站内编号   专利名称
[CHL01-014-001] 减少寄生电阻和电容的场效应晶体管
[CHL01-014-002] 制造半导体器件的设备和方法
[CHL01-014-003] 在半导体衬底上制造不同厚度的栅氧化层的方法
[CHL01-014-004] 清洗方法及装置
[CHL01-014-005] 半导体衬底处理装置及其控制方法
[CHL01-014-006] 使用离子注入制造半导体器件的方法
[CHL01-014-007] 减少IC制造中硼沾污的方法
[CHL01-014-008] 掩模半成品和掩模的制造方法
[CHL01-014-009] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-010] 半导体晶片对准系统及对准方法
[CHL01-014-011] 制造散热器的方法和设备
[CHL01-014-012] 光致电压器件模块
[CHL01-014-013] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-014] EEPROM装置及其制造方法
[CHL01-014-015] 半导体器件的制造方法
[CHL01-014-016] 具备电容器的半导体装置及其制造方法
[CHL01-014-017] 半导体器件
[CHL01-014-018] 半导体衬底和薄膜器件及其制造方法以及阳极化处理装置
[CHL01-014-019] 具有可变输出阻抗的输出缓冲电路
[CHL01-014-020] 引线框架及涂敷引线框架的方法
[CHL01-014-021] 有机多量子阱结构白光电致发光器件
[CHL01-014-022] 半导体器件生产方法
[CHL01-014-023] 半导体集成电路和半导体器件以及两者的制造方法
[CHL01-014-024] 控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层厚度的方法
[CHL01-014-025] 使用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充
[CHL01-014-026] 制作具有可变侧壁型面的通孔的方法
[CHL01-014-027] 使用专门定位对准标记进行电子束平版印刷的方法和带有这种对准标记的晶片
[CHL01-014-028] 半导体元件的微细图形间隙的形成方法
[CHL01-014-029] 衬底的处理方法和装置以及SOI衬底
[CHL01-014-030] 电平转换电路和运用电平转换电路的半导体集成电路器件
[CHL01-014-031] 半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法
[CHL01-014-032] 半导体封装和器件插座
[CHL01-014-033] 压电谐振器的制造方法
[CHL01-014-034] 压电传动器
[CHL01-014-035] 高温超导体电流引线制备方法
[CHL01-014-036] 高温超导体电流引线接点的制作方法
[CHL01-014-037] 二维图像检像器及其制造方法
[CHL01-014-038] 互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件
[CHL01-014-039] 一种晶体管过载保护电路
[CHL01-014-040] 具有薄板的片上引线型半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-041] 解决集成电路静电放电问题的电路布局
[CHL01-014-042] 具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-043] 粘合片材
[CHL01-014-044] 工件传送方法及系统
[CHL01-014-045] 通过测试器件性能定量邻近效应的方法和设备
[CHL01-014-046] 各向异性干腐蚀方法
[CHL01-014-047] 腐蚀硅层的方法
[CHL01-014-048] 多相掩模
[CHL01-014-049] 一种改进的具有电输入与电输出装置的热电单元
[CHL01-014-050] 一种光发射和/或接收的半导体本体的制作方法
[CHL01-014-051] 电极间连接结构、电极间连接方法、半导体器件、半导体安装方法、液晶装置和电...
[CHL01-014-052] 显示装置
[CHL01-014-053] 带有由低电阻铝合金形成的导体的衬底
[CHL01-014-054] 半导体装置的制造方法以及半导体元件
[CHL01-014-055] 约束焊接的微节距焊接工具
[CHL01-014-056] 用于压机中力的线性放大的楔形装置
[CHL01-014-057] 降低半导体封装件的翘曲的方法和装置
[CHL01-014-058] 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
[CHL01-014-059] 具有增大磁阻的铁磁隧道结
[CHL01-014-060] 氮化物半导体光发射器件及其制造方法
[CHL01-014-061] 高效发光二极管及其制造方法
[CHL01-014-062] 半导体器件
[CHL01-014-063] 存储单元装置及其制作方法
[CHL01-014-064] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-065] 半导体器件的电容器及其形成方法
[CHL01-014-066] 半导体只读存储器的高密度行解码装置
[CHL01-014-067] 有抗熔元件的半导体器件及现场可编程门阵列的制造方法
[CHL01-014-068] 球栅阵列型半导体器件
[CHL01-014-069] 非模制半导体器件和采用它的光电器件模块
[CHL01-014-070] 减少基层腐蚀
[CHL01-014-071] 制造半导体器件的方法
[CHL01-014-072] 半导体器件装配方法和由此方法制造的半导体器件
[CHL01-014-073] 多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法
[CHL01-014-074] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-075] 用于形成存储电极的改进工艺
[CHL01-014-076] 在硅化物膜上进行化学汽相淀积的方法和设备
[CHL01-014-077] 在半导体器件中形成自对准接触的方法
[CHL01-014-078] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-079] 巨磁阻材料P-N结结构
[CHL01-014-080] 制备CuInSe2半导体薄膜的溶胶-凝胶--Se化工艺
[CHL01-014-081] 带有弯曲部分的电阻元件及其制造方法
[CHL01-014-082] 高成品率半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-083] 半导体装置及半导体装置的制造方法
[CHL01-014-084] 半导体器件
[CHL01-014-085] 凹进的浅沟槽隔离结构氮化物衬垫及其制造方法
[CHL01-014-086] 半导体器件的测试方法和带标识晶体管电路的半导体器件
[CHL01-014-087] 测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质
[CHL01-014-088] 半导体制造设备管理系统中设备的事故状态控制方法
[CHL01-014-089] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-090] 提供双功函数掺杂
[CHL01-014-091] 多孔区的去除方法和半导体衬底的制造方法
[CHL01-014-092] 腐蚀半导体工件的方法、设备及制造半导体工件的方法
[CHL01-014-093] 利用双镶嵌形成焊盘的方法
[CHL01-014-094] 半导体材料
[CHL01-014-095] 半导体器件
[CHL01-014-096] 半导体衬底的处理方法和半导体衬底
[CHL01-014-097] 半导体制造设备控制系统的配置设备单元状态控制方法
[CHL01-014-098] 半导体制造设备控制系统中配置设备单元工作状态控制法
[CHL01-014-099] 半导体器件的修补测试方法
[CHL01-014-100] 单片多层压电执行元件及其制造方法
[CHL01-014-101] 具有垂直层叠跨接的存储单元设计
[CHL01-014-102] 半导体芯片载体元件制作方法
[CHL01-014-103] 制造半导体封装的方法
[CHL01-014-104] 凸起粘合装置及方法
[CHL01-014-105] 一种氧化物巨磁电阻薄膜、制备方法及其用途
[CHL01-014-106] 有机的电致发光器件的制作
[CHL01-014-107] 超薄微腔激光器件的移植方法
[CHL01-014-108] 集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法
[CHL01-014-109] 半导体集成电路
[CHL01-014-110] 多芯片模块
[CHL01-014-111] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-014-112] 用于半导体晶片制备工艺实时原位监控的方法和系统
[CHL01-014-113] 制造半导体器件的方法
[CHL01-014-114] 利用原子层淀积工艺形成导电层的方法
[CHL01-014-115] N型磷化铟欧姆接触制造方法
[CHL01-014-116] 在半导体器件的制造中减少黑硅的方法
[CHL01-014-117] 晶片表面清洗装置及方法
[CHL01-014-118] 用于在抛磨后提供改进的平面表面的方法
[CHL01-014-119] 电子束直接绘图的方法和系统及其记录介质
[CHL01-014-120] 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法
[CHL01-014-121] 样品分离装置和方法以及衬底制造方法
[CHL01-014-122] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-123] 溅射高熔点金属用的溅射设备和有高熔点金属的半导体器件的制造方法
[CHL01-014-124] 使用含聚合物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法
[CHL01-014-125] 基片的加工设备、支撑设备、加工及制造方法
[CHL01-014-126] 薄膜压电元件和薄膜压电元件的制造方法以及电路元件
[CHL01-014-127] 压电元件及其制造方法
[CHL01-014-128] 光电元件的制造方法
[CHL01-014-129] 半导体存储器
[CHL01-014-130] 快速存储器及其制造方法
[CHL01-014-131] 半导体器件
[CHL01-014-132] 电子零件及其引线的固定方法
[CHL01-014-133] 改进的氮化物腐蚀停止层
[CHL01-014-134] 形成无孔隙沟槽隔离的方法
[CHL01-014-135] 半导体管芯上互连凸块的制作方法
[CHL01-014-136] 半导体元件与其制造装置及制造方法
[CHL01-014-137] 热处理SOI衬底的方法和设备及利用其制备SOI衬底的方法
[CHL01-014-138] 硅氧化的计算机模拟方法
[CHL01-014-139] 抛光片磨损的在线监测
[CHL01-014-140] 半导体封装的制造方法和集合电路基板
[CHL01-014-141] 半导体器件、太阳能电池模件以及将其拆卸的方法
[CHL01-014-142] 太阳能电池组件与太阳能电池整体包敷装置
[CHL01-014-143] 具有彼此相邻排列的三个象素行的电荷传送器件
[CHL01-014-144] 静态随机存取存储器光电管结构及其制造方法
[CHL01-014-145] 装有芯片上引线封装结构的塑封半导体器件
[CHL01-014-146] 半导体器件
[CHL01-014-147] 载带组的可视检查装置
[CHL01-014-148] 双栅氧化层双功函数CMOS的制造方法
[CHL01-014-149] 用于减小硅柱塞上形成的层叠电容器中扩散的方法和装置
[CHL01-014-150] 制造带有硅化结和注入结的半导体芯片的方法
[CHL01-014-151] 用微波形成薄膜的装置和方法
[CHL01-014-152] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-014-153] 从半导体晶片中分离芯片的方法
[CHL01-014-154] 热处理设备、热处理工艺及半导体工件的制造工艺
[CHL01-014-155] 半导体产品及其制造方法
[CHL01-014-156] 半导体衬底及其制造方法
[CHL01-014-157] 有紧急输出口的湿处理设备及其装载和卸载晶片组的方法
[CHL01-014-158] 雪崩光电二极管的光接收机
[CHL01-014-159] 具有一种贵金属层的半导体装置及其制造方法
[CHL01-014-160] 用于半导体衬底的清洗水溶液
[CHL01-014-161] 具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法
[CHL01-014-162] 具有改善了注入剂的场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-014-163] 半导体器件
[CHL01-014-164] 双极型晶体管及半导体装置
[CHL01-014-165] 固态图象传感器及其驱动方法
[CHL01-014-166] 存储器单元装置及其制造方法
[CHL01-014-167] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-014-168] 用于半导体衬底的多层焊料密封带及其工艺
[CHL01-014-169] 将非易失性存储器和逻辑件引入单亚0.3微米制造的方法
[CHL01-014-170] 半导体制造过程中非保形器件层的平面化
[CHL01-014-171] 具有浅隔离槽的半导体器件
[CHL01-014-172] 制造半导体器件的方法
[CHL01-014-173] 具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法
[CHL01-014-174] 等离子体处理装置
[CHL01-014-175] 在衬底中用于填充槽的方法
[CHL01-014-176] 在半导体衬底中建立高导电性埋入的侧面绝缘区域的方法
[CHL01-014-177] 向装配基板上装密封体的装配方法和光学变换装置
[CHL01-014-178] 用以包装具不同厚度的BGA基材的BGA模具总成
[CHL01-014-179] 高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
[CHL01-014-180] 高阻负载静态随机存取存储器
[CHL01-014-181] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-182] 半导体器件、存储单元以及它们的制作工艺
[CHL01-014-183] CMOS器件及其制造方法
[CHL01-014-184] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-185] 半导体集成电路器件
[CHL01-014-186] 制造具有半球晶粒结构的半导体器件的方法
[CHL01-014-187] 半导体器件的生产方法
[CHL01-014-188] 半导体器件中的互连结构及其制作方法
[CHL01-014-189] 半导体器件成膜方法
[CHL01-014-190] 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法
[CHL01-014-191] 半导体器件的制造方法
[CHL01-014-192] 具有防止电荷泄漏的浮栅存储单元
[CHL01-014-193] 用于制作无阻挡层的半导体存储器装置的方法
[CHL01-014-194] 半导体器件
[CHL01-014-195] 非易失半导体存储器件以及该存储器件的数据擦除方法
[CHL01-014-196] 具有硅化物层的半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-197] 存储单元结构及其制造方法
[CHL01-014-198] 半导体器件的制造方法
[CHL01-014-199] 半导体制造装置的保持体及其制造方法
[CHL01-014-200] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-201] 制造半导体器件的装置及制造半导体器件电容器的方法
[CHL01-014-202] 具有浅结的半导体器件的制造方法
[CHL01-014-203] SOI衬底及其制造方法和装置
[CHL01-014-204] 用于高生产率SOI的缺陷引入的掩埋氧化物
[CHL01-014-205] 制造一种红外发射发光二极管的方法
[CHL01-014-206] 半导体存储器及其制造方法
[CHL01-014-207] 腐蚀半导体晶片的方法和装置
[CHL01-014-208] 光学半导体器件
[CHL01-014-209] 不定形发光二极管的制造方法及其成形模具
[CHL01-014-210] 光电装置、光电模块和光电系统的设置方法
[CHL01-014-211] 场效应晶体管及其制造方法
[CHL01-014-212] 具有较小行-行距离的彩色线性图像传感器及其驱动方法
[CHL01-014-213] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-214] 动态随机存取存储器单元装置及其制造方法
[CHL01-014-215] 半导体集成电路器件和排列功能单元的方法
[CHL01-014-216] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-217] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-014-218] 封装内包含半导体元件的半导体器件
[CHL01-014-219] 电容的下电极的制造方法