站内编号   专利名称
[CHL01-025-001] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-002] 耐高压半导体器件
[CHL01-025-003] 肖特基二极管、整流器及其制造方法
[CHL01-025-004] 集成电子电路及其制法
[CHL01-025-005] 半导体器件
[CHL01-025-006] 聚合物器件
[CHL01-025-007] 检测电磁波相位及幅度的装置和方法
[CHL01-025-008] 包含复合薄膜的光伏模块
[CHL01-025-009] 反射型传感器
[CHL01-025-010] 成膜方法和成膜装置
[CHL01-025-011] 通过掺杂形成抗电迁移结构的方法
[CHL01-025-012] 形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法
[CHL01-025-013] 制造带有凸块的电子零件的方法和制造电子零件的方法
[CHL01-025-014] 高功率半导体在塑胶封装产品中的导线架设计
[CHL01-025-015] 半导体器件的制造方法
[CHL01-025-016] 含有电容器的半导体存储器件的制造方法
[CHL01-025-017] 具有高密度互连层的电子封装件
[CHL01-025-018] 半导体器件
[CHL01-025-019] 驱动器IC,电光学装置及电子仪器
[CHL01-025-020] 具有自对齐到存储沟槽的字线的垂直动态存储单元
[CHL01-025-021] 固态成像设备及其激励方法
[CHL01-025-022] 非易失性半导体存储装置
[CHL01-025-023] 功率半导体器件
[CHL01-025-024] 纳米孔道中的晶体管及其集成电路
[CHL01-025-025] 电子器件
[CHL01-025-026] 形成氧化锌膜的方法和设备以及制造光生伏打器件的方法和设备、
[CHL01-025-027] 表面粘接发光二极管的封装结构及其制造方法
[CHL01-025-028] 发光二极管及其制造方法
[CHL01-025-029] 圆弧平底凹杯之发光二极管的制作方法
[CHL01-025-030] 通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法
[CHL01-025-031] 薄膜半导体装置的制造方法
[CHL01-025-032] 激光热处理方法,激光热处理装置以及半导体装置
[CHL01-025-033] IC制造业中的PECVD－Ti和CVD－Ti薄膜的单一腔室加工方法
[CHL01-025-034] 多孔性绝缘材料及其制备方法
[CHL01-025-035] 利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法
[CHL01-025-036] 减小半导体接触电阻的方法
[CHL01-025-037] 包含复合体的光伏模块
[CHL01-025-038] 用于压电变压器的脉冲频率调制驱动电路
[CHL01-025-039] 层叠型压电变换器
[CHL01-025-040] 半导体器件的制造方法
[CHL01-025-041] 半导体器件金属电极的剥离方法
[CHL01-025-042] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-025-043] 制造薄膜晶体管的方法
[CHL01-025-044] 机械性增强的焊接区界面及其方法
[CHL01-025-045] 器件检查装置及检查方法
[CHL01-025-046] 具有扫描路径电路的半导体电路
[CHL01-025-047] 有源矩阵显示器件
[CHL01-025-048] 半导体器件
[CHL01-025-049] 用于CMOS图象传感器的优化浮置P+区光电二极管
[CHL01-025-050] 适用于非易失性存储器的隧道晶体管
[CHL01-025-051] 金属氧化物半导体场效应管半导体器件
[CHL01-025-052] 锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
[CHL01-025-053] 细菌视紫红质生物膜光电变换器及制备方法
[CHL01-025-054] 磁隧道结器件、使用该器件的磁存储器和单元及其存取方法
[CHL01-025-055] 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
[CHL01-025-056] 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置
[CHL01-025-057] 结构化电极的制造方法
[CHL01-025-058] 具有结晶碱土金属硅氮化物/氧化物与硅界面的半导体结构
[CHL01-025-059] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-060] 半导体器件制作工艺及传导结构
[CHL01-025-061] 射频识别集成电路导线著装方法
[CHL01-025-062] 半导体装置的电容器的制造方法
[CHL01-025-063] 便于改进沟槽腐蚀工艺的集成芯片虚设沟槽图形
[CHL01-025-064] 提高了可靠性的镶嵌互连及制造工艺
[CHL01-025-065] 具有薄膜电路的模块
[CHL01-025-066] 钛酸锶晶体管
[CHL01-025-067] 钛酸钡晶体管
[CHL01-025-068] 钙钛矿结构氧化物复合膜晶体管
[CHL01-025-069] 场效应晶体管
[CHL01-025-070] 显示系统和电子装置
[CHL01-025-071] 凸点形成方法以及形成装置
[CHL01-025-072] 具有纤维接合层的电子器件
[CHL01-025-073] 半导体装置用引线框架
[CHL01-025-074] 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
[CHL01-025-075] 外部发光效率高的端面发光元件及用其制作的自扫描型发光元件阵列
[CHL01-025-076] 在衬底加工系统中减少衬底污染的方法与装置
[CHL01-025-077] 器件层的机械成图方法
[CHL01-025-078] 高性能硅功率器件内的非均匀少数载流子寿命分布
[CHL01-025-079] 纳米多孔二氧化硅的蒸气沉积工艺
[CHL01-025-080] 微电子结构,其制法及其在存储单元内的应用
[CHL01-025-081] 制备理想析氧硅晶片的工艺
[CHL01-025-082] 电磁辐射的探测装置
[CHL01-025-083] 器件封装
[CHL01-025-084] 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法
[CHL01-025-085] 热电转换的供电装置
[CHL01-025-086] 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
[CHL01-025-087] 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
[CHL01-025-088] 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
[CHL01-025-089] 多晶硅薄膜的制造方法
[CHL01-025-090] 有机电光材料的反射干涉式纵向电场探测器
[CHL01-025-091] 基于事件的测试系统的延迟时间插入
[CHL01-025-092] 一种陶瓷厚膜电路炸裂的引导方法
[CHL01-025-093] 结构化的含金属氧化物层的制法
[CHL01-025-094] 能够显著抑制流经电子元件的高频电流的散热器
[CHL01-025-095] 散热装置
[CHL01-025-096] 电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-097] 包括电子电路元件的树脂模制部件
[CHL01-025-098] 具有非易失存储器的CMOS图像传感器
[CHL01-025-099] 光电子装置及其制造方法
[CHL01-025-100] 硅绝缘体结构半导体器件
[CHL01-025-101] 一种氮化物半导体器件
[CHL01-025-102] 半导体器件及其制造方法和其中所用的半导体器件的衬底
[CHL01-025-103] 与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构制造方法
[CHL01-025-104] 硅基单面加工悬浮结构微机械电感的制作方法
[CHL01-025-105] 与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构
[CHL01-025-106] 液体处理装置
[CHL01-025-107] BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法
[CHL01-025-108] 电子元件密封装置的形成方法
[CHL01-025-109] 用来形成导线连接的设备
[CHL01-025-110] 供球栅阵列基板使用的测试装置
[CHL01-025-111] 倒装芯片型半导体装置及其制造方法
[CHL01-025-112] 半导体器件和封装方法
[CHL01-025-113] 集成电路的平面化塑料封装模块
[CHL01-025-114] TV窗口中双倍熔丝密度
[CHL01-025-115] 半导体装置
[CHL01-025-116] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-117] 高亮度发光二极体及其制造方法
[CHL01-025-118] 压电元件的制造方法
[CHL01-025-119] 热板及半导体装置的制造方法
[CHL01-025-120] 玻璃衬底的加工方法和高频电路的制作方法
[CHL01-025-121] 覆晶构装的晶片接合方法
[CHL01-025-122] 带有空气轴承的线性引导体
[CHL01-025-123] 散热装置
[CHL01-025-124] 半导体存储装置
[CHL01-025-125] 表面粘着型排列二极体及其制造方法
[CHL01-025-126] 半导体存储装置及其驱动方法
[CHL01-025-127] 用于降低源漏极间电阻的MOS场效应管及其制造方法
[CHL01-025-128] 半导体双向触发导通二极管
[CHL01-025-129] 在感应式外延反应器中用自调平真空系统处理衬底的装置与方法
[CHL01-025-130] 微电子结构
[CHL01-025-131] 金属研磨液材料、金属研磨液、其制造方法及使用它的研磨方法
[CHL01-025-132] 减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化
[CHL01-025-133] 可伸缩的数据处理设备
[CHL01-025-134] 具有至少一只纳米电子元件的电路装置及其制法
[CHL01-025-135] 模拟开关
[CHL01-025-136] 减少移动离子从金属氧化物陶瓷向衬底的扩散
[CHL01-025-137] 有机发光器件
[CHL01-025-138] 试片夹持机械手末端执行器
[CHL01-025-139] 利用薄热电片生产多个器件芯片的方法
[CHL01-025-140] 碳化硅半导体结构上的层叠电介质
[CHL01-025-141] 汽车用的太阳能板装置
[CHL01-025-142] 注入式非相干发射体
[CHL01-025-143] UV基片加热和光化学的设备
[CHL01-025-144] 功能器件及其制造方法
[CHL01-025-145] 生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法
[CHL01-025-146] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-147] 电子元件及含在其中的保护结构的应用
[CHL01-025-148] 制造具有在半导体衬底内分段延伸布线的半导体器件的方法及用这种方法可制造的...
[CHL01-025-149] 具有铁电薄膜的铁电存储器及其制造方法
[CHL01-025-150] 执行元件
[CHL01-025-151] 薄膜压电元件
[CHL01-025-152] 对准方法、套刻检查方法和光掩模
[CHL01-025-153] 半导体器件的制造方法及其使用的填埋材料和半导体器件
[CHL01-025-154] 在层内对准局部的开孔
[CHL01-025-155] 半导体存储装置的驱动方法
[CHL01-025-156] 在电子元器件的散热器中相变材料的应用
[CHL01-025-157] 混合集成电路装置
[CHL01-025-158] 数据总线性能改善的存储器模块
[CHL01-025-159] 光照射装置、其制造方法及使用了该光照射装置的照明装置
[CHL01-025-160] 光照射装置的制造方法
[CHL01-025-161] 高灵敏度的互补金属氧化物半导体有源像素
[CHL01-025-162] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-025-163] 显示器件
[CHL01-025-164] 发光模块和驱动所述发光模块的方法以及光检测器
[CHL01-025-165] 一种MgB2超导材料及其制备方法
[CHL01-025-166] 半导体薄膜的制造方法和采用所述薄膜的磁电转换元件
[CHL01-025-167] 硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件
[CHL01-025-168] 半导体器件和半导体器件的制造方法
[CHL01-025-169] 衬底处理方法
[CHL01-025-170] 去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法
[CHL01-025-171] 在势垒层上淀积铜的方法
[CHL01-025-172] 制作包含顶部栅极型TFT的有源矩阵器件的方法和装置
[CHL01-025-173] 管芯级封装及其制造方法
[CHL01-025-174] 拾取工具
[CHL01-025-175] 把半导体芯片安装到柔性基片上的方法和装置
[CHL01-025-176] 集成微触针及其生产方法
[CHL01-025-177] 半导体装置的制造方法
[CHL01-025-178] 聚合物－陶瓷复合电子衬底
[CHL01-025-179] 用于半导体元件键合连接的金线
[CHL01-025-180] 半导体装置和半导体装置的制造方法
[CHL01-025-181] 具有MIS过压保护器的RC集成化半导体电路及其制造方法
[CHL01-025-182] 具有接触电容器电极的插塞的半导体存储器及其制造方法
[CHL01-025-183] 具有接触电容器电极的插塞的半导体存储器及其制备方法
[CHL01-025-184] MOS型固体摄象装置及其制造方法
[CHL01-025-185] 固体摄象装置
[CHL01-025-186] 一种互补金属氧化物半导体图像传感器及其驱动方法
[CHL01-025-187] 使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管及其制造方法
[CHL01-025-188] 光电元件、其制造方法及太阳能电池模块
[CHL01-025-189] 显示装置
[CHL01-025-190] 具有分布式接触层的高亮度发光二极管
[CHL01-025-191] 半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置
[CHL01-025-192] 形成半导体器件微图样的方法
[CHL01-025-193] 半导体装置的制造方法和半导体装置
[CHL01-025-194] 测量光电转换特性的方法和装置
[CHL01-025-195] 具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作
[CHL01-025-196] 基板、显示装置、基板与IC芯片的安装及安装键合方法
[CHL01-025-197] 半导体集成电路以及半导体集成电路布线布局
[CHL01-025-198] 对聚合材料具有增强的附着力的半导体器件保护层及其制造方法
[CHL01-025-199] 包含高品质因数的电感元件的极小型集成电路
[CHL01-025-200] 一种激光器与光电开关集成的器件
[CHL01-025-201] 横向半导体器件
[CHL01-025-202] 曝光装置、表面位置调节单元、掩模和器件制造方法
[CHL01-025-203] 半导体器件的制造方法
[CHL01-025-204] 微细图形形成方法和使用该方法的半导体装置的制造方法
[CHL01-025-205] 激光电路形成方法以及形成的激光电路
[CHL01-025-206] 快闪存储器的制造方法
[CHL01-025-207] 散热装置及其制造方法
[CHL01-025-208] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-025-209] 用于自对准器件隔离的电容器沟槽顶部介质
[CHL01-025-210] 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
[CHL01-025-211] 有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法
[CHL01-025-212] 单晶GaN基体的制造方法和单晶GaN基体
[CHL01-025-213] 具有沟槽分离的半导体装置的制造方法
[CHL01-025-214] 基板处理装置及基板处理方法
[CHL01-025-215] 阵列式光学探针扫描集成电路光刻方法
[CHL01-025-216] 阵列式光探针扫描集成电路光刻系统中的对准方法及其装置
[CHL01-025-217] 制造软恢复快速功率二极管的方法及其制造的功率二极管
[CHL01-025-218] 半导体器件三维接触的形成
[CHL01-025-219] 基片清洗装置