站内编号   专利名称
[CHL01-013-001] 改善高崩溃电压的半导体功率整流器电压突降的方法
[CHL01-013-002] 半导体器件及其制作方法
[CHL01-013-003] 形成微晶硅系列薄膜的工艺和适于实施所述工艺的装置
[CHL01-013-004] 氮化镓单晶衬底及其制造方法
[CHL01-013-005] 备有执行闪速存储器存取控制的存取电路的半导体存储器
[CHL01-013-006] 电容元件及其制造方法
[CHL01-013-007] 电容元件及其制造方法
[CHL01-013-008] 半导体器件
[CHL01-013-009] 形成随机存取存储器单元阵列的埋藏式电容阵列的方法
[CHL01-013-010] 皇冠型电容结构的制造方法
[CHL01-013-011] 制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法
[CHL01-013-012] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-013] 用于对物体进行视觉检测的方法和装置
[CHL01-013-014] 半导体器件和半导体器件的制作方法
[CHL01-013-015] 用半球形晶粒制造电容的方法
[CHL01-013-016] 晶片抛光设备及晶片抛光用衬垫
[CHL01-013-017] 用于制造半导体器件的触点的方法
[CHL01-013-018] 掩模的制造方法
[CHL01-013-019] 接触窗及接触窗蚀刻方法
[CHL01-013-020] 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
[CHL01-013-021] 制造半导体薄膜的方法及其所用设备
[CHL01-013-022] 碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
[CHL01-013-023] 红外传感器
[CHL01-013-024] 用于双向光学数据传输的光电模块
[CHL01-013-025] 自对准非易失性存储单元
[CHL01-013-026] 芯片模块及制造芯片模块的方法
[CHL01-013-027] 半导体光电探测器及其制造方法
[CHL01-013-028] 具光检测电路的光电集成电路及其制造方法
[CHL01-013-029] 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
[CHL01-013-030] 异质结双极型晶体管
[CHL01-013-031] 半导体装置
[CHL01-013-032] 半导体存储器电路
[CHL01-013-033] 半导体装置
[CHL01-013-034] 可再制的热塑性封装材料
[CHL01-013-035] 半导体器件的制造方法
[CHL01-013-036] 半导体集成电路器件和制造半导体集成电路器件的方法
[CHL01-013-037] 超密集动态随机存取存储单元及其制造方法
[CHL01-013-038] 半导体器件及其形成方法
[CHL01-013-039] 在铝/铜金属线路上除去活性离子蚀刻后的聚合物
[CHL01-013-040] 制造半导体器件的方法
[CHL01-013-041] 电子电路
[CHL01-013-042] 快闪电性可抹除只读存储器
[CHL01-013-043] 具有高耦合率永久性存储器及其制造方法
[CHL01-013-044] 只读存储器及其制造方法
[CHL01-013-045] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-046] 带有用于焊料块的基底阻挡膜的半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-047] 使用保护夹具固定脆性导电引线的方法和装置
[CHL01-013-048] 制造铁电存储器件的方法
[CHL01-013-049] 快闪存储单元的制造方法
[CHL01-013-050] 快闪存储器分离栅极结构的制造方法
[CHL01-013-051] 可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法
[CHL01-013-052] 具有分离栅极与源极注射的快闪存储器及其制造方法
[CHL01-013-053] 插塞的制造方法
[CHL01-013-054] 插塞的制造方法
[CHL01-013-055] 形成没有凹陷的沟槽隔离的方法
[CHL01-013-056] 形成集成电路的方法
[CHL01-013-057] 制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法
[CHL01-013-058] 降低在蚀刻氮化物时产生微负载的方法
[CHL01-013-059] 步进分析方法和系统
[CHL01-013-060] 制造半导体存储器件的电容器的方法
[CHL01-013-061] 形成半导体器件中的自对准接触的方法
[CHL01-013-062] 热平衡射频功率晶体管的均匀镇流电阻
[CHL01-013-063] 集成电路封装用的芯片级球形格栅阵列
[CHL01-013-064] 带有通孔从焊球键合位置侧向偏移的TAB带球栅阵列封装
[CHL01-013-065] 等离子体蚀刻系统
[CHL01-013-066] 超快速相变的有机电双稳器件
[CHL01-013-067] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-068] 热沉及带热沉的存储器模块
[CHL01-013-069] 带有减少的线连接的存储器
[CHL01-013-070] 半导体器件的制造方法
[CHL01-013-071] 半导体器件
[CHL01-013-072] 形成半导体器件槽隔离的方法
[CHL01-013-073] 采用条纹图形的覆盖测定技术
[CHL01-013-074] 用于半导体器件中的接触故障检测的装置和方法
[CHL01-013-075] 选择性金属层的形成方法及其应用
[CHL01-013-076] 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
[CHL01-013-077] 层间介电层平坦化制造方法
[CHL01-013-078] 具有缺陷祛除区的半导体
[CHL01-013-079] 构件分离装置和加工装置
[CHL01-013-080] 半导体装置的制造方法
[CHL01-013-081] 发光二极管装置及其制造方法
[CHL01-013-082] 亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
[CHL01-013-083] 具有阻挡层的断路闸流管
[CHL01-013-084] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-085] 固态成像器件及其制造方法
[CHL01-013-086] 高压CMOS结构的半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-087] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-013-088] 半导体集成电路
[CHL01-013-089] 电平变换电路
[CHL01-013-090] 压装在印刷电路板孔内从集成电路到散热器传热的导热基片
[CHL01-013-091] 模压球栅阵列型半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-092] 带有导热支持元件的电子封装件
[CHL01-013-093] 半导体装置
[CHL01-013-094] 半导体器件布线布局方法及存储所用程序的介质
[CHL01-013-095] 半导体器件的制造方法
[CHL01-013-096] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-097] 双镶嵌式自对准通路互连
[CHL01-013-098] 半导体器件及其制作方法
[CHL01-013-099] 制造具有多层布线层的半导体装置的方法
[CHL01-013-100] 等离子体处理装置及等离子体处理方法
[CHL01-013-101] 半导体装置的制造方法
[CHL01-013-102] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-103] 压电谐振器和包括它的电子元件
[CHL01-013-104] 太阳能电池组件及系统,带太阳能电池的外罩及安装方法
[CHL01-013-105] 光电子元件与用于制造的方法
[CHL01-013-106] 光电功率产生盖顶及其安装方法
[CHL01-013-107] 在阱区间无台阶的半导体器件
[CHL01-013-108] 可减小漂移扩散电容的电荷转移器件和电荷转移方法
[CHL01-013-109] 具有两对晶体管和一对负载元件的静态存储单元
[CHL01-013-110] 纵向晶体管
[CHL01-013-111] 半导体存储器件及其制造方法
[CHL01-013-112] 半导体存储器
[CHL01-013-113] 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-114] 半导体装置中的布线图形的自动配置
[CHL01-013-115] 对准键合机或拾放机的焊头的方法和装置
[CHL01-013-116] 碳化硅上的锇整流肖特基和欧姆连接以及W/WC/TiC欧姆接触
[CHL01-013-117] 半导体器件及其生产方法
[CHL01-013-118] 低噪声的球栅阵列封装
[CHL01-013-119] 制造多电平掩模只读存储器的方法
[CHL01-013-120] 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
[CHL01-013-121] 制造卡产品的方法及制造装置
[CHL01-013-122] 用铜布线膜生产半导体器件的方法
[CHL01-013-123] 一种用于生产具有双重波纹结构的半导体器件的方法
[CHL01-013-124] 光掩膜及其曝光方法
[CHL01-013-125] 控制半导体设备的方法
[CHL01-013-126] 一种热电材料制成的铸板
[CHL01-013-127] 电荷耗散场发射器件
[CHL01-013-128] 图象传感器芯片及图象传感器
[CHL01-013-129] 半导体器件及其使用的多层引线框架
[CHL01-013-130] 电子部件和半导体装置及其制造方法、电路基板及电子设备
[CHL01-013-131] 用于保持和保护半导体晶片的设备和方法
[CHL01-013-132] 微芯片准确定位设备
[CHL01-013-133] 通过采用光滑底电极结构具有改进的存储保持的薄膜铁电电容器
[CHL01-013-134] 压电元件
[CHL01-013-135] 提高长期稳定性的有机电场致发光器件
[CHL01-013-136] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-137] 光电转换装置和图象传感器
[CHL01-013-138] 动态随机存取存储器单元装置和其制造方法
[CHL01-013-139] 互补金属氧化物半导体器件
[CHL01-013-140] 半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法
[CHL01-013-141] 电路板平面化方法和制造半导体器件的方法
[CHL01-013-142] 制作BiCMOS半导体器件的方法
[CHL01-013-143] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-144] 半导体图象传感器及其制造方法
[CHL01-013-145] 制造半导体器件的方法
[CHL01-013-146] 清洁盒
[CHL01-013-147] 芯片尺寸半导体封装的制备方法
[CHL01-013-148] 用于布线的铝膜形成方法
[CHL01-013-149] 带半球形晶粒的电容器的制造方法
[CHL01-013-150] 在化学敏感型光刻胶上形成图形的方法
[CHL01-013-151] 结构化保护层和绝缘层的制备
[CHL01-013-152] 制造半导体器件的方法
[CHL01-013-153] 干胶片拉伸装置
[CHL01-013-154] 硅基片及其制造方法
[CHL01-013-155] 单片多层压电驱动器及其制造方法
[CHL01-013-156] 热电组件及其制作方法
[CHL01-013-157] 制备多个半导体的方法
[CHL01-013-158] 多颜色发光二极体
[CHL01-013-159] 光电元件以及由其组成的组件
[CHL01-013-160] 半导体装置
[CHL01-013-161] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-162] 半导体集成电路的衬底和半导体集成电路的制造方法
[CHL01-013-163] 用于改善层厚控制的缓冲层
[CHL01-013-164] 简化三维沟道电容器动态随机存取存储器的方法
[CHL01-013-165] 金属化系统
[CHL01-013-166] 在半导体器件中形成隔离沟槽的方法
[CHL01-013-167] 在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法
[CHL01-013-168] 多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
[CHL01-013-169] 梯形多晶硅插塞及其制造方法
[CHL01-013-170] 溅射装置及用其制造半导体器件的方法
[CHL01-013-171] 用于准确地转换非均匀厚度光刻胶层中的潜像的工艺
[CHL01-013-172] 半导体器件生产装置及生产方法
[CHL01-013-173] 半导体处理器件仿真方法和存储仿真程序的存储介质
[CHL01-013-174] 半导体装置及其制造方法
[CHL01-013-175] 耐腐蚀及耐气候的分层结构
[CHL01-013-176] 由导电针阵列屏蔽的半导体器件及制备这种器件的方法
[CHL01-013-177] 半导体芯片用的载体元件
[CHL01-013-178] 限流器
[CHL01-013-179] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-180] 高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
[CHL01-013-181] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-182] 介质分隔式半导体器件
[CHL01-013-183] 减小半导体器件中的寄生漏电
[CHL01-013-184] 非易失Ｐ沟道金属氧化物半导体二晶体管存储单元和阵列
[CHL01-013-185] 电容器及其制造方法
[CHL01-013-186] 半导体器件
[CHL01-013-187] 半导体器件
[CHL01-013-188] 具有伪键合线的半导体集成电路器件
[CHL01-013-189] 半导体器件
[CHL01-013-190] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-191] 集成电路中阻止深结注入和硅化物形成的间隔物
[CHL01-013-192] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-193] 测试集成电路芯片的探针卡
[CHL01-013-194] 集成电路布线工艺
[CHL01-013-195] 利用有选择的外延生长方法的半导体器件制造方法
[CHL01-013-196] 钛膜形成方法
[CHL01-013-197] 用于集成电路器件制造的先进介电材料和工艺
[CHL01-013-198] 制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置
[CHL01-013-199] 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
[CHL01-013-200] 通过电子束辐射制作绝缘膜线路图形的方法
[CHL01-013-201] 制造半导体器件的方法
[CHL01-013-202] 超浅半导体结的制作
[CHL01-013-203] 半导体器件生产方法
[CHL01-013-204] 硬蚀刻掩模
[CHL01-013-205] 固态成像装置
[CHL01-013-206] 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-207] 具有选择性生长接触焊盘的半导体器件
[CHL01-013-208] 千瓦功率管
[CHL01-013-209] 半导体图象传感器的结构及其制造方法
[CHL01-013-210] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-211] 结合薄膜和体Si晶体管的合并逻辑和存储器
[CHL01-013-212] 半导体器件
[CHL01-013-213] 用于传热增强连接件的方法和装置
[CHL01-013-214] 半导体功率器件的封装及其组装方法
[CHL01-013-215] 半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-216] 具有晶片预行预烧的半导体元件与方法
[CHL01-013-217] 制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统
[CHL01-013-218] 具有亚芯片规模封装构造的半导体器件及其制造方法
[CHL01-013-219] 半导体晶片注胶方法及装置