场氧化层的方法
[CHL01-035-062] 低阻值晶体管元件的制作方法
[CHL01-035-063] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-035-064] 安装电子元件后的零件的制造方法及其制造装置
[CHL01-035-065] 半导体装置的制造方法和半导体装置及其装配方法
[CHL01-035-066] 晶片及评价其载体浓度的方法
[CHL01-035-067] 双重镶嵌结构的制造方法
[CHL01-035-068] 一种系统整合芯片的制作方法
[CHL01-035-069] 应用于系统芯片的半导体器件的制造方法
[CHL01-035-070] 双MONOS单元制造方法及数组结构
[CHL01-035-071] 可预先测试效能的芯片制作流程及其测试方法
[CHL01-035-072] 半导体装置的设计方法和半导体装置
[CHL01-035-073] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-035-074] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-035-075] 半导体集成电路器件的制造方法
[CHL01-035-076] 一种双位元快速存储器结构及其制造方法
[CHL01-035-077] 静态随机存储器的制造方法
[CHL01-035-078] 垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法
[CHL01-035-079] 氮化硅只读存储器的结构与制造方法
[CHL01-035-080] 一种嵌入式存储器的制作方法
[CHL01-035-081] 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构
[CHL01-035-082] 半导体装置及半导体装置的制造方法
[CHL01-035-083] 半导体器件用的接触器和接触方法
[CHL01-035-084] 具嵌梢的散热板及其封装件
[CHL01-035-085] 一种散热结构
[CHL01-035-086] 半导体装置
[CHL01-035-087] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-088] 半导体集成电路及其制造方法
[CHL01-035-089] 半导体器件、机器人、彩票的运营方法、记录媒体
[CHL01-035-090] 半导体装置
[CHL01-035-091] 相联存储器及其存储单元
[CHL01-035-092] 半导体存储器件
[CHL01-035-093] 非挥发性半导体存储单元结构及其制作方法
[CHL01-035-094] 氮化只读存储器的结构及其制造方法
[CHL01-035-095] 发光器件
[CHL01-035-096] 高介电系数介质与半导体构成的耐压层
[CHL01-035-097] 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池
[CHL01-035-098] 制造半导体发光装置的方法及其制造的半导体发光装置
[CHL01-035-099] 一种电路保护方法
[CHL01-035-100] 电子装置的外壳组件
[CHL01-035-101] 沟槽深度检测和控制的方法及装置
[CHL01-035-102] 非挥发性内存装置用的双重间隔器方法
[CHL01-035-103] 用于测量电子器件参数的方法及设备
[CHL01-035-104] 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法
[CHL01-035-105] 受保护超导体组件及其制造方法
[CHL01-035-106] 包封的陶瓷超导体
[CHL01-035-107] 叠合标记及其应用方法
[CHL01-035-108] 半导体设备的制造方法
[CHL01-035-109] 电子装置用衬底，电子装置用衬底的制造方法，及电子装置
[CHL01-035-110] 半导体制造装置
[CHL01-035-111] 阶梯式开口的制造方法
[CHL01-035-112] 半导体装置的制造方法以及研磨装置
[CHL01-035-113] 低介电常数材料薄膜的制造方法
[CHL01-035-114] 半导体器件的制造方法和制造装置
[CHL01-035-115] 蚀刻液
[CHL01-035-116] 薄膜晶体管的制造方法
[CHL01-035-117] 具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法
[CHL01-035-118] 半导体装置的制造方法
[CHL01-035-119] 摄像传感器芯片封装方法及结构
[CHL01-035-120] 集成电路测试基台结构改进
[CHL01-035-121] 反熔丝的制造方法
[CHL01-035-122] 具有沟槽隔离的半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-123] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-035-124] 双重镶嵌结构的制造方法
[CHL01-035-125] 金属内连线的制造方法
[CHL01-035-126] 非易失性存储器的制造方法
[CHL01-035-127] 罩幕式只读存储器的结构与制造方法
[CHL01-035-128] 用于光电模块的副支架以及利用该支架的封装方法
[CHL01-035-129] 可设置无源组件的基板
[CHL01-035-130] 具中央引线的半导体封装组件及其封装方法
[CHL01-035-131] 半导体器件
[CHL01-035-132] 干式快速散热器
[CHL01-035-133] 散热板热管制造方法
[CHL01-035-134] 半导体组件
[CHL01-035-135] 多重布线板
[CHL01-035-136] 半导体器件
[CHL01-035-137] 具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-138] 半导体集成电路
[CHL01-035-139] 半导体集成电路装置及其制造方法
[CHL01-035-140] 半导体集成电路及其测试方法
[CHL01-035-141] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-142] 一种功率型多晶硅发射极晶体管
[CHL01-035-143] 具有双闸极绝缘层的MOS元件及其制作方法
[CHL01-035-144] 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
[CHL01-035-145] 具有透明基板覆晶式发光二极体晶粒的高亮度发光二极体
[CHL01-035-146] 提供生产有机发光二极管装置的结合掩模的定位掩模部分
[CHL01-035-147] 半导体发光装置
[CHL01-035-148] 带有识别节点图案的压电变压器
[CHL01-035-149] 压电变压器的驱动电路、冷阴极管发光装置、液晶面板
[CHL01-035-150] 用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料
[CHL01-035-151] 晶片制备设备
[CHL01-035-152] 异质结BICOMS集成电路的制造方法
[CHL01-035-153] 非接触互连系统
[CHL01-035-154] 半导体能束探测元件
[CHL01-035-155] 具有改进的导通状态特性的高压薄膜晶体管及其制造方法
[CHL01-035-156] 光能转换装置
[CHL01-035-157] GalnN半导电层及其制备方法；包括该层的发光二极管和包括该发光二极管的...
[CHL01-035-158] 压电陶瓷弯曲变换器及其应用
[CHL01-035-159] 半导体厂自动化的保护电路
[CHL01-035-160] 一种处理半导体晶片的方法和所用的半导体晶片的衬底
[CHL01-035-161] 制造半导体器件的方法
[CHL01-035-162] 具有双栅极氧化物层的半导体器件的制造方法
[CHL01-035-163] 化学溶液输送装置和制备悬浮液的方法
[CHL01-035-164] 基板干燥装置以及使用该装置的基板干燥方法
[CHL01-035-165] 在半导体晶圆去除圆周边缘的介电层的方法
[CHL01-035-166] 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
[CHL01-035-167] 闸流体的制作方法
[CHL01-035-168] 利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法
[CHL01-035-169] 制作双扩散漏极的方法
[CHL01-035-170] 金氧半导体晶体管的制造方法
[CHL01-035-171] 半导体模块及其生产方法以及用于IC卡等的模块
[CHL01-035-172] 安装半导体芯片的装置
[CHL01-035-173] 局部形成硅化金属层的方法
[CHL01-035-174] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-175] 平面单元存储元件的硅化物膜制造方法
[CHL01-035-176] 非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法
[CHL01-035-177] 埋入式源/漏极区的存储器组件的制造方法
[CHL01-035-178] 快闪存储胞形成方法
[CHL01-035-179] 防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法
[CHL01-035-180] 制作罩幕式只读存储器的埋藏位元线的方法
[CHL01-035-181] 半导体装置
[CHL01-035-182] 暴露信号线以及在信号线与基片之间有间隙的半导体器件
[CHL01-035-183] 半导体器件和其制造方法
[CHL01-035-184] 多层布线结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-035-185] 功率半导体次级组件及功率半导体组件
[CHL01-035-186] 功率半导体模块
[CHL01-035-187] 包含复合集成电路结构的集成电路及其设计方法
[CHL01-035-188] 电平移动器
[CHL01-035-189] 具有提供在存储单元中的阱抽头的半导体器件
[CHL01-035-190] 具有四个状态的存储单元的存储器件
[CHL01-035-191] 半导体记忆装置
[CHL01-035-192] 三维只读存储器集成电路
[CHL01-035-193] SNNNS类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法
[CHL01-035-194] 具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件
[CHL01-035-195] 具有双浮置闸极存储晶胞的集成电路及其制造方法
[CHL01-035-196] 四象限光电探测器光敏面四个区的光电转换平衡校正方法
[CHL01-035-197] 四象限光电探测器检测与应用的模型法
[CHL01-035-198] 固态成像设备及其制造方法
[CHL01-035-199] 具有存储多个位的存储单元的半导体存储器及其驱动方法
[CHL01-035-200] 改变透明导电层透射率的方法、平板显示器及其制造方法
[CHL01-035-201] 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法
[CHL01-035-202] 形成具有金属基板的半导体元件
[CHL01-035-203] 发光元件及其制造方法和用于制造发光元件的引线框
[CHL01-035-204] 一种制作高温超导器件的离子表面改性方法
[CHL01-035-205] 压电变压器
[CHL01-035-206] 用于多种处理的立式配置腔室
[CHL01-035-207] 波像差测定装置,波像差测定方法,曝光装置及微型器件的制造方法
[CHL01-035-208] 采用氨中退火来建立超薄栅极绝缘体的方法
[CHL01-035-209] 用于工件的等离子体清洗的方法和装置
[CHL01-035-210] 用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法
[CHL01-035-211] 钛的缓蚀
[CHL01-035-212] 面结型场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-035-213] 用单附加掩模注入操作制造双阈值电压N沟道和P沟道MOSFET的方法
[CHL01-035-214] 用于冷却高功率微处理器的平行板/针状翅片混合的铜散热装置
[CHL01-035-215] 形成玻璃窗的光电装置
[CHL01-035-216] 高速凹槽双扩散金属氧化物半导体
[CHL01-035-217] 薄膜晶体管
[CHL01-035-218] 藉由内部及外部光学组件之使用而加强发光二极管中的光放出
[CHL01-035-219] 药液供给装置
