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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术全文光盘系列(15)
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  站内编号   专利名称
[CHL01-015-001] 与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构
[CHL01-015-002] 在集成电路中形成沟槽式电容器的改进技术
[CHL01-015-003] 制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法
[CHL01-015-004] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-005] 阳极氧化方法和装置以及半导体衬底制造方法
[CHL01-015-006] 半导体装置的制造方法
[CHL01-015-007] 半导体器件的制造方法
[CHL01-015-008] 阻挡层及其制造方法
[CHL01-015-009] 单片线性光耦合器及其制造方法
[CHL01-015-010] 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
[CHL01-015-011] 控制至少一个容性执行机构的装置和方法
[CHL01-015-012] 控制至少一个容性执行机构的装置和方法
[CHL01-015-013] 控制至少一个容性执行机构的装置和方法
[CHL01-015-014] 具有发光变换元件的发光半导体器件
[CHL01-015-015] 热油脂的引入和保留
[CHL01-015-016] 全彩色有机发光二极管及其制造方法
[CHL01-015-017] 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
[CHL01-015-018] 具有金属硅化物薄膜的半导体器件及制造方法
[CHL01-015-019] 高性能芯片封装及方法
[CHL01-015-020] 用于半导体的密封树脂构件及半导体元件
[CHL01-015-021] 芯片载体
[CHL01-015-022] 半导体器件制造方法
[CHL01-015-023] 三重阱结构的半导体集成电路的制造方法
[CHL01-015-024] 自校准内埋板
[CHL01-015-025] 平面化腐蚀半导体器件的方法
[CHL01-015-026] 用于腐蚀的保护单元
[CHL01-015-027] 复合部件及其分离方法和半导体衬底的制备方法
[CHL01-015-028] 由掺杂的玻璃形成源/漏
[CHL01-015-029] 制造带有MOVPE层序列的半导体本体的方法
[CHL01-015-030] 清洗电子元件构件或类似零件的方法和装置
[CHL01-015-031] 等离子体腐蚀反应器和方法
[CHL01-015-032] 半导体装置和液晶显示装置以及含有它们的电子机器
[CHL01-015-033] 半导体封装及其制造方法
[CHL01-015-034] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-035] 具有多层布线的半导体器件的制造方法
[CHL01-015-036] 平版印刷用清洁剂
[CHL01-015-037] 透光窗户层发光二极管
[CHL01-015-038] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-015-039] 扣合装置
[CHL01-015-040] 半导体器件及其制作方法
[CHL01-015-041] 动态随机存取存储器的电容器的制造方法
[CHL01-015-042] 动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法
[CHL01-015-043] 动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法
[CHL01-015-044] 制造半导体器件的方法
[CHL01-015-045] 制造半导体器件的方法
[CHL01-015-046] 动态随机存取存储器及金属连线的制造方法
[CHL01-015-047] 介层窗的制造方法
[CHL01-015-048] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-015-049] 基板的操作方法与装置及其所使用的吸附检查方法与装置
[CHL01-015-050] 金属层间介电层及其制造方法
[CHL01-015-051] 划片座及利用它来切割无带衬底的方法和设备
[CHL01-015-052] 半导体器件的制造工艺
[CHL01-015-053] 防止因工艺条件规范改变使半导体制造工艺失效的方法
[CHL01-015-054] 光电池的批量制造方法
[CHL01-015-055] 带氧化锌层的基片、氧化锌层的制造方法、光电器件以及光电器件的制造方法、
[CHL01-015-056] 半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池
[CHL01-015-057] 绝缘栅型半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-058] 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-015-059] 采用不接触技术减小单元面积的非易失半导体存储器
[CHL01-015-060] 半导体存储器件
[CHL01-015-061] 带有竖直晶体管和掩埋字线的半导体器件
[CHL01-015-062] 动态随机存取存储器单元及其形成方法
[CHL01-015-063] 半导体器件
[CHL01-015-064] 带有保护电路的半导体器件
[CHL01-015-065] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-066] 存储单元阵列的制造方法
[CHL01-015-067] 浅沟槽隔离方法
[CHL01-015-068] 半导体器件的布线方法和布线装置
[CHL01-015-069] 用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器
[CHL01-015-070] 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
[CHL01-015-071] 避免掺杂介电层内发生掺杂扩散的接触窗回火的方法
[CHL01-015-072] 半导体器件制造设备和半导体器件制造方法
[CHL01-015-073] 半导体晶片的化学机械平面化的改进的方法和装置
[CHL01-015-074] 半导体装置的制造方法和半导体装置
[CHL01-015-075] 产生直接绘图数据的方法以及直接绘图的方法和装置
[CHL01-015-076] 压电变压器装置
[CHL01-015-077] 具有新型触点接通的压电执行元件及其制造方法
[CHL01-015-078] 具有双地线的射频功率封装
[CHL01-015-079] 分子污染控制系统
[CHL01-015-080] 一种金属-绝缘体-金属开关器件的制法
[CHL01-015-081] 一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
[CHL01-015-082] 具有导线插头的半导体器件及其生产方法
[CHL01-015-083] 固态图象传感器
[CHL01-015-084] 用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层
[CHL01-015-085] 具有高耦合比的快闪存储单元及其制造方法
[CHL01-015-086] 多阶快闪存储器结构及其制造方法
[CHL01-015-087] 半导体存储器及其制造方法
[CHL01-015-088] 具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法
[CHL01-015-089] 半导体装置和半导体装置用的引线框
[CHL01-015-090] 耐热性优异的固态传感器件及其制造方法
[CHL01-015-091] 圆柱形叠式电极的制造方法
[CHL01-015-092] 改进的多晶硅-硅化物
[CHL01-015-093] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-094] 制造动态随机存取存储器单元电容器的方法
[CHL01-015-095] 集成电路及其制造方法
[CHL01-015-096] 半导体元件及其制造方法
[CHL01-015-097] 半导体集成电路装置的制造方法
[CHL01-015-098] 测定用于最佳静电吸盘箝位电压的晶片翘曲的方法和装置
[CHL01-015-099] 管芯接合装置
[CHL01-015-100] 管芯接合装置
[CHL01-015-101] 能够抑制晶体管特性退化的制造双极晶体管的方法
[CHL01-015-102] 半导体晶片退火用的灯管退火炉及方法
[CHL01-015-103] 半导体器件制造方法
[CHL01-015-104] 用于半导体器件的清洗/干燥台和生产线
[CHL01-015-105] 分立基板的制造方法
[CHL01-015-106] 光电箔的制造方法
[CHL01-015-107] 具有供叠层件使用备有被保护阻挡层的半导体构件
[CHL01-015-108] 高压半导体元件
[CHL01-015-109] 矩阵结构的LED-陈列
[CHL01-015-110] 用于制作没有阻挡层的半导体存储器装置的方法
[CHL01-015-111] 具有“埋置的极板式电极”的集成半导体存储器装置
[CHL01-015-112] 带多层电容器的半导体存储器装置
[CHL01-015-113] 特别用于置入芯片卡体的芯片模块
[CHL01-015-114] 封装半导体芯片的环氧树脂包封料及其制造方法
[CHL01-015-115] 半导体只读存储器及其制造方法
[CHL01-015-116] 制造集成半导体存储装置的方法
[CHL01-015-117] 具有自对准的非集成电容器排布的存储器装置
[CHL01-015-118] 高-ε-介电层或铁电层的制造方法
[CHL01-015-119] 发光二极管的制造方法
[CHL01-015-120] 半导体元件及其制造方法
[CHL01-015-121] 驱动固态图象传感器的方法
[CHL01-015-122] 互补型金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
[CHL01-015-123] 高电阻负载静态型RAM及其制造方法
[CHL01-015-124] 半导体存储器件
[CHL01-015-125] 半导体器件和设计方法及该方法的记录介质和支持系统
[CHL01-015-126] 金属氧化物半导体晶体管对装置
[CHL01-015-127] 双冠状电容器的制造方法
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[CHL01-015-130] 半导体贮存夹具、操作方法及生产系统
[CHL01-015-131] 集成电路芯片、集成电路结构体、液晶装置和电子装置
[CHL01-015-132] 高速和低寄生电容的半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-133] 半导体装置的制造方法以及制造装置
[CHL01-015-134] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-135] 半导体装置的制造方法和半导体装置
[CHL01-015-136] 在半导体晶片上均匀生长薄膜的生长系统及其工艺
[CHL01-015-137] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-138] 半导体器件的生产工艺和其中使用的清洗装置
[CHL01-015-139] 减少半导体制造中的黑硅
[CHL01-015-140] 具有线性电流电压特性的半导体元件
[CHL01-015-141] 薄膜器件的转移方法、薄膜器件、薄膜集成电路装置、有源矩阵衬底、液晶显示装...
[CHL01-015-142] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-015-143] 使用六甲基乙硅氮烷的液体源薄膜的形成
[CHL01-015-144] 制造无势垒半导体存储器装置的方法
[CHL01-015-145] 半导体器件和制作方法
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[CHL01-015-147] 图象传感器
[CHL01-015-148] 光半导体装置及其装配的光半导体模块
[CHL01-015-149] 静态半导体存储器
[CHL01-015-150] 非易失半导体器件以及其制造方法
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[CHL01-015-152] 安装电子部件的结构和方法
[CHL01-015-153] 半导体基片中的小型接头及其制作方法
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[CHL01-015-167] 半导体器件及其制造方法
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